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空置收入顾问
例如：你发现你所监督的一位福利接受者正在为一位纹身艺术家朋友做兼职。根据法律规定，您可以减少您的福利。在与他谈论此事时，他表示纹身是他的一大爱好，并且有志于开设自己的纹身店。你在干什么？这是我们的一位收入顾问最近提供的一个实际案例。一个美丽的职业，你几乎参与了法医工作。因为在这项工作中，你会进行彻底的研究，你注重细节，并且以人为本。您就好像是在《参与法》的框架内，根据各种数据拼凑一个拼图。所有这一切都基于对客户的信任和建设性态度，以便他们拥有迈向工作的财务保障。从社会商业角度来看，您为通常脆弱的目标群体提供量身定制的福利。您是否认同这一点？您是否愿意为一个在法律框架内连接雇主和求职者的组织工作？那么Senzer正在寻找您，您也正在寻找Senzer！短暂呼吸的工作：评估申请收入顾问（在 Senzer 也称为福利专家）负责处理该职业的两个主要组成部分之一。第一部分是评估收到的申请。收到申请后，将开始为期 8 周的评估期。客户向您提供支持文件，您仔细检查以确定是否有权获得福利。银行账户上是否有任何奇怪的开支，是否有遗漏的费用以及该人是否有权享受其他福利？换句话说：理清和解决财务和法律利益难题。然后您与客户展开讨论，以澄清问题。最后，您将创建一份报告，其中包含是否授予福利的决定，并向申请人说明充分的理由。担任此职位时，您将负责大约 20 名客户的小规模且不断变化的案件量，并与他们保持密切联系。长期工作：管好人、调动人。第二部分，积极用效益激励人、调动人。在这项工作中，您将管理来自个人客户和家庭的约 150 件福利案件。您在此建立密切的客户关系。享受福利的权利取决于许多个人因素。如果此处发生任何变化，可能会影响您的福利。例如，客户想做兼职，但担心这会对他们的福利产生影响。您和您的同事一起确保计算准确，以便客户了解正在发生的变化并敢于迈出工作的一步。因此，您可以通过信件、电话或咨询室与客户进行定期联系。我们既需要经验丰富的同事，也需要新人。我们正在寻找新同事来担任收入顾问的两部分工作。我们欢迎来自社会领域的经验丰富的候选人，也欢迎“福利部门”的新人。您将在入职期间通过课程和在职培训了解《参与法案》。拥有社会领域的法律经验是一种优势，但是 - 就像高等专业教育文凭一样 - 并非必需品。需要达到 HBO 工作和思考水平。
欧洲衍生的阿尔茨海默氏病多基因1风险评分的可转移性在多学院人群中。 2
Aude Nicolas 1.2,*,#, Richard Sherva 3.4,*, Benjamin Grenier-Cando 1,*, Yoontae Kim 5,*, Masataka Kikuchi 6, 4 Jigyasha Timsina 7.8, itziar de Rojas 9.10, María Carolina Dalmasso 11.12, Xiaopu Zhou 13,14.15, Yann, Yann. 5 Guen 16.17，Carlos和Arborada-Buscos 18，Maria Aparecida Camargos Bicalho 19,20.21，MaëlennGuchet 22，6 Sven van der Lee 23.24，Monica Goss 23，Monica Goss 25，Atahualpa Castillo 26 25,29.30, Bernard Fongang 25,31.32, Qiong Yang 29.30, Oliver Peters 33.34, Anja 8 Schneider 35.36, Martin Dechgans 37.38.39, Dan Rujescu 40, Norbert Scherbaum 41, Jürgen Deckert 42, Steffi 9 Riedel-Heller 43, Lucrezia Hausner 44, Laura Molina Porcel 45.46，EmrahDüzel47.48，Timo Grimmer 49，Jens 10 Wiltfang 50.51.52，Stefanie Heilmann-Heimbach 53，Susanne Moebus 54，Thomas Tegos 55，Nikolaos 11 Scarmes 55，Nikolaos 11 Scarmes 56.56.57，Oriol feriol dols-dols-dols-dols-dols-dols-dols-icardodol dols-doll dolsocoto dolls-sic.10。 Moreno 59,10,60，JordiPérez-Tur 61.10，MaríaJ。Buldido 62,10,63.64，12 Pau Pastor 65.66，RaquelSánchez-Valle 67，Victoriaálvarez68.69，68.69，Han Cao 13，Han Cao 13，Nance Y. Y. Y. Y. Y. Y. Y. Y. IP 13,14.14.14.14.14.14.14.14.14.14.14.14 k.y.y。 