用晶体学方向(001)和晶格参数a = b = 0.3265 nm和c = 0.5212 nm表征了产生的ZnO 膜。Zno 1 - 薄膜表面上的纳米晶状体的特征大小范围从50 nm到200 nm。ZnO 1的晶格参数 - ssх纳米晶体的实验确定为Zno = 0.7598 nm。这项研究阐明了ZnO膜的晶格参数以及ZnO 1的几何尺寸,在胶片表面上在胶片表面上的纳米晶状体的几何尺寸。已经确定ZnO 1的晶体结构 - sх纳米晶体代表一个立方晶格,属于空间群f43m。已经确定,在γ-辐照5·10 6 rad之后,Zno 膜的电阻率降低至ρ=12,7Ω·CM,多数荷载流子(µ)的迁移率为0.18 cm 2 /v·S,而浓度增加了(N)的浓度(N)和相等的2.64•10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM。对γ/n-Si异质结构的当前电压特性的研究在γ摄取之前和之后的剂量为5·10 6 rad的研究表明,电压对电压的依赖性遵守了指数定律,这与discection灭deptection deptetion deptetion deptetion deptetion deptetion deptetion depettion depettion depettion deptetion。确定,在γ-辐照的影响下,剂量为5·10 6 rad,p-zno >/n-Si异质结构在负电压下增加,并且由于单位网络级别的稳定性而在稳定性上观察到固定曲线和峰值的曲线,并且峰值在快速层面上的稳定性上是在稳定性上的。关键字:电影;超声喷雾热解;纳米晶体; γ辐射;晶体学取向;晶格参数;携带者;注射耗尽PAC:78.30.am
切姆斯福德地方计划首选方案 - 综合影响评估草案 | WSP 项目编号: 62280321 2024 年 3 月 切姆斯福德市议会第 1 页
i. 军事/政府人员注册。如果您拥有 .MIL、.GOV 或指定的 .EDU 电子邮件地址,但没有 CAC 阅读器,因此无法自行创建帐户,请选择此链接。您必须直接访问此电子邮件地址才能完成帐户创建过程。授权的电子邮件地址扩展名包括:.GOV、.MIL、NPS.EDU、GC.NDU.EDU、NDU.EDU、DODEA.EDU、HQ.DODEA.EDU、AM.DODEA.EDU、EU.DODEA.EDU、PAC.DODEA.EDU、AAFES.COM、USMA.EDU、WESTPOINT.EDU、USNA.EDU、USAFA.EDU、AFACADEMY.AF.EDU、USCGA.EDU、USMMA.EDU,或者您是外国军事成员。JKO 最多需要 48 小时才能创建您的帐户。强烈建议在表单中输入备用电子邮件地址,以便在创建 JKO 帐户后恢复重要的帐户相关信息。
1.特权用户现在可以自定义 LMS 自动电子邮件主题行。2.技术管理员可以添加企业范围的登录页面文本。3.备用电子邮件地址字段已添加到 JKO 个人资料中,这样如果用户无法访问其企业电子邮件地址,他们就有额外的选项来接收密码、用户名和帐户重新激活说明。4.LMS 现在在登录页面上提供自动帐户重新激活功能,无需联系帮助台。5.现在,所有组织搜索窗口都可以按组织代码和组织名称进行搜索。6.LMS 现在通过自动填充用户 JKO 个人资料中的职业信息来强制执行课程访问的帐户类型、薪资等级和服务限制。7.JKO 现在可以从练习选项卡中的 JETS 链接跟踪和报告课程/课程注册情况。8.实现了从 JKO 社区或课程直接到 VCLASS 站点的直接链接功能,而无需手动将用户添加/注册到该 VCLASS 站点。
8。您将收到Peter Liu(通过Callhsa LMS)的电子邮件在创建您的帐户的工作电子邮件地址中。单击链接以确认您的新帐户:
请注意:尽管过去曾有海外语言培训的选择,但由于预算限制和问题,海军不得不重新考虑这一选择,例如批准 NSDD-38(国家安全决策指令),该指令在选定国家的当地大使馆设立职位;指派海军组成部队指挥官和联络点 (POC) 回答军事问题;医疗检查等。NSDD-38 可能是一个漫长的过程,可能需要数月才能获得批准状态。此外,还可能存在 ICASS 协议/合同、住房(OHA 和授权的大使馆租赁住房)和联系信息更新等问题。由于给细节人员的安置和命令时间很短,海军决定“国内”语言培训是我们的海军学者的例外,而不是常态,必须事先获得 OPNAV N71 的批准。
本工作利用溶液浇铸工艺制备了不同重量比(0、2、4、6、8、10 wt%)的氧化镁、氧化石墨烯聚邻苯二胺(GO-MgO-PoPDA)增强的纯(PVA)聚合物薄膜。研究了纳米粒子氧化镁(MgO)和氧化石墨烯(GO)的不同重量比对纳米复合薄膜介电性能的影响。使用 FTIR、SEM、X-RAY 对纳米复合材料进行表征。介电性能结果表明,随着(GO-MgO-PoPDA)纳米粒子的添加、施加电场频率的增加和粒子含量的增加,制备的薄膜的交变电导率值增大,而介电常数值随(GO-MgO-PoPDA)纳米粒子含量的增加而增大,但随频率的增加而降低。而当添加纳米粒子且随着频率的增加而制备的薄膜的介电损耗系数降低。
摘要。从电缆绝缘到先进电子设备,介电材料在众多应用中都备受关注。设备小型化的新趋势使得对能够精确生产纳米级介电薄膜的需求不断增加。此外,通常还需要特殊的机械性能,例如在柔性有机电子领域。聚合物是此目的的首选材料。然而,通过湿化学方法生产具有低缺陷密度且不含残留溶剂等的精确纳米级薄膜极其困难。引发化学气相沉积 (iCVD) 是一种无溶剂聚合物薄膜沉积工艺,可用于生产具有纳米级控制的高质量介电薄膜,从而避免了这些问题。这项工作通过一些新的 iCVD 应用示例展示了 iCVD 工艺在电气应用领域的多功能性。例如,通过在柱状氧化锌 (ZnO:Fe) 气体传感结构上添加疏水性有机硅氧烷薄膜,乙醇到氢气的选择性发生了变化,并且在高湿度水平下的性能也得到了改善。因此,改进后的传感器可用于潮湿环境,尤其是用于呼吸测试,这可以通过尖端的非侵入性方法诊断某些疾病。