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使用遗传算法，粒子群优化的综合方法的设计，用于优化电子束光刻，
摘要：随着先进制造对精确微型和纳米级图案的不断增长的要求，迫切需要对EBL过程的优化。当前的优化方法涉及GA与GWO或PSO与GWO等组合，而GWO与不良的探索 - 探索折衷折衷相困难，因此融合到次优溶液或溶液的不足。通过创新的自适应狼驱动的蜂群进化方法克服了上述挑战，使GA，PSO和GWO的优势协同以进行EBL的优化过程。从GA中产生多样化的解决方案人群是AWDSE的开始，以确保搜索空间中的广泛探索。此外，使用GWO的基于角色的分类将解决方案分层分类为不同的角色：Alpha，Beta，Gamma，Delta。的解决方案（Alpha，beta）通过基于PSO的更新来完善，这些更新通过更新解决方案来利用搜索空间，而解决方案排名较低（Gamma，delta）则受到GA驱动的交叉和突变操作，以维持多样性和探索。GA的进化操作与PSO粒子更新之间的自适应切换肯定是由GWO的领导动力驱动的，GWO的领导动力可以使多样化强化的更密集平衡，从而可以提高收敛精度和速度。实验结果证明，AWDSE能够提高约18％的临界维度，而延迟时间的收缩率达到12％，效果超过了GA-GWO和PSO-GWO的传统方法。这一进步强调了AWDSE可以显着提高EBL效率和准确性的可能性，而远离纳米制造过程的景色却越来越快。
全力关注太空：蔡司 SMT 收购 RUAG International 的光刻业务
RUAG International 和 ZEISS SMT 已签署收购光刻部门的合同，包括与位于瑞士苏黎世和德国科斯维希的两个生产基地相关的所有员工和资产。“自 2001 年以来，我们就一直在光刻应用方面积累经验，并与我们的主要客户 ZEISS SMT 成功合作。2022 年 10 月将光刻部门作为独立实体成立是一项战略举措，旨在巩固我们的市场地位，同时继续作为独立的单一来源供应商为 ZEISS SMT 生产专用组件。今天，我为我们的光刻团队所取得的成就感到无比自豪，”RUAG International 首席执行官 André Wall 说道，并总结道，“ZEISS SMT 拥有卓越的市场地位。有了新的所有权，我们为光刻部门提供了理想的环境，以进一步发展我们多年来积累的卓越能力。”
追踪极紫外光刻技术的出现
仔细研究支持 EUV 开发的研究界对于当今的政策制定者和半导体行业尤其重要。EUV 研究始于 20 世纪 80 年代，当时美国半导体行业在双方政府的大力干预下试图抵御崛起的日本公司。与此同时，该行业认识到，新一代光刻光源对于制造未来的先进芯片以维持摩尔定律是必不可少的。今天也存在类似的情况，美国、欧洲和亚洲的政策制定者都在进行千载难逢的努力来保护和促进各自的半导体行业，而崛起的中国公司则试图挑战行业领导者。与此同时，整个半导体行业都认识到一场缓慢发展的生存危机：人工智能的快速发展必须由相应的计算能力的快速发展来维持。然而，摩尔定律的终结就在眼前，即使是 EUV 也无法拯救它。4
EMLC 2024 - 在格勒诺布尔举行的“欧洲掩模和光刻会议”
与往常一样，主题演讲概述了半导体行业以及相关微纳米技术领域的发展方向和趋势。去年的重点是限制当前和未来人工智能应用的过度能耗，而 Serge Nicoleau（意法半导体）的主题演讲将这一主题扩展到半导体行业工艺的总体可持续性，即减少资源消耗并日益避免使用有毒或对环境有害的物质，如 PFAS（所谓的永恒化学物质）。Kagawa-san（佳能）、Sebastian Dauvé（CEA-LETI）和 Kurt Ronse（IMEC）的其他主题演讲涉及纳米压印光刻的现状和前景、CEA-LETI 的半导体研究计划（FAMES）和 EUV 光刻。 Kurt Ronse 的贡献尤其预测了到 2040 年纳米技术的预期发展。虽然半导体行业的领先公司即将推出具有技术节点 N2 的高端工艺（例如，最密集布线层的导体轨道宽度约为 11nm），但节点 A1 中只能实现约 6nm（！）的线宽（根据 2040 年的当前路线图）。
量子计算和电子束光刻
发行声明 A. 批准公开发行。发行不受限制。本材料基于空军合同编号 FA8702-15-D-0001 支持的工作。本材料中表达的任何观点、发现、结论或建议均为作者的观点，并不一定反映美国空军的观点。© 2024 麻省理工学院。以无限权利交付给美国政府，定义见 DFARS 第 252.227-7013 或 7014 部分（2014 年 2 月）。尽管有任何版权声明，美国政府对本作品的权利由 DFARS 252.227-7013 或 DFARS 252.227-7014 定义，如上所述。未经美国政府特别授权使用本作品可能会侵犯本作品中存在的任何版权。
Abigail Nieves Delgado b i o g r a p h y