Pijnenburg 23，Henne Holstege 23.92，John Van Swieten 93，Harro Seelaar 93，Jurgen A.H.R.Aude Nicolas 1.2,*,#, Richard Sherva 3.4,*, Benjamin Grenier-Cando 1,*, Yoontae Kim 5,*, Masataka Kikuchi 6, 4 Jigyasha Timsina 7.8, itziar de Rojas 9.10, María Carolina Dalmasso 11.12, Xiaopu Zhou 13,14.15, Yann, Yann. 5 Guen 16.17，Carlos和Arborada-Buscos 18，Maria Aparecida Camargos Bicalho 19,20.21，MaëlennGuchet 22，6 Sven van der Lee 23.24，Monica Goss 23，Monica Goss 25，Atahualpa Castillo 26 25,29.30, Bernard Fongang 25,31.32, Qiong Yang 29.30, Oliver Peters 33.34, Anja 8 Schneider 35.36, Martin Dechgans 37.38.39, Dan Rujescu 40, Norbert Scherbaum 41, Jürgen Deckert 42, Steffi 9 Riedel-Heller 43, Lucrezia Hausner 44, Laura Molina Porcel 45.46，EmrahDüzel47.48，Timo Grimmer 49，Jens 10 Wiltfang 50.51.52，Stefanie Heilmann-Heimbach 53，Susanne Moebus 54，Thomas Tegos 55，Nikolaos 11 Scarmes 55，Nikolaos 11 Scarmes 56.56.57，Oriol feriol dols-dols-dols-dols-dols-dols-dols-icardodol dols-doll dolsocoto dolls-sic.10。 Moreno 59,10,60，JordiPérez-Tur 61.10，MaríaJ。Buldido 62,10,63.64，12 Pau Pastor 65.66，RaquelSánchez-Valle 67，Victoriaálvarez68.69，68.69，Han Cao 13，Han Cao 13，Nance Y. Y. Y. Y. Y. Y. Y. Y. IP 13,14.14.14.14.14.14.14.14.14.14.14.14 k.y.y。Pijnenburg 23，Henne Holstege 23.92，John Van Swieten 93，Harro Seelaar 93，Jurgen A.H.R.Pijnenburg 23，Henne Holstege 23.92，John Van Swieten 93，Harro Seelaar 93，Jurgen A.H.R.13是13,14.15，Fanny C. F. IP 14,15，Natividad Olivar 70，Carolina Muchnik 70，Carolina Cuesta 71，Lorenzo 14 Campanelli 72，Patricia Solis 73，Patricia Solis 73，Daniel Gustavo Politis 71，Silvia Kochen 73，Silvia Kochen 73，Luis 73，Luis 73，Luisio 70，blusio 70，bluse 70，49 García-González74，Raquel Puerta 74，Pablo Mir 75.10，Luis M Real 76.77.10，GerardPiñol-16 Ripoll- 16 Ripoll-16 Ripoll 78.79，JoseMaríaGarcía-Alberca-Alberca-Alberca 80.10 80.10 83，Sami Heikkinen 84，Alexandre deMendonça85，Shima Mehrabian 86，Latchezar Traykov 87，18 Jakub Hort 88.89，Martin Vyhnuk 88.89，Katrine Laura Laura Laura Raster laura laura rastussen 90.91
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外观nautilus金电池充电器手册
1。将电源充电器安全地插入套筒中。2。将红色电缆连接到（+）和黑色，并谨慎使用（ - ）电池柱。3。正确选择电池的模式和大小或用作电源13.7 V.注意：首先，请先阅读指南，然后再使用！有关Exide和我们的产品的更多信息，请访问：www.exide.com，www.exide.com与外观技术有关...第13页让我们开始1。将电荷电缆连接到电源。2。将红色电线端子连接到正极（+）和黑线端子，与电池的负极（ - ）连接。3。选择与技术（AGM /凝胶或标准）一致的正确操作模式。第14页使用的说明（使用前，阅读说明）：1。阅读安全指南并遵循建议的预防措施。2。将电荷电缆连接到电源。设备前面的灯将打开。3。将红线端子连接到正极（+）和黑线端子与电池的负极（ - ）...安全说明•该充电器设计用于为12V的12V铅电池或动力设备充电12V。不要将其用于其他目的。•在电缆，终端和保险丝损坏或故障的情况下，请勿使用充电器...•遵循安全指南并采取必要的预防措施。2。将主电源电缆连接到电网。充电器前面板上的灯照亮了。3。将充电器的红线夹连接到正极（+），然后将黑线夹连接到负极（ - ）。•该充电器设计用于为12 V铅酸电池充电或作为12 V设备的电源。不要将其用于其他目的。