[2] Aibin Yu、C. S. Premachandran、R. Nagarajan、C. W. Kyoung、Lam Quynh Trang、R. Kumar、Li Shiah Lim、J. H. Han、Yap Guan Jie 和 P. Damaruganath,“MEMS 谐振器晶圆级真空封装的设计、工艺集成和特性”,电子元件和技术会议 (ECTC),2010 年第 60 届论文集,2010 年,第 1669-1673 页。1669-1673。
[2] Aibin Yu、C. S. Premachandran、R. Nagarajan、C. W. Kyoung、Lam Quynh Trang、R. Kumar、Li Shiah Lim、J. H. Han、Yap Guan Jie 和 P. Damaruganath,“MEMS 谐振器晶圆级真空封装的设计、工艺集成和特性”,电子元件和技术会议 (ECTC),2010 年第 60 届论文集,2010 年,第 1669-1673 页。1669-1673。
日本)、博士小竹秀明先生(日本NICT)狩野久芳 (Hisayoshi Kano) 先生 (日本 NTT) Yoshimi Fujii(日本耕造计划工業株式会社),Yoshimi Fujii 教授(日本耕造计划工業株式会社); Minoru Okada(日本奈良先端科学技术大学院大学)博士Sang-il Ahn 教授(韩国航天航空研究院,韩国) Ji-Hwan Choi(韩国科学技术研究院),教授Sungtek Kahng(韩国仁川国立大学),教授Sooyoung Kim(韩国全北国立大学)先生宋成灿(Sung Chan Song)(韩国韩华系统公司) Do-Kyoung Kim (LIGNex1,韩国)先生Jong-Jin Jang 博士(韩国 KAI) Dong-Pil Chang 博士(韩国 ETRI) Kyoung Youl Park(ADD,韩国),教授Wonjae Shin (韩国高丽大学) 提交至:
作者感谢 Aaron Betz、Alice Burns、Yiqun Gloria Chen、Xinzhe Cheng、Carrie H. Colla、Devrim Demirel、Mark Doms、Noelia Duchovny、Justin Falk、Edward Harris、Grace Hwang、John Kitchen、Jeffrey Kling、Mark Lasky、Scott Laughery、Junghoon Lee、Kyoung Mook Lim、Jared Maeda (原 CBO 成员)、Sarah Masi、John McClelland、Eamon Molloy、Xiaotong Niu、Daria Pelech、Kerk Phillips、Joseph Rosenberg、Molly Saunders-Scott、John Seliski、Julie Topoleski、Jeffrey Werling 和 Chapin White 以及联合税收委员会的工作人员提出的有益评论和建议。此外,作者还要感谢城市研究所的 Melissa Favreault、陶森大学的 Juergen Jung 和宾大沃顿预算模型的 Felix Reichling 提出的有益评论。虽然这些专家提供了很大帮助,但他们对本文的内容不负任何责任。Rebecca Lanning 是编辑。
Tae-Han Kim 1,*,In-Ho Kim 2,*,Seung Joo Kang 3,*,Miyoung Choi 4,Baek-Hui Kim 5,Bang Wool EOM 6,Bum Jun Kim 7,Byung-Hoon Min 8,Chang in Choi 2,Choi 2,Tae Min Gong 1,Cheol Min Gong 10 N Kim Jong 1 14 IM 17,Hye Seong Ahn 18,Hyun Lim 19,Hyung-Don Kim 20,Jae-Joon 2公园2 Yu赢得2,2 WA Hoon Kim 25,Kyoung Doo Song 26,Minkyu Jung 27,Mi Ran Jung 28 Yun6 Yoo Min Kim 37,Yoonjin Kwak 38,Young Suk Park 39,Hye Sook Han 40,†,Su Youn Nam 41,†,Seong-Ho Kong 42,†,并代表开发工作组的韩国实践tacetric 2指南Korean gactice 2 GuideLines 2 Guiendines 2指南
作者的完整清单:洪,库塔克;首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所;劳伦斯·伯克利国家实验室,化学科学系权,Ki Chang;首尔国立大学材料科学与工程系,高级材料研究所Choi,Kyoung;韩国基础科学研究所,国家研究设施和设备中心(NFEC)LE,Quyet; Duy Tan University,Duy Tan University,Duy Tan University,DU NANG 550000,越南; Kim,Seung Ju;首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所,汉苏;首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所SUH,Jun Min;首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所Kim,Soo Young;韩国大学 - 卡罗来林的Anam校园,材料科学与工程萨特弗拉;劳伦斯·伯克利国家实验室(Jang,Ho Won);首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所
Dong-Ho Lee 1 , Hwan-Seok Jeong 1 , Yeong-Gil Kim 1 , Myeong-Ho Kim 2 , Kyoung Seok Son 2 , Jun Hyung Lim 2 , Sang-Hun Song 1,* , and Hyuck-In Kwon 1,* Abstract —In this study, a quantitative analysis was conducted on the effects of channel width on electrical performance degradation induced by self-heating stress (SHS) in顶门自我对准的共蓝淀粉锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFTS)。从SHS之前和之后获得的转移和电容 - 电压曲线,我们透露,TFT的电性能沿通道长度方向不均匀地降解,并且该降解的程度在具有较宽通道宽度的TFT中更为显着。在制成的Igzo TFT中,SHS下的阈值电压偏移(δVTh)主要归因于Igzo活性区域的浅供体状态的密度和受体样的深状态的增加,并且电子陷入了Sio X Gate Patectric中的快速和慢速陷阱。此外,我们使用基于状态δVTh Th Th的TFTs的TFTS的子仪密度来进行SHS诱导的δv Th起源于每个降解机制。尽管每种降解机制的每一个δv th都随着通道宽度的增加而增加,但增加了电子捕获到Sio X Gate中的慢陷阱
1. Stritzke S、Jain P。发展中国家分散式可再生能源项目的可持续性:向赞比亚学习的经验教训。能源。2021;2. Faunce TA、Prest J、Su D、Hearne SJ、Iacopi F。用于大规模储能的并网电池:政策和技术面临的挑战和机遇。MRS 能源与可持续性。2018。3. Favour Oluwadamilare Usman、Emmanuel Chigozie Ani、Wisdom Ebirim、Danny Jose Portillo Montero、Kehinde Andrew Olu-lawal、Nwakamma Ninduwezuor-Ehiobu。将可再生能源解决方案融入制造业:挑战与机遇:回顾。Eng Sci Technol J。2024; 4. Ravi Kumar K、Krishna Chaitanya NVV、Sendhil Kumar N。太阳能热能技术及其在工艺加热和发电中的应用——综述。清洁生产杂志。2021 年。5. Srinivasan V.(受邀)车辆和电网应用电池的现状和未来研发需求。ECS Meet Abstr。2018 年;6. Shukla PC、Belgiorno G、Di Blasio G、Agarwal AK。可持续交通可再生燃料简介。能源、环境可持续发展。2023 年;7. Bonou A、Laurent A、Olsen SI。陆上和海上风能的生命周期评估——从理论到应用。应用能源。2016 年;8. Shin Hyun Kyoung。浮动海上风能:下一代风能。风能杂志。 2019。9. Oosthuizen AM、Inglesi-Lotz R、Thopil GA。可再生能源与零售电价之间的关系:来自 OECD 国家的面板证据。能源。2022;10. Obaideen K、Olabi AG、Al Swailmeen Y、Shehata N、Abdelkareem MA、Alami AH 等人。太阳能:应用、趋势分析、文献计量分析和对可持续发展目标 (SDG) 的研究贡献。可持续性 (瑞士)。2023。