在这项工作中，我们展示了如何使用A-Lith来制造悬浮的单层石墨烯。通过热蒸发在第二个金属沉积步骤中添加了介电材料（SIO 2），并用作牺牲层。单层CVD石墨烯在金属/介电堆栈上传递的铜箔上生长的cVD石墨烯是在牺牲层的缓冲氧化物蚀刻之后通过临界点干燥步骤释放的。制造过程利用了A-Lith和光刻学，以对大底物上的一系列悬浮石墨烯结构进行模板，其中实现了沟槽宽度与沟槽深度约10的宽高比。这种悬浮的石墨烯设备可以用作机电开关，气体传感器和压力传感器[4]。在以前的工作中，考虑单层石墨烯的屈服强度阻碍了可靠性，这种系统通常依赖于多层石墨烯。基于机电设备的理论模型的沟渠纵横比的仔细设计允许更高的产量，而可以实现的几何形状与低压驱动石墨烯开关兼容[4，5，6]。
用于紫外线、激光和灰度光刻的正性光刻胶
1) N. Gerges、C. Petit-Etienne、M. Panabière、J. Boussey、Y. Ferrec、C. Gourgon；优化的紫外线灰度处理，用于光谱成像仪的高垂直分辨率；J. Vac. Sci. Technol. B 39 (2021)；doi：10.1116/6.0001273
配体辅助的直接光刻和非线性光子学的雪崩纳米颗粒
摘要：向上转换纳米颗粒（UCNP）具有独特的非线性光学特性，可以在显微镜，传感和光子学中利用。然而，形成具有较大填充分数的UCNP的高分辨率纳米和微分简单仍然具有挑战性。此外，人们对纳米颗粒模式化学的形式如何受粒径影响有限。在这里，我们使用形成新离子链接的配体或在UCNP之间（uviolet（uv），eleton- beam（e -elethir）（e -beam）（e -beam）（e -beam）和附近（nir）和附近（nir -nir）和附近（nir -nir）（nir）和附近（nir -extrare）（extrife）（ybem extruared（e -beam），我们探索了6-18 nm tm 3+ - ，yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。 我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响，发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。 相比之下，对较大的UCNP进行构图需要长链，可交叉的配体，这些配体可提供足够的颗粒间距，以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。 与使用可交联液体单体的方法相比，我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。 这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案（约为1μm，紫外线和NIR暴露； <100 nm，具有E型束）。 我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。我们探索了6-18 nm tm 3+ - ，yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响，发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。相比之下，对较大的UCNP进行构图需要长链，可交叉的配体，这些配体可提供足够的颗粒间距，以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。与使用可交联液体单体的方法相比，我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案（约为1μm，紫外线和NIR暴露； <100 nm，具有E型束）。我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。沉积的UCNP模式保留了它们的上转换，雪崩和照片处理行为，可以在模式的光学设备中利用这些行为，以用于下一代UCNP应用程序。
L2O-ILT：学习优化逆向光刻技术
一、引言 随着技术节点的不断缩小，邻近效应和光学衍射变得不可忽略，严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术（RET）是为了减少光刻过程中的印刷误差而开发的。光学邻近校正（OPC）是广泛使用的RET之一，通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]、[2]、[3]和基于逆光刻技术（ILT）的方法[4]、[5]、[6]、[7]、[8]、[9]。对于基于模型的 OPC，首先将掩模中的多边形边缘划分为段，然后在光刻模拟模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩模表示为逐像素函数 [4] 、 [5] 、 [6] 、 [7] 、 [10] 或水平集函数 [8] 、 [9] 、 [11] 、 [12] 。然后，将 OPC 过程建模为逆问题，可以通过优化