XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemLatch
TMUX582F-SEP 耐辐射 +60V 保护，闩锁...
• VID V62/23607-01XE • 抗辐射 – 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 时可抵抗 43 MeV- cm2/mg – ELDRS 无影响至 30krad(Si) – 每晶圆批次的总电离剂量 (TID) RLAT 高达 30krad(Si) – TID 特征值高达 30krad(Si) – 单粒子瞬变 (SET) 特征值高达 43 MeV-cm2 /mg • 电源范围：+8V 至 +22V • 集成断电和过压保护 – 过压和断电保护高达 +60V – 冷备用能力高达 +60V – 可调节故障阈值 (V FP ) 从 3V 到电源 – 中断标志反馈指示故障通道 – 非故障通道继续以低漏电流运行 • 闩锁免疫结构 • 精密性能，源极关断漏电流（最大值）为 ±4.5nA，关断电容为 4pF • 航天增强型塑料 – 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C – 受控基线 – 金线和 NiPdAu 引线涂层 – 一个装配和测试站点 – 一个制造站点 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型模塑料，具有低释气性 • 小型、行业标准 TSSOP-20 封装
片上尖峰分类，有效的中位数...
摘要 - 我们提出了Lenzen，Fuegger，Kinali和Wiederhake的电压下垂校正电路的基于闩锁的无PLL设计[1]。这样的电路会动态修改VLSI系统的数字时钟的时钟频率。我们的电路在两个时钟周期内做出响应，并将同步器链的长度减半，而同步链的长度与先前的设计相比。此外，我们引入了一种基于差异传感器的设计，用于掩盖闩锁，以替代[1]所需的设计，但仍未指定。使用闩锁而不是阈值改变的触发器改变了我们设计的时序特性，因此伴随其设计伴随的正确性证明了我们在此处提出的修改。该设计已成功实施，在IHP 130 nm过程技术上。实验测量结果将在随后的出版物中讨论。
TMUX7219-Q1 44V、防闩锁、2:1 (SPDT) 精密开关，带 1.8V 逻辑 数据表 (Rev. C)
(1) 在绝对最大额定值之外运行可能会导致器件永久性损坏。绝对最大额定值并不意味着器件在这些或任何超出建议工作条件所列条件的其他条件下能够正常工作。如果在建议工作条件之外但在绝对最大额定值之内使用，器件可能无法完全正常工作，并且可能会影响器件的可靠性、功能性和性能，并缩短器件寿命。 (2) 除非另有规定，所有电压均相对于地。 (3) 引脚通过二极管钳位到电源轨。过压信号的电压和电流必须限制在最大额定值内。 (4) 有关 I DC 规格，请参阅源极或漏极连续电流表。 (5) 对于 DGK 封装：当 TA = 70°C 以上时，P tot 线性下降 6.7mW/°C。
Vingcard新颖的电子管状闩锁锁
使用高级安全和宾客增强技术的组合进行了设计，Vingcard小说代表电子锁的未来是酒店的未来，这是一个以上的原因。Vingcard小说是一种具有美观的产品，具有现代有力的电子产品，可以在客户需要时启用我们的移动访问和在线技术。使用可持续制造材料，Vingcard小说负责认真保护环境。
tmux9616x 220-V高压1：1，16通道开关带有闩锁免疫数据表（Rev. a）
5.1 Absolute Maximum Ratings........................................ 5 5.2 ESD Ratings............................................................... 5 5.3 Thermal Information.................................................... 5 5.4 Recommended Operating Conditions......................... 6 5.5 Electrical Characteristics: TMUX9616........................ 7 5.6 Switching Characteristics: TMUX9616........................ 8 5.7 Digital Timings: TMUX9616........................................ 9 5.8 Timing Diagrams ...................................................... 10 5.9 Typical Characteristics.............................................. 12 6 Parameter Measurement Information .......................... 14
碳减少计划Latcham Direct Ltd
*购买的电力可以通过两种方式测量。一种基于位置的方法反映了发生能源消耗的电网的平均排放强度（使用网格平均发射因子数据）。一种基于市场的方法反映了公司有目的地选择的电力（或他们缺乏选择）的排放。因此，一种基于市场的方法考虑了通过经过验证的可再生能源关税购买电力的。我们选择将零净目标基于基于市场的方法。
tmux9832没有高压偏差，超出电源，220 V 1：1，32-innelel switchwith with Latch-up-up-up himbunity datasheet
（2）ROHS：TI将“ ROHS”定义为符合所有10种ROHS物质的欧盟ROHS要求的半导体产品，包括要求ROHS物质不超过同质材料的重量不超过0.1％。在高温下设计的“ ROHS”产品适合在指定的无铅工艺中使用。ti可以将这些类型的产品称为“无PB”。ROHS豁免：ti将“ ROH豁免”定义为包含铅但符合欧盟ROHS的产品，根据特定的欧盟ROHS豁免。绿色：ti将“绿色”定义为氯（Cl）和基于溴（BR）阻燃剂的含量符合JS709B低卤素要求<= 1000ppm阈值。基于三氧化物的火焰阻燃剂还必须满足<= 1000ppm阈值的要求。
idld：互锁的双环闩锁设计，成本低和三个节点启动
晶体管需要低电源电压，因此不幸的是，电路节点上的临界电荷会降低。因此，在航空航天应用中，电路容易受到甚至低辐射能量引起软误差的颗粒的撞击[1]。辐射颗粒包括质子，中子，α颗粒，重离子，电子等[2]。粒子的碰撞会产生许多电子和孔，这些电子和孔可以在受影响的晶体管的排水口收集，从而导致瞬态电压干扰。在顺序/存储电路中，存储节点的值可以暂时翻转（如果可以恢复）或长时间翻转（如果它是无法恢复的，并且需要在下一个时钟周期中需要刷新），从而导致单个事件沮丧（SEU）[3]。请注意，单节点误（SNU）是一种类型的SEU。在组合/逻辑电路中，逻辑门的输出值可能会受到干扰，输出单个事件瞬态（set）脉冲[4]。SEU和集合是典型的软错误，在最坏情况下会导致电路失败甚至系统崩溃。因此，航空应用非常需要软误差。
patriot®T3技术15吨电池压接头，闩锁头，未覆盖，两个3.0AH 18V锂离子电池，120V-AC充电器，尼龙Pro Bag
patriot®T3技术15吨电池压接头，闩锁头，未覆盖，两个3.0AH 18V锂离子电池，120V-AC充电器，尼龙Pro Bag
非锁定出口装置 - 微动开关推杆
PBA 延时出口系列专为已安装电磁锁且需要延时出口的门而设计。这些产品可安装在商业中心的紧急出口，以延缓未经授权的出口。该系统可在紧急情况下提醒安保人员，同时允许人们安全出口。