• 意大利。 CNR、IUNET、FBK、Chips-IT • 瑞典。 KTH、Chalmers、Lund、Linkoping • 芬兰。 Tampere • 波兰。 Unipress 和 Lukasiewicz • 法国。 Leti • 德国。 Fraunhofer • 奥地利。 SAL • 意大利财团的预算:约 2.2 亿欧元(占
C. L APEYRONIE 1*,MS A LFONSO 1,B. VIALA 2,J.-H. T ORTAI 1 1 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CNRS、CEA/LETI-Minatec、格勒诺布尔 INP、格勒诺布尔阿尔卑斯大学工程与管理学院、LTM、格勒诺布尔 F-38054、法国 2 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA、LETI、38000 格勒诺布尔、法国
背景 加入位于格勒诺布尔的 CEA/Leti 的纳米表征平台,这是一个配备了大量先进表征工具的尖端环境。我们目前正在通过添加第二个高能微源和混合像素 2D 探测器来升级衍射系统。在此背景下,我们寻求一位有上进心的博士毕业生来为这一创新基础设施的发展做出贡献,这对我们的微电子材料研究至关重要。
32 FLAG,坦纳; YENGİN,Deniz 和 HARRANOĞLU,Sefa (2022)。在印刷书籍数字化的背景下对阅读书籍过程中的脑电波进行分析。居米什哈内大学传播学院电子杂志(e-gifder),10(1),32-58。
在获得化学和工艺工程工程学位以及“技术与创新管理”专业硕士学位后,她担任了 3 年的水处理设计工程师,然后在 CEA Leti 担任了 6 年的工艺工程师和微电子洁净室流体公用设施专家。2011 年,她加入 CEA Liten,担任项目经理,负责能源系统评估,主要是氢领域。作为清洁氢 JU、法国研究机构和工业伙伴关系资助的研究项目的一部分,她进行了大约 30 项评估研究,为 PEMFC、SOEC/SOFC 和高压罐等氢组件开发了参数化成本和 LCA 模型,并开展了结合这些技术的应用案例研究。
然而,微电子行业的前景远非明朗。晶体管很快就会变得如此之小,以至于制造和操作它们将变得极其困难。例如,一些(氧化物)绝缘体的厚度可能不超过 1 纳米,即 3 或 4 个氧化物原子层!工业、研究实验室和研究所正在制定由大量投资支持的研究计划。在格勒诺布尔地区,情况尤其如此,该地区是世界级的微电子中心。它是 CEA 的 LETI(电子和信息技术实验室)和 ST Microelectronics 位于克罗尔的制造基地的所在地。最后,自 1976 年以来,已有 4,000 人在格勒诺布尔的 Minatec 工作,这是欧洲领先的微纳米技术创新集群。
UKGBC目前在这些领域没有特定的指导 /目标。鼓励用户查看可用的第三方资源,其中包括但不限于:CRREM,RIBA和LETI。但是,人们认识到,有了多种可用来源,可能很难浏览哪个目标或指导是最合适或最适用的。向前迈进,UKGBC旨在帮助清楚地清楚整个行业的共同方向。这将是通过与其他行业机构和财团(包括列出的人,未来的验证讨论)以及整个寿命碳路线图项目合作。此路线图试图概述建筑环境及其各自子行业的统一基于科学的轨迹。这将有助于确保每个子部门的目标基于一系列的假设和互补方法,以便整个行业朝着一致的1.5°C朝着一致的1.5°C统一的社会发展。
SPINTEC 在全球范围内融入了非常丰富的格勒诺布尔研究生态系统。该部门所在的 CEA 环境在分析期间进行了重组,这特别导致了 2016 年初纳米结构和磁学 - NM 团队的整合。该部门目前隶属于格勒诺布尔跨学科研究所 (IRIG) 的纳米物理系 (DEPHY)。更普遍地说,SPINTEC 受益于与其他 CEA 单位的互动,包括用于技术开发的 LETI、与 CNRS 站点的邻近单位(Institut Néel、LNCMI)以及与 Minatec、Giant 和 Université Grenoble Alpes 环境的互动。该单位也是 LANEF labex 和 CNRS、UGA 和格勒诺布尔 INP 的微纳米技术联合会 FMNT 的一部分。最后,它隶属于 COMUE UGA 的物理学博士学院 (EDPhy) 和工程学博士学院 (EEATS)。单位管理
在 CEA Tech 和 Leti 内部,硅技术和组件研究活动由两个部门共同承担,共有约 600 名研究人员:硅技术部门开展创新工艺工程解决方案和研究,全年 24/7 全天候运营,7,500 平方米的先进洁净室空间分为三个不同的技术平台。硅组件部门开展纳米电子和硅异质集成研究,重点关注两个主要领域:CMOS 器件的不断缩小,以扩展摩尔定律,实现更快、更便宜的计算能力,以及将新功能集成到 CMOS 中,例如传感器、功率器件、成像技术和新型内存,以实现新应用。本手册包含 47 份一页的研究摘要,涵盖了我们硅器件和技术部门重点领域的进展,重点介绍了 2015 年取得的新成果。