•如果电缆，夹子或盖子损坏，请勿使用充电器。•带电的电池含有爆炸性气体。因此，这是必不可少的...充电器是完全自动的，可编程，可用于铅酸电池的高级充电，其容量范围为20-300 AH。如果发生错误，充电器将中断充电过程，并通过连续的红色LED信号表示故障。当电池充电以超过推荐尺寸或连接其他在充电过程中绘制电流的设备时，可能会触发此警告...如果设备连接到吸引电流的电池，则由于集成的安全功能，充电器的容量不足以在给定时间范围内充电。Action: If possible, disconnect the parallel load and repeat the charging process, or obtain a stronger... Model: EXIDE 12/15 Input voltage: 220-240VAC ±15% Input current: Reverse current ≤1mA Charging voltage: 13.7 – 15.5 VDC at 25°C Output voltage: 13.7 VDC Charging current: Max 15 A Ripple: Max 70 mV Ambient temperature:...保修不适用，并且在缺陷是由外部技术或其授权代表外部使用，打开或维修引起的情况下的情况下不适用的。仔细阅读安全指南和用户手册。外观技术不应对上述提到的任何进一步费用，即不可能额外的成本负责。按照说明，您可以从多年来为您服务的强大充电器中受益。有关Exide和我们的产品的更多信息，请访问：www.exide.com最好的问候，外观技术... 1。充电器的主插头成电源插座。2。充电器的红线夹至电池的正极（+），黑色线夹至负极（ - ）。3。选择正确的模式，电池尺寸（AH）和电池技术（AGM/凝胶或标准电池）或13.7 V电源。1。阅读安全指南并采取必要的预防措施。2。充电器的主插头成电源插座。充电器前面板上的灯照亮了。3。充电器的红线夹至电池的正极（+），黑色线夹至负极（ - ）。安全预防措施： *充电器旨在为12V铅电池或12V设备的外部电源充电。*请勿将充电器用于任何其他目的。*如果损坏了电缆，连接器件或外壳，请勿使用充电器。功能描述： *充电器是全自动的，旨在用于20至300 AH之间的铅酸电池的高级充电功能。*如果充电较大的电池，集成的安全功能可以中断充电过程。*如果发生错误，将显示红色LED灯以指示问题。快速指南：1。*提示：当充电超过推荐的电池尺寸的电池时，或其他消耗电源的设备与电池并行连接时，可能会触发此警报。技术规格： *模型：外观12/15 *输入电压：220-240VAC +/- 15％ *输入电流：≤1ma *充电电压：13.7-15.5 VDC在25°C时在25°C *最大充电电流：15 a * ripple电压 * ripple电压：最大70 mv *操作温度范围： +50 cool the +50 to +50 coolant * coolant * coolant * coolant * coolant * coolant * coolant * coolant * coolant ted Is +50°C *法定保修条款。*保修期如果充电器未正确使用，或者是由外部技术或其授权代表以外的其他人打开或修理的。用户说明：12V铅酸电池20-300 AH ...仔细阅读安全说明和用户指南。按照说明进行操作，以确保您可以使用多年的电池充电器。访问www.exide.com了解有关Exide和我们的产品的更多信息。将充电器的电源线连接到插座。2。将红线连接到电池的正端子和黑线的正端子，并将其连接到负端子。3。选择电池尺寸（AH）和技术（AGM/凝胶或标准电池）的正确设置。另外，选择13.7V电源。4。当绿灯打开时，电池充满电。完整用户指南：1。阅读安全说明并遵循安全预防措施。2。将充电器的电源线连接到插座。充电器顶部的灯将打开。3。快速指南1。将红线连接到电池的正端子和黑线的正端子，并将其连接到负端子。####安全说明 *电池充电器应仅用于满足电池或设计为12 V的设备的电源。*电池充电时会发出爆炸性气体。因此，必须提供良好的通风，并避免遇到大型电池。####功能说明电池充电器是一种全自动充电器，用于用于高级电池的高级充电，尺寸在20至300 ah之间。充电器的安全功能可以通过充电更大的电池来断开电荷路线的连接，尤其是当它们大于360 AH时。####技术规格模型：外观12/15充电电流：≤1mA充电张力：13.7-15.5 VDC在25ºC充电电流最大值：15 ripel电压最大。：70 mv ####保修和负责费用外部技术对以下成本或其他费用不承担任何责任。充电器是全自动和程序MED，可用于铅酸电池的高级充电，其能力为20至300 AH。旨在限制过度充电的内置安全功能可能会中断较大电池的充电过程。注意：当电池充电高于推荐的电池尺寸或其他消耗电流（并行电荷）时，该警报可能会激活。电池充电至高温时会造成损坏。因此，充电器具有安全函数，当温度约为50°C时会中断电荷。维护/附件如果发生故障或电源线损坏，则必须由授权的外部中心修复。否则，充电器的保修将失去其有效性。如果电缆，连接器或外壳损坏，请勿使用充电器。技术规格模型：外部12/15外观12/15是带有处理器的主要受控开关模式充电器。输入电压：220-240VAC +/- 15％输入电流：≤1mA充电电压：13.7 - 15.5 vdc在25°C充电时充电当前：...保修注意：如果保修使用不正确或其他授权技术或其授权技术或其授权的分配器或其授权的分配器以外的设备或执行设备上的修复工作，则保修将是无效的。用户指南（在芬兰）12V铅酸电池20-300 AH ...