XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemLDOS
BQ25190 I2C 控制 1 节电池、1A、线性电池充电器...
• 集成 1A 电源路径线性电池充电器 – 输入电压工作范围为 3.0V 至 18.0V – 输入电压最高可耐受 25V – 可配置电池调节电压，精度为 ±0.5%，范围为 3.5V 至 4.65V，步长为 10mV – 5mA 至 1A 可配置快速充电电流 – 55mΩ BATFET 导通电阻 – 高达 2.5A 的放电电流，可支持高系统负载 – 完全可编程的 JEITA 配置文件，可在整个温度下安全充电 • 用于为系统供电和为电池充电的电源路径管理 – 除电池电压跟踪和输入直通选项外，调节系统电压范围为 4.4V 至 4.9V – 可配置的输入电流限制 – 动态电源路径管理可优化弱适配器的充电 – 可选择适配器或电池为系统供电 – 先进的系统复位机制 • 超低静态电流模式 – 电池模式下电池静态电流为 2μA – 运输模式下电池静态电流为 15nA •集成降压转换器，具有 I 2 C 和 GPIO 可编程 DVS 输出 – 系统静态电流为 0.36μA – 输出电压为 0.4V 至 1.575V，步长为 12.5mV 或输出电压为 0.4V 至 3.6V，步长为 25mV/50mV – 输出电流高达 600mA • 集成降压-升压转换器，具有 I 2 C 可编程 DVS 输出 – 系统静态电流为 0.1μA – 输出电压为 1.7V 至 5.2V，步长为 50mV – V SYS ≥ 3.0V、V BBOUT = 3.3V 时输出电流高达 600mA • 集成 I 2 C 可编程 LDO（LDO1 和 LDO2） – 静态电流为 25nA – 输出电压为 0.8V 至 3.6V，步长为 50mV – 输出电流高达 200mA – LDO1 可在运输模式下保持开启– 可配置 LDO 或旁路模式 – 专用输入引脚 • 集成故障保护以确保安全 – 输入电流限制和过压保护
MoS2 原子片中单缺陷忆阻器的观察
非挥发性电阻开关，也称为忆阻器 1 效应，即电场改变双端器件的电阻状态，已成为高密度信息存储、计算和可重构系统 2 – 9 开发中的一个重要概念。过去十年，非挥发性电阻开关材料（如金属氧化物和固体电解质）取得了实质性进展。长期以来，人们认为漏电流会阻止在纳米薄绝缘层中观察到这种现象。然而，最近在过渡金属二硫属化物 10, 11 和六方氮化硼 12 夹层结构（也称为原子阻断器）的二维单分子层中发现的非挥发性电阻开关推翻了这种观点，并由于尺寸缩放的好处增加了一个新的材料维度 10, 13。我们在此以单层 MoS 2 为模型系统，阐明了原子片中切换机制的起源。原子成像和光谱表明，金属取代硫空位会导致电阻发生非挥发性变化，这得到了缺陷结构和电子状态计算研究的证实。这些发现提供了对非挥发性切换的原子理解，并开辟了精确缺陷工程的新方向，精确到单个缺陷，朝着实现最小的忆阻器的方向发展，以应用于超密集存储器、神经形态计算和射频通信系统 2、3、11。通过结合扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱 (STM/STS) 和局部传输研究，我们观察到硫空位（MoS 2 单层中的主要缺陷）在其天然形式下不起低电阻路径的作用，这与金属氧化物存储器中氧空位的影响形成鲜明对比。 然而，从底部或顶部电极迁移的金属离子（例如金离子）可以取代硫空位，产生导电的局部态密度 (LDOS)，从而驱动原子片进入低阻状态。 在反向电场下去除金原子后，缺陷恢复其初始空位结构，系统返回到高阻状态。 这种导电点切换机制类似于在原子级上形成导电桥存储器 14。然而，它本质上是不同的，也是独一无二的，因为单个金属离子填充了晶格中的单个空位，而不是通过高度无序的材料形成金属桥。我们发现硫空位在 2 纳米间距处稳定，导致忆阻器密度约为每 1 个单位
魔角石墨烯中多体波函数的量子纹理
方法样品制备使用“撕扯和堆叠”方法制造器件。用聚乙烯醇（PVA）拾取石墨烯和hBN。然后，将异质结构翻转到由甲基丙烯酸甲酯共聚物（Elvacite 2550/透明胶带/Sylgard 184）组成的中间结构上，并转移到具有 Ti/Au 电极的预先图案化的 SiO 2/Si 芯片上。将残留聚合物溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮、二氯甲烷、水、丙酮和异丙醇中。我们进一步使用AFM尖端清洁和高温形成气体退火程序清洁样品表面。最后，将器件在170°C的超高真空中退火12小时，并在400°C下退火2小时，然后将其转移到STM中。 STM 测量 STM/STS 测量是在自制的稀释制冷机 STM 上进行的，其钨尖端在 Cu(111) 表面上制备。MATBG 的载流子密度由施加到简并掺杂 Si 的栅极电压 V g 和通过 Au/Ti 电极施加到 MATBG 的样品电压 V s 控制。dI/dV 是通过锁定检测由添加到 V s 的交流调制 V rms 引起的交流隧道电流来测量的。测量是在样品偏置电压 V s 接近零的情况下进行的，以避免由于 K 点或 M 点声子 43 引起的非弹性隧穿。序参数分解有关此过程的完整详细信息和说明，我们请读者参阅 SI。简而言之，大型低偏置 STM 图像被分割成较小的 0.25 - 1 nm 2 子区域。每个子区域都相对于每个子区域的中心进行傅里叶变换。我们对 FFT 峰值应用位置相关的相位因子，以强制跨子区域保持一致的原点。在 IVC 波矢处获得的每个局部 FFT 的三个独立复值分解为三个复 IVC 序参数（“IVC 键”、“IVC 位点 A”和“IVC 位点 B”），它们对应于 C 3 点群的三个不可约表示 {(1, 1, 1)、(1, ω, ω 2) 和 (1, ω 2 , ω)，其中 ω ≡ e 2πi/3 }。根据构造，如果 LDOS 是莫尔周期的，则这些序参数也是莫尔周期的。参考文献：1. Cao, Y. 等人。魔角石墨烯半填充时相关绝缘体的行为
