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基于 ReRAM 的非易失性和抗辐射锁存器设计
摘要：在航空航天环境中，芯片的高可靠性和低功耗至关重要。为了大幅降低功耗，芯片的锁存器需要进入掉电操作。在此操作中，采用非易失性（NV）锁存器可以保留电路状态。此外，在航空航天环境中，锁存器可能会被辐射粒子击中，在最坏的情况下会导致严重的软错误。本文提出了一种基于电阻式随机存取存储器（ReRAM）的NV锁存器，用于NV和鲁棒应用。所提出的NV锁存器具有低开销的抗辐射能力，并且可以在掉电操作后恢复值。仿真结果表明，所提出的NV锁存器可以完全提供针对单粒子翻转（SEU）的抗辐射能力，并可以在掉电操作后恢复值。与其他类似解决方案相比，所提出的NV锁存器可以将存储单元中的晶体管数量平均减少50％。
TMUX582F-SEP 耐辐射 +60V 保护，闩锁...
• VID V62/23607-01XE • 抗辐射 – 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 时可抵抗 43 MeV- cm2/mg – ELDRS 无影响至 30krad(Si) – 每晶圆批次的总电离剂量 (TID) RLAT 高达 30krad(Si) – TID 特征值高达 30krad(Si) – 单粒子瞬变 (SET) 特征值高达 43 MeV-cm2 /mg • 电源范围：+8V 至 +22V • 集成断电和过压保护 – 过压和断电保护高达 +60V – 冷备用能力高达 +60V – 可调节故障阈值 (V FP ) 从 3V 到电源 – 中断标志反馈指示故障通道 – 非故障通道继续以低漏电流运行 • 闩锁免疫结构 • 精密性能，源极关断漏电流（最大值）为 ±4.5nA，关断电容为 4pF • 航天增强型塑料 – 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C – 受控基线 – 金线和 NiPdAu 引线涂层 – 一个装配和测试站点 – 一个制造站点 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型模塑料，具有低释气性 • 小型、行业标准 TSSOP-20 封装
Vingcard新颖的电子管状闩锁锁
使用高级安全和宾客增强技术的组合进行了设计，Vingcard小说代表电子锁的未来是酒店的未来，这是一个以上的原因。Vingcard小说是一种具有美观的产品，具有现代有力的电子产品，可以在客户需要时启用我们的移动访问和在线技术。使用可持续制造材料，Vingcard小说负责认真保护环境。
片上尖峰分类，有效的中位数...
摘要 - 我们提出了Lenzen，Fuegger，Kinali和Wiederhake的电压下垂校正电路的基于闩锁的无PLL设计[1]。这样的电路会动态修改VLSI系统的数字时钟的时钟频率。我们的电路在两个时钟周期内做出响应，并将同步器链的长度减半，而同步链的长度与先前的设计相比。此外，我们引入了一种基于差异传感器的设计，用于掩盖闩锁，以替代[1]所需的设计，但仍未指定。使用闩锁而不是阈值改变的触发器改变了我们设计的时序特性，因此伴随其设计伴随的正确性证明了我们在此处提出的修改。该设计已成功实施，在IHP 130 nm过程技术上。实验测量结果将在随后的出版物中讨论。
idld：互锁的双环闩锁设计，成本低和三个节点启动
晶体管需要低电源电压，因此不幸的是，电路节点上的临界电荷会降低。因此，在航空航天应用中，电路容易受到甚至低辐射能量引起软误差的颗粒的撞击[1]。辐射颗粒包括质子，中子，α颗粒，重离子，电子等[2]。粒子的碰撞会产生许多电子和孔，这些电子和孔可以在受影响的晶体管的排水口收集，从而导致瞬态电压干扰。在顺序/存储电路中，存储节点的值可以暂时翻转（如果可以恢复）或长时间翻转（如果它是无法恢复的，并且需要在下一个时钟周期中需要刷新），从而导致单个事件沮丧（SEU）[3]。请注意，单节点误（SNU）是一种类型的SEU。在组合/逻辑电路中，逻辑门的输出值可能会受到干扰，输出单个事件瞬态（set）脉冲[4]。SEU和集合是典型的软错误，在最坏情况下会导致电路失败甚至系统崩溃。因此，航空应用非常需要软误差。
生物闩锁介导的可调、简化模型...
作者：A Cook · 2020 · 被引用 4 次 — LaMSA 系统加载至弹簧位移 ymax，该位移由加载电机和弹簧力相等计算得出。B-C 解锁和解锁过程中的动态...
高性能辐射硬化NMOS仅基于Schmitt触发闩锁设计
基于缩放晶体管的抽象CMOS电路通常比采用大面积对应物的电路更容易受到辐射环境中能量颗粒引起的软误差的影响。在本文中，在Schmitt触发器上构建了一个软误差闩锁，它完全用NMOS晶体管实现，并提出了额外的电压助推器（我们称为NST-VB）。为了评估电路的辐射弹性，我们通过分析各种闩锁内部敏感节点的临界电荷来识别最敏感的节点。我们还检查了必需闩锁的线性能量传递（LET），并观察到NST-VB闩锁具有0：386mevcm 2 = mg的提高LET，与0：231mevcm 2 = mg和0：365mevcm 2 = mg 2 = mg 2 = mg 2 = mg 2 = mg，分别为latch and latch and st latch。在过程变化分析中，我们进一步检查了5K蒙特卡洛模拟，以分析设备可变性对我们的设计的影响，并观察到所提出的NST-VB闩锁具有1：96关于ST LATCH的可变性较小的关键电压。此外，NST-VB闩锁的逻辑闪烁概率为48.32％，而ST闩锁的逻辑概率为53.04％。此外，与其他考虑的闩锁相比，计算并评估了拟议闩锁有效性的功率延迟面积比（QPAR）的关键电荷。
patriot®T3技术15吨电池压接头，闩锁头，未覆盖，两个3.0AH 18V锂离子电池，120V-AC充电器，尼龙Pro Bag
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母乳喂养“三重计划”您的 Kaiser Permanente Care ...
• 使用最适合您和宝宝的姿势和吸吮技巧。 • 尝试吸吮 5 到 10 分钟，或者直到您或宝宝感到沮丧。 • 如果宝宝至少 10 分钟都无法很好地吸吮吞咽，请转到步骤 2。