感谢您选择外观技术产品。您的新充电器将帮助您保持电池充满电并延长其寿命。该充电器旨在易于使用，并具有最新的充电技术。仔细遵循安全说明和用户指南。遵循这些准则，您可以确保功能齐全的充电器，这将使您在未来多年中受益。将电源线连接到电源插座。2。将红色电缆连接到正端子（+），将黑色电缆连接到负端子（ - ）。3。选择正确的设置，电池尺寸（AH）和电池技术（AGM/凝胶或标准电池）。另外，选择13.7 V电源。4。当绿灯打开时，电池充满电。充电器可以使用...期待明天在会议上见到我们的策略。通过选择“ 13.7 V电源”的位置激活电源功能，该位置会产生13.7 V标准电压和最大第67页的干扰是通过固定的红灯指示灯点火表示的。当预订大于推荐的尺寸时，或者在预订期间将电力消费者（并行负载）连接到电池时，可能会激活此错误报告。电池在高温下被损坏；因此，出于安全原因，如果温度过高，累加器的功能会破坏预订（第68页）。可能的故障原因2：并行负载。如果设备连接到消耗电力的电池，则有可能在时间标准内建立的时间标准内，蓄能器的容量不足以保留电池为累加器保留电池。操作：如果可能的话，请断开并行负载并继续保留。可能的故障原因3：电池太大。电池大于建议的累加器，因此出于安全原因而无法完成预订...技术信息：模型：Exide 12/15 Exide 12/15是一个处理器控制的，主要连接的蓄能器。在线电压：220-240VAC +/- 15％负载功率（网络）：泄漏功率≤1mA储备电压：13.7-15.5 VDC在25°C预订电流：最大15浪潮：70 mV环境温度：-40 -...第82页útmutatónkat！cím：1134布达佩斯，罗伯特·卡洛利·克特（RóbertKárolyKt）。第70页Reklamoiniikeus raukeaa jos varaajaa onkäsiteltyvaromatto-masti tai sen on avannut taisitä上的korjannut taisitä上的korjannut joku joku muu kuin exid exid exid exid exid exid exid exid exid tai sen valtuutettetutettu edustu eDustu edustu eDustu eDustu。可能的原因（2）：并行负载 - 电动消费者仍连接到电池并消耗充电电流。存在充电器的容量不适合在预期时间加载电池的风险（出于安全原因）。解决方案：如果可能的话，外部设备或尝试将电池加载给更大的电源充电器。Div> page 79 Technical SPECIFICATIONS Model: Exid 12/15 * Input voltage: 220-240vac +/- 15% * Input current: not specified * Return current: ≤1MA * Load voltage: 13.7-15.5 VDC at 25ºC * Maintenance voltage: 13.7 VDC * Charting current: max 15 A * ON * ON *该设备，也没有打开或修理未经授权的分销商。外观技术对上述缺陷概不负责。我们拒绝对可能对其他设备的任何损坏的任何责任...RendeltessshHasználatEséténHosszú唤醒了ÁtélvezhetiakeszülékáltalNyújtottattalkesltalkisolgálószolgáltatást。atöltővel，VagyBármelyMásikexidetermékkelKapcsolatostovábbiInfmációértKerjük，福杜林吉恩·阿兹（Forduljon Az）exid exid Technologies exid Technologiesagyarországifióktelepepéhezalenentiiegeiknenegeikiknennnnnnnnnnneceiknnnnnecgekingkekkekkekkekkeking。59。第83页4。töltétFolyamatosSárgaFényJelzi，Ha a ledZöldreVált，Azakkumulátorfeltöltötttttttt。开始：1。具有温度均衡器充电器的外观技术是您的最佳选择。第86页充电器的说明外观技术全自动电池充电器旨在为20-300 AH铅酸电池充电。集成的安全功能可以防止过载，并可以通过尝试超过上述限制的电池来安装充电过程。尝试为累加器充电，但是充电器将自动化如果检测到任何问题，并用红色LED灯表示错误。注意：当充电超过推荐容量的电池时，或连接在充电过程中绘制电流（并行充电）的其他设备时，此警报可能是触发的。将充电器连接到电源插座。2。将充电器的红线连接到电池的正端子（+）和黑线的正端子，并连接电池的负端子（ - ）。功能描述：充电器是全自动的，并编程为用于高级电池的高级充电，其容量范围为20至300 AH。综合安全功能旨在防止过度充电，如有必要，在充电过程中中断。注意：如果有任何问题，充电器将自动停止充电并用红色LED灯指示错误。CAUSA 2：平行充电。操作：如果可能的话，请断开分层充电器并重新收取充电或购买更多规格的技术模型。在使用充电器之前，请务必阅读用户手册。如果吸收电流连接到电池的平行充电器，则有可能在充电器设定的时间限制内为安全原因为电池充电的风险。外观12/15是一种自动电池充电器，输入电压为220-240VAC +/- 15％。回报电流为≤1mA，电荷电流在25°C时为13.7-15.5 VDC，最大电荷电流为15a。