Profirescu Ovidiu George - 欧洲通行证 CV
主要活动和职责 以下学科的研讨会和实验室教学活动：电子器件、基础电子电路、微电子软件工具、计算机辅助设计技术 集成电路领域的研究活动： 1. I. Cimpian、OG Profirescu、A. Ungureanu、F. Babarada、E. Lakatos、C. Amza、MOSFET 模拟-TCAD 工具/包、CAS 2003 国际半导体会议论文集、Vol. 2，页235-238，10月2003； 2. F. Babarada、E. Lakatos、MD Profirescu、C. Amza、E. Manea、N. Dumbravescu 和 OG Profirescu，MOSFET 工艺优化和特性提取，CAS 2004 年国际半导体会议论文集，第 3 卷。 2，页319-322，10月2004； 3. OG Profirescu、F. Babarada、MD Profirescu、C. Ravariu、E. Manea、N. Dumbravescu、C. Dunare 和U. Dumitru，《MOSFET 电导建模（包括失真分析方面）》，CAS 2005 国际半导体会议论文集，第 3 卷。 2，页439-442, 2005； 4. F. Babarada，MD Profirescu，C. Ravariu，A. Rusu，OG Profirescu，E. Manea，C. Dunare，《MOSFET 失真分析建模》，ICMNT'06，阿尔及利亚，2006 年； 5. F. Babarada, C. Maxim, C. Ravariu, I. Campian, OG Profirescu, MD Profirescu, E. Manea, N. Dumbravescu 和 C. Dunare, 微电子交互式远程学习, ICL'06, 菲拉赫 - 奥地利, 2006 年; 6. F. Babarada、MD Profirescu、C. Ravariu、OG Profirescu、E. Manea、N. Dumbravescu、C. Dunare 和V. Dumitru，《MOSFET 建模（包括失真分析的二阶效应）》，ASM 06，Rhodes-Greece，2006 年； 7. C. Amza、I Cimpian、MD Profirescu、OG Profirescu，《伪晶 HEMT 结构的集合蒙特卡罗模拟》，《CAS 2007 国际半导体会议论文集》，锡纳亚 - 罗马尼亚，第 15 卷。 2，页419-422, 2007； 8. V. Moleavin、MD Profirescu、OG Profirescu，《数字 IC 的电热仿真环境》，《CAS 2007 国际半导体会议论文集》，罗马尼亚锡纳亚，第 15 卷。 2，页493-496, 2007； 9. OG Profirescu、C. Dinca、C. Stanescu，《CMOS LDO 中的噪声》，CAS 2007 国际半导体会议论文集，IEEE 目录号。 07TH8934，页563-566，十月2007； 10. V.Moleavin、OG Profirescu、MD Profirescu，《数字集成电路的功能热模拟模型》，罗马尼亚科学院院刊，A 系列，第 15 卷。 9号1，页69-74, 2008；
合理价格增长策略，第 7 系列（“GARP”）
股票代码 证券权重 股票代码 证券权重 通信服务 10.96% 能源 2.66% GOOGL Alphabet Inc. 4.01 COP 康菲石油公司 1.73 CHTR Charter Communications, Inc. 1.08 PXD 先锋自然资源公司 0.93 CMCSA 康卡斯特公司 2.29 工业 9.71% META Meta Platforms Inc. 3.58 CTAS 辛塔斯公司 1.48 非必需消费品 8.57% DE 迪尔公司 1.16 DHI D.R.Horton, Inc. 0.91 FDX 联邦快递公司 0.63 F 福特汽车公司 0.96 LDOS Leidos Holdings, Inc. 0.65 HD 家得宝公司 2.85 LMT 洛克希德马丁公司 0.58 ORLY O'Reilly Automotive, Inc. 1.18 NOC 诺斯罗普·格鲁曼公司 0.79 ROST Ross Stores, Inc. 1.32 ODFL Old Dominion