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花费了核燃料和高级放射性材料管理
存储和运输包装：PNNL是设计，评估，开发和调试核材料存储和运输包装的公认国家领导者。我们评估和理解与核相关系统以及放射性材料的处理，包括热，结构，材料特性以及涵盖放射性包装性能。我们对National核安全管理局（NNSA）使用的几乎所有AF和B型放射性运输包（NNSA）对所有AF和B类型的放射性运输包进行了独立的安全基础文档（即包装和运输系统风险评估的安全分析报告）的独立技术审查。我们为NRC提供确认性评估和模型开发，以解决与用过的核
COVID-19对家庭一级的经济影响
世界各地的政府采取了措施，以遏制导致经济活动受到限制的病毒传播。虽然经济影响多种多样且广泛蔓延，但从政策的角度来看，对家庭层面检查影响的兴趣至关重要。这有助于监视主要的社会经济指标的进度，并及时，适当的政策回应。在这种情况下，该观点论文概述了基于影响评估的文献来检查Covid-19在家庭级指标数量上的影响时采用的方法。本文还概述了一个框架，用于识别关键优先级领域，特别是参考尼泊尔。，我们提出了标准的家庭健康生产功能模型，将准实验设计用作研究家庭一级影响的候选人。同样，与贫困，食品和营养，教育，健康和劳动力市场有关的指标对于尼泊尔的发展愿望和轨迹引起了主要兴趣。我们希望本文将有助于选择适当的方法来评估家庭层面的影响并了解尼泊尔的政策和数据上下文。
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。
克利夫兰高地城市更新计划
a. 背景和目的 本计划针对俄克拉荷马州摩尔市（简称“城市”）东北角的克利夫兰高地贫困地区，位于东北 12 街和 S. Sunnylane 路的西南角。城市综合计划《展望摩尔计划 2040》将该地区确定为需要进行重大基础设施升级和改善的区域，并指定为优先再投资区域。克利夫兰高地城市更新计划（简称“城市更新计划”）是根据俄克拉荷马州城市重建法 11 OS § 38-101 等规定制定的城市更新计划。该计划是城市促进该地区重建、创造新的经济发展机会的主要内容。实施本城市更新计划对于改善衰败状况至关重要，以便该地区在可预见的未来为城市的经济和社区健康做出贡献。
RC-05 级能量消散器
一个或多个非穿孔排水管通过形成水平唇缘的下坡护堤安装，以便在暴风雨事件后排出水流扩散洼地的水。管道数量由设计工程师选择，以确保洼地能够排出水。每根非穿孔排水管的最小直径为 4 英寸，最小坡度为 1%，以保持正向排水。在下游终点，每根非穿孔排水管都连接到垂直于排水管的穿孔管，以分散集中的脱水水流。穿孔管的材料和直径与非穿孔洼地排水管相同，牢固地连接到排水管，最小长度为 1 英尺。1.4 施工要求
晶圆级光学制造
市场新闻 6 功率半导体器件需求上升，推动宽带隙市场发展 微电子新闻 8 Fraunhofer IAF 报告创纪录的 640GHz InGaAs MOSHEMT 晶体管 •富士通荣获 IEEE HEMT 里程碑奖 •Qorvo 融资 2 亿美元 宽带隙电子新闻 14 SiCrystal 将向 ST 供应价值 1.2 亿美元的 150 毫米 SiC 晶圆 •II–VI 签署协议，供应价值 1 亿美元的 SiC 基板 •住友开始生产 150 毫米 GaN-on-SiC •GaN Systems 从 SPARX 获得资金 •IVWorks 融资 670 万美元 •GaN 电源充电器在 CES 上展出 •JST 的 NexTEP 计划生产基于 THVPE 的块状 GaN 生长设备 材料和加工设备新闻 33 Shin-Etsu 获得 Qromis 的 GaN 基板技术许可 •Aixtron 获得 PlayNitride 的 μ LED 生产资格 •BluGlass 和 Luminus合作评估 RPCVD 隧道结级联 LED LED 新闻 42 Plessey 在硅上开发原生红色 InGaN LED，用于 μ LED 显示屏 • TowerJazz 与 Aledia 合作开发纳米线 LED 工艺 • MICLEDI 从 imec.xpand、PMV、FIDIMEC 融资 450 万欧元 • Nakamura 将获得 NAS 奖 光电子新闻 43 TDK 投资 SLD Laser • ON Semi 与 SOS LAB 合作开发 LiDAR • Ambarella、Lumentum 与 ON Semi 合作开发 3D 感应 光通信新闻 51 II–VI 在 150mm GaAs 上推出高速数据通信 VCSEL，用于消费电子产品中的光纤 HDMI 电缆 PV 新闻 58 晶科能源与上海空间电源研究所合作
CARD LOK 技术的进步可满足交换和二级维护要求
根据要求，无论是高级夹紧力、高级热性能还是二级维护，CCA 都可以与所需的 Card Lok 相辅相成。对于需要最佳热性能的应用，可以将 Card Lok 直接加工到热框架或翻盖中以去除热界面，从而实现更高性能的组件。此外，还开发了公差补偿提取器，以满足 Vita 48.2 的要求，具有 10:1 的机械优势，可用于插入和提取具有高密度连接器触点的印刷电路板。闩锁插入器/提取器在插入过程中为连接器提供正压，防止因冲击和振动而断开连接。它仍然符合二级维护要求，可以用戴手套的手操作，无需专门的工具。