保证：外部保证该产品是根据最高质量规格制造的，并根据最佳工业标准生产。如果该产品由于生产或分配而存在缺陷或存在缺陷，则将适用强制性保修规则。12V铅酸电池的用户手册从20到300AH ...结果掌握在您的手中：用户友好，高效的电池充电器。如果您遵循所有说明，则可以在未来几年内享受此产品。可以在www.exide.com上找到有关Exide和我们的产品的更多信息...使用说明：1。插入充电器。2。将电池的正（+）端子连接到红色夹具和负（ - ）端子与黑色夹具。3。选择所需的模式，容量（AH），技术（AGM/GEL/Standard）或电源模式（13.7V）。安全预防措施：•该充电器旨在为12V铅酸电池或12V设备的电源充电。不要将其用于其他目的！•如果损坏了充电器，电缆或夹具，请勿使用充电器。•... Prosessorstyring。2。spewiasoner：220-240VAC +/- 15％StrømInnreturstrøm≤1MALadespanning 13.7-15.5 VDC VID 25°C 25°C ladespanning supply 13.7 vdcladestrømmax15 rippel max70 mV omgivelseStemtature -40-20°C。romaszonsjonstentenopphørerhvis laderen er uforsiktighåndtert，Åpneteller reparert avarert avarert avarert avn exide avn exide exide技术eller en en auto pero pretorisert for denne for denne。外观技术påtarseg ikke noa ansvar for andre kostnader enn ovennevnte。用户手册：1。将整流器网络插头连接到套接字。将红色整流器电缆连接到正（+）电池杆，然后黑色为负（ - ）。3。选择适当的模式，容量（AH）和电池类型（AGM/凝胶或标准）或13.7 V电源所选模式的绿色照明意味着全电池充电。开始：1。将整流器网络插头连接到套接字。2。将红色整流器电缆连接到正（+）电池杆，然后黑色为负（ - ）。3。选择适当的模式，容量（AH）和电池类型（AGM/凝胶或标准）或13.7 V电源所选模式的绿色照明意味着全电池充电。用户手册：1。阅读警告并使用建议的安全措施。2。将整流器网络插头连接到套接字。直接珀前灯会照亮。3。可能的原因2：并行负载。verificado y aprobado por Intertek semko。将红色整流器电缆连接到正（+）电池杆，然后黑色为负（ - ）。正确连接了红色的整流器黄色二极管（以13.7 V电源模式工作时的绿色）。在电池附件时，出于安全原因，整流器性能可能不允许您在编程过程中为电池充电。尺寸：[插入dimensibs] **declaraciówdel Productor ** la empressa Exide Technologies，Con Syde EnKungälv，Sutecia，Y Prime Powers Adecuados。** condicionesdeGaantía** la nofackotaciónIndbida，apertura o reparo por党党没有授权pueden pueden pueden pueden pueden puden opperocar lapérdididadegarantía。esta eslaúnicaGarantíaque ofrece。** Carga delBattería12V** El Nuevo Cargador Exide TechnologiespluseráMantenersiempre siempre subateríacargada y ronegargar s suvidaútil。este cargador fuediseñadoparaserfácilde usar yestáequipado contecnologíasde carga pocientes。** uSO uso **1。Conecte el Caragador a una tomaeléctrica。2。Conecte la Garra del Cable Rojo Al终端potitivo delaBatería（+）y la garra del Cable Negro al terminal and terminal negativo de labatería（ - ）。3。**Guíadel Usario **（Lea Las instrucciones antes de fiturizar。）仅授权用户。外观技术对上述使用的技术不承担任何责任，也不负责。不负责任何保证的外观技术...第143页使用1。使用铅酸电池的指南12 V / 20-300 AH ... < / div>第142页包含该领域的最新创新。 div>与附件一起阅读操作说明。 div>如果您尊重说明，您将拥有一个高性能的电池，可以帮助您多年。 div>有关Exide和我们的产品的更多信息，请访问：www.exide.com，提示，外观技术... div>将电池连接到电网。 div>2。 div>将红色电缆连接到正端子（+），将黑色电缆连接到负端子（ - ）。 div>3。 div>选择正确的电池尺寸（AH），技术和操作模式。 div>4。 div>当绿色LED亮起时，电池充满电。 div>Batareia 12V 20-300 ACH来自外部技术IMES Premiole Services和Vobral Samye Peredovye Charlologists。 