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信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路
80 V -200 V 和 700 V 的 BCD 技术
+ 通过埋入绝缘层实现垂直隔离 相邻器件之间的干扰极低 速度快（适用于二极管和 LIGBT 等双极器件） 面积消耗小 二极管反向恢复速度快 灵活集成各种高压器件（LIGBT、二极管、晶闸管、高压 BJT）。 允许在 IC 中集成多个 HV 开关。 受高压侧或波纹管手柄晶圆操作的影响较小 无闩锁 基板和 BOX 可以形成背场板，从而显着降低 Ron。