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信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路
Alma Mater Studiorum 博洛尼亚大学档案馆......
2 意法半导体技术研发部，意大利阿格拉泰布里安扎 摘要 — 热载流子应力引起的性能退化是功率 LDMOS 晶体管可靠性的关键问题。对于 p 沟道 LDMOS 来说更是如此，因为与 n 沟道 LDMOS 不同，多数载流子和少数载流子都对器件可靠性起着根本性的作用。本文深入研究了新一代 BCD 集成 p 沟道 LDMOS 中热载流子应力引起的微观机制。彻底分析了竞争电子和空穴捕获机制对导通电阻漂移的影响。为此，据我们所知，我们首次使用了包括玻尔兹曼传输方程的确定性解和微观性能退化机制在内的 TCAD 模拟。对性能退化源和动态的深入了解将为未来的器件优化提供相关基础。
中等功率段的风冷发射机
新型风冷 R&S ® NH/NV8200 发射机系列（图 1）专为所有模拟电视标准（B/G、D/K、M/N、I、SECAM、PAL、NTSC）以及所有数字电视标准（DVB-T、DVB-H、ATSC 等）而设计。放大器中的 LDMOS 晶体管可确保高输出功率，同时仅占用最小的空间。与往常一样，所有组件在 UHF 频段 IV/V（470 MHz 至 862 MHz）内都是全宽带的，适用于模拟和数字电视，没有任何限制。一项特殊的创新是最先进的电视激励器 R&S ® Sx800，它仅占用一个高度单位。
EoI-SCL 现代化.pdf
“抗辐射”技术用于太空应用设备，在全球范围内备受追捧。SCL 还开展了多项技术开发计划，例如用于高频/性能的 Si-Ge 技术、用于高压的 LDMOS 技术、扩大光电设备技术以进入红外成像、可见光和热图像传感器等新领域、用于太空硬件和其他类似应用的 CMOS-MEMS 集成和先进传感器。SCL 目前还在为 HEMT 设备引进 GaN-on-Si 技术，从而增强 SCL 的高功率/电压应用产品组合。可参阅 SCL 官方网站 (www.scl.gov.in) 查看包含前几财年运营、组织和财务详情的年度报告。
通过器件结构设计提高Si-GaN单片异质集成共源共栅场效应晶体管的击穿电压
摘要 — 本工作研究了影响采用转移印刷法制备的Si-GaN单片异质集成Casccode FET击穿电压的因素。这两个因素是Si器件的雪崩击穿电阻和SiN电隔离层的厚度。设计了Si MOSFET和Si横向扩散MOSFET（LDMOSFET）两种器件结构，研究了Si器件的雪崩击穿电阻对Cascode FET击穿特性的影响。分析了SiN电隔离层厚度的影响。最后，单片集成Cascode FET的击穿电压达到了770 V。索引术语 — 单片异质集成；Cascode FET；击穿电压；LDMOS；极化电荷。
具有三种模式的高效降压 - 升压转换器...
本文旨在详细研究非反相降压-升压转换器的评估和特性。为了改善降压-升压转换器在三种工作模式下的行为，我们提出了一种基于峰值电流控制的架构。使用三模式选择电路和软启动电路，该转换器能够扩大功率转换效率并减少反馈回路的浪涌电流。建议的转换器设计为以可变输出电压运行。此外，我们使用导通电阻低的 LDMOS 晶体管，这适用于 HV 应用。结果表明，与其他架构相比，所提出的降压 - 升压转换器的性能更完美，并且它使用 0.18 µ m CMOS TSMC 技术成功实现，输出电压调节为 12 V，输入电压范围为 4-20 V。在负载电流为 4 A 时，降压、升压和降压-升压三种工作模式的功率转换效率分别为 97.6%、96.3% 和 95.5%。
AN1294 应用说明
在过去的 10 年中，随着电子组件尺寸的减小和可靠性的提高，对各种必须进行表面贴装的元件的需求全面增加。PowerSO-10RF 不仅仅是一种新封装，它还是一种用于射频功率应用的小外形塑料封装的新概念。在此类应用中，对表面贴装 (SMD) 封装的需求很大，但到目前为止，可用的双极技术还不允许这样做。这种新型射频塑料封装的主要优点是出色的热性能、高功率能力、高功率密度和适用于所有回流焊接方法。本应用说明将表明，PowerSO-10RF 是意法半导体最近推出的新型射频功率 LDMOS 产品的完美解决方案。
功率并不总是与尺寸有关 - 罗德与施瓦茨
基于 LDMOS 功率晶体管的可靠 Rohde&Schwarz 放大器设计在 Rohde&Schwarz 的所有 UHF 放大器中均有使用。R&S®VH60xxA 放大器有多种版本。1 W、5 W、50 W 和 100 W 的模块可用于 DVB-T/-H。15 W、30 W、70 W 或 130 W 的功率水平可用于 ATSC。通过组合 R&S®SV8000 UHF 低功率发射机系列的四种放大器版本，可以在 470 MHz 至 86 MHz 的频率范围内实现输出功率水平从 5 W 到 400 W (rms) 的配置。每个放大器都有自己的电源和冷却系统。保护电路监控各个模块中的温度和 VSWR。带有两个、三个或四个耦合器的系统允许您设置冗余系统 - 即使在低功率水平下也是如此。
分裂栅极 n 沟道 STI-LDMOS 晶体管中热载流子应力退化的 TCAD 模拟
本文报道了对具有 STI 结构的硅基分裂栅 n 沟道 LDMOS 晶体管中热载流子引起的退化机制的联合实验和模拟分析。在这种情况下，电子可以获得足够的动能来在硅/氧化物界面处产生带电陷阱，从而引起器件退化并导致器件电参数发生变化。特别地，已经通过实验在室温下表征了线性状态下的导通电阻退化。通过使用旨在重现退化动力学的物理模型，在 TCAD 模拟框架内重现了热载流子退化。研究了不同应力条件下的电子分布函数及其对分裂栅偏压的依赖性，从而定量了解了热电子在被测器件热载流子退化机制中所起的作用。