div>您需要与阐释管理领导层进行标记，这将处置持续时间和有效的阐述。 div>1。 div>预览预测和沉积无害性的推荐措施。 div>2。 div>连接露水的摇篮结构的集合。 div>控制最终确定前部的控制瞥见。 div>3。 div>选择必要的模式（敌人，累加器AGM /凝胶Libo标准），狭窄已知。 div>外观技术保证设备符合要求。 div>由Intertek Semko检查并批准。 div>未经授权的人的使用，拆卸或维修将导致保修损失。 div>将充电器的电源线连接到墙壁插座。 div>外观技术对任何间接潜在损害（损失的收入）概不负责。此保修是外观技术的唯一保证义务。当您收到功能齐全的充电器时，该充电器将在未来的许多年中提供可观的好处。有关Exide和我们的产品的更多信息，请访问www.exide.com。最好的问候，外观技术... **安装指南** 1。2。将红色电缆连接到电池的正端子和黑色电缆的正端子上。3。选择电池类型（AGM/凝胶或标准），AH评级和技术的正确设置。4。一旦绿灯出现在选定的设置上，电池就会充满电。**用户指令**1。阅读安全说明并遵循概述的预防措施。2。将充电器的电源线连接到墙壁插座。前灯点亮。3。将红色电缆连接到电池的正端子和黑色电缆的正端子上。黄色LED（绿色的13.7 V供应）闪烁大约3秒钟。**安全预防措施**•除了为12V铅酸电池或为12V设备供电以外，请勿将充电器用于其他目的。•如果电缆，端子或套管受到任何损坏，请勿使用充电器。•电池在充电过程中发出爆炸性气体。因此，确保通风良好，避免了电池附近的火花和敞开的火焰。外观技术也没有任何其他保证陈述的约束。**功能描述**充电器是完全自动的，并且可以通过20至300 AH的能力进行高级铅酸电池充电。内置的安全功能可以在充电较大的电池时中断充电过程，尤其是那些大约360 AH的电池。**预防错误**为了降低电池过度充电的风险，充电器配备了中断功能，该功能会破坏充电过程，同时通过红色LED灯指示错误。**注意**：此警告可能在电池高于推荐的电池尺寸的电池时激活，或者在充电过程中连接到耗电设备（平行负载）时。**技术规格**模型：外部12/15 Exide 12/15是具有处理器控制的主要开关充电器。输入电压：220-240VAC±15％返回电压≤1mA充电电压：13.7-15.5在25°C（77°F）电源电压下：13.7 VDC最大电流：15波板电压：15波板电压：最大70 mv操作温度：**重要的通知：**重要的通知**其他范围或其他符合符号或其他范围。外观技术对超出提到的费用（即没有随后的费用）不承担任何责任。**用法指南** 12V铅酸电池20-300 AH ... Exide Technologies邀请您访问：www.exide.com ** Pag 173：安装**1。将主电源电缆连接到电气系统。2。将充电器的红线连接到电池的正端子（+）和黑线的正端子（+）与负端子（ - ）。3。** Pag 174：使用指令**1。2。3。设置正确的模式，电池容量（AH）和技术（AGM/凝胶或标准）。阅读安全指南并接受规定的预防措施。将主电源电缆连接到电气系统。充电器前面板上的灯照亮了。将充电器的红线连接到电池的正端子（+）和黑线的正端子（+）与负端子（ - ）。**安全指南**•除了为12 V铅酸电池或为12 V设备供电外，请勿将充电器用于任何其他目的。•如果电线，端子或外壳损坏，请勿使用充电器。•带电的电池释放爆炸性气体。因此，请勿在某些情况下使用它们。**Technical Specifications** Model: EXIDE 12/15 Input Voltage: 220-240VAC +/-15% Input Current: ≤1mA Charging Voltage: 13,7 – 15,5 VDC at 25ºC Charging Current: Max 15 A Voltage Ripple: Max 70 mV Ambient Temperature: -40 –... **Warranty** The warranty does not apply to situations where the product failure was caused by除外部技术或其授权代表以外的其他人使用或开放/维修不当。外观技术对超过上述指定的任何额外费用不承担任何责任，即，不可能进一步增加后续费用。**使用的提示**1。将充电器与电气系统断开连接。2。将充电器的红线连接到电池的正端子（+）和黑线的正端子（+）与负端子（ - ）。3。选择正确的电池类型和技术（AH）和型号（AGM/凝胶或标准电池）或13.7V电池。**安全说明**1。使用前请阅读安全指南。2。将充电电缆连接到充电器。3。将充电器的红线连接到正末端（+）和黑线与负端子（ - ）。4。如果充电器正确连接，则绿灯将闪烁3秒钟。**安全警告***该充电器旨在为12V铅酸电池充电和12V设备供电。*请勿将充电器用于其他目的。*如果电缆，连接器或外壳损坏，请勿使用充电器。*电池在充电过程中可能会产生爆炸性气体。确保在通风良好的区域内进行充电，并远离开火。**充电器功能**充电器是自动的，并且已编程为在20至300AH之间提高电荷铅酸电池。**警告**如果电池容量超过建议的尺寸或在充电时连接到另一个设备时，警报可能会发出警报。Page 187 **技术规格**模型：12/15输入电压：220-240 vac +/- 15％输出电流当前：≤1mA输出电压：13.7 - 15.5 VDC在25°C输出功率下输出功率：最大15A电压法规：...或他们的授权代表。