Freight Line, Inc. 0.99 TSCO 拖拉机供应公司 0.74 PH 派克汉尼汾公司 1.55 ULTA Ulta Beauty Inc. 0.61 SNA Snap-on Incorporated 0.83 消费品 8.66% GWW W.W. Grainger, Inc. 1.05 CHD Church & Dwight Co., Inc. 1.13 信息技术 24.48% COST Costco Wholesale Corporation 2.83 ADBE Adobe Inc. 3.98 GIS General Mills, Inc. 0.98 AVGO Broadcom Inc. 3.18 HSY Hershey Corporation 0.88 CDW CDW Corporation 1.11 PG Procter & Gamble Company 2.84 IT Gartner, Inc. 1.30 金融 16.70% KLAC KLA Corporation 1.87 AMP Ameriprise Financial, Inc. 1.43 LRCX Lam Research Corporation 2.21 COF Capital One Financial Corp. 0.70 MCHP Microchip Technology Inc. 2.08 GS Goldman Sachs Group, Inc. 1.77 NXPI NXP Semiconductors NV 1.78 ICE Intercontinental Exchange, Inc. 1.40 ORCL 甲骨文公司 2.97 JPM 摩根大通 2.37 QRVO Qorvo, Inc. 1.06 MMC 达信公司 2.35 QCOM 高通公司 1.58 NDAQ 纳斯达克公司 0.79 STX 希捷科技控股有限公司 1.36 RJF 雷蒙詹姆斯金融公司 1.03 材料 1.73% TROW 普信集团 1.08 CE 塞拉尼斯公司 1.07 V 维萨公司 3.78 FCX 自由港麦克莫兰公司 0.66 医疗保健 10.41% 房地产 3.80% ABBV 艾伯维公司 1.18 CBRE 世邦魏理仕集团 0.98 LLY 礼来公司 2.12 EXR Extra Space Storage Inc. 1.19 HOLX Hologic, Inc. 0.73 IRM Iron Mountain, Inc. 0.59 MRK Merck & Co., Inc. 1.95 WY Weyerhaeuser Company 1.04 PFE Pfizer Inc. 0.96 公用事业 2.32% REGN Regeneron Pharmaceuticals, Inc. 0.76 CMS CMS Energy Corporation 1.68 UNH UnitedHealth Group Inc. 2.71 NRG NRG Energy, Inc. 0.64
战术教官
申请问：谁有资格成为 WTI？答：薪级为 O1 至 O4 的 SWO（1110/1117）有资格成为 WTI，并且必须获得 SWO 资格才能被接受加入该计划。水面 LDO 和 CWO 也有资格，并且不需要 SWO 徽章。其他海军指定机构（例如飞行员）、其他美国武装部队（例如美国海军陆战队）和盟国（例如澳大利亚皇家海军）的军官已根据具体情况被录取。O5 及以上级别可以旁听课程（整个课程或其中的一部分），但不会获得 WTI 额外资格标志（AQD）问：核兵 SWO（SWO(N)）可以申请 WTI 吗？答：可以！问：成为 WTI 的人是否必须承诺担任部门主管/签署 DHRB ？答：不！问：WTI 计划中提供哪些战争专业领域？答：WTI 专攻反潜和水面作战 (ASW/SUW)、综合防空反导 (IAMD)、两栖作战 (AMW) 和水雷作战 (MIW)。完成每个项目后，将获得不同的 AQD - KW1（ASW/SUW）、KW2（IAMD）、KW3（AMW）和 KW4（MIW）。问：我在哪里可以获得申请模板，我应该将其提交给谁？答：请联系 WTI 管理小组 (WTI MC)（SWO_WTI@navy.mil）获取申请模板。这也是您在完成后提交申请的地方。提交时，请确保您在一个工作日内收到 WTI MC 团队的确认信息。问：申请中常见的一些错误是什么，如何避免？答：最好的申请是完整且具体说明您的背景、资格和经验的申请。请确保列出您获得的所有资格，而不仅仅是那些与战术相关的资格，因为您可能没有机会获得战术资格，但获得另一项高级资格（例如 EOOW）表明您有成功完成 WTI 的潜力。同样，在列出您在支持行动和演习中的角色时要具体 - 您担任过什么职位，您值过什么班次等。从管理上讲，请不要在您的简历中包含照片（因为我们必须遵循海军的标准申请流程），确保您的申请是一个 PDF 文件，而不是分多个部分发送 - 并且一定要签署您的个人陈述！如果您想要对您的申请进行具体的反馈，请在提交截止日期前至少两周与我们联系以请求审核，我们很乐意审查您的包裹并为您提供具体的指示。问：WTI 申请截止日期是什么时候？答：由于我们每隔一个月举行一次 WTI 选拔委员会，因此申请截止日期为奇数月的第二个星期五（1 月、3 月、5 月、7 月、9 月、11 月）。