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电气溶胶喷射印刷封装：A
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装：线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗：关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究，以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo；Tabiera, Michael Tabiera；Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计，适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I；Kuo, Hung-Chun；Jhong, Ming-Fong；Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian；Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong；Bauer, Robert；Rau, Ingolf；Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer；Gierth, Karl Felix Wendelin；Meier, Karsten；Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层：综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型，用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙；李振松；苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递（UCIe）的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩（1,2）；甘汉臣（1,2）；周云燕（1）；雷波（1）；宋刚（1）；王启东（1） 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层（TSI）电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁；刘丹尼尔；蔡鸿明；李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司，鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装（FOPLP）中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战：材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas；安肯布兰德，马库斯；徐雷；弗罗利希，扬；阮香江； Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1)； Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装（SiP）应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司（苏州）有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火（FLA）方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所（IME） SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎，Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术（FLAT） 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar； Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑，博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板：一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin，Muhammad Ashraf； onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心，公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发：RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康；蔡礼乐；徐迅；帕瓦拉曼普里特；王杰；张理查德；符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1)；张理查德 (1)；林明强 (2)；张斯忠 (2)；杨旭蕾 (1)； Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装，用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架，用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆；刘军；曹帅；Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性：远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划：一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv；Hegedüs, János；Lipák, Gyula；Németh, Márton；Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung；Kim, Seoah； Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh；Venkataraman, Nandini；Tseng, Ya-Ching；陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1)；袁卡德摩斯 (2)；蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju；Dutta, Rahul；Cheemalamarri, Hemanth Kumar； Vasarla Nagendra，Sekhar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun；Kim, Dahee；Choi, Jaeyoung；Park, Wooseok；Choi, Younchan；Lee, Jeongho；Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue；Lau, Boon Long；Chia, Lai Yee；Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所（IME） SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化，以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金；吉伦，伯特；塔克，克拉斯；萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中，在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US
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为什么加拿大制造的Laribee吉他好？ Laribee吉他于1968年在加拿大多伦多开始制造，并于1977年搬到加拿大环太平洋沿岸的不列颠哥伦比亚省维多利亚，创造了我们独特的吉他。声音使用来自高森林的优质云杉和雪松。 当它于 20 世纪 70 年代末传入日本时，其高品质令人惊叹，并获得了想要像 Martin 和 Gibson 那样细腻声音的用户的支持。精美的镶嵌作品是Larrivee吉他的特色之一，是由Gene Larrivee的妻子Wendy创作的。今天十年级的情况仍然如此。 20 世纪 70 年代末，包括他的妻子 Wendy 在内的 8 名工匠每月生产约 30 瓶葡萄酒。 这一时期的吉他据说是Laribee的黄金时代，抵达日本的少数10级吉他售价超过了Martin的D-45。我想可以说，这为Somogi这样的手工吉他今天被日本乐迷所接受奠定了基础。 除了产品的质量和声音的质量之外，还应该考虑民族主义的方面。虽然他们的销量不如Martin和Gibson，但他们很早就在努力表达自己的加拿大特色，并且一直讲究在加拿大生产产品。他们融入了当时不符合美国时尚的东西，例如“木质装订”、“制作精美的玫瑰花饰”、“透明护板”和“具有欧洲文艺复兴风格的镶嵌设计”。这种叛逆精神吸引了那些厌倦了美国文化消极方面（例如越南战争和全球化）的人们。有一个轶事，在吉他发展的早期，一位美国自由主义音乐家在听到有关Laribee吉他的谣言后，在多伦多的街道上徘徊，寻找一把Laribee吉他。 2001 年 9 月，Larrivee 搬迁至加利福尼亚州的一家新工厂，以进一步扩张。由于美国市场是他们最大的客户，该公司自然希望降低出口成本。然而，这让粉丝们非常失望，他们认为这是一把值得骄傲的加拿大吉他，而不是前面提到的美国吉他，这一事实是有意义的。日本粉丝也是如此。如果您想要一把来自美国西海岸的吉他，泰勒吉他就足够了。未能立即提高加州工厂的质量也增加了现有粉丝的失望。 目前，创始人吉恩·拉里维（Gene Larrivee）、他的妻子温迪（Wendy）、次子马修（Matthew）和女儿克里斯汀（Christine）在加利福尼亚州的一家工厂工作。长子吉恩·拉里维 (Gene Larrivee Jr.) 负责加拿大温哥华的工厂。独自留在加拿大的他对于在工厂度过的时光有何感想？ 我无从了解他个人的挣扎，但他回应了我的评论“加拿大制造的10级吉他很好”，并为《LAST GUITAR》的开场制作了一把吉他，我不禁认为有。这不仅仅是简单地接受请求。熟练的工匠在一条单独的生产线上工作。 是的，我想他想证明这一点。自豪地在加拿大制造。第一批已经到了。使用温迪的镶嵌物，图案为留在加拿大的阿拉丁和神灯精灵，以及 AAA 级核心。
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