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利用激光写入器进行局部光漂白染料微结构化获得选择性光栅
1. 简介光学活性有机材料的图案化是众多涉及有机发射极的应用的关键特征。有机材料的图案化通常使用软光刻工艺实现 [1,2]，因为微电子领域中使用的传统光刻技术通常与敏感材料不兼容 [3]。尽管如此，软光刻通常需要复杂的层转移和表面化学，这取决于预想的器件结构。染料光漂白代表了一种替代的结构化方法。通常，光漂白被认为是有机发射极的限制 [4,5]。但是，可利用此特性来抑制染料的发射和吸收 [6]，这可用于控制染料特性以实现强耦合应用 [7]。在本文中，我们提出了一种基于染料层局部光漂白 [7,8] 的新方法，从而无需复杂的光刻处理即可获得微结构有机材料。此外，我们利用工业激光写入器对材料进行局部光漂白。与所有无掩模光刻方法（例如基于空间光调制器的光刻 [9,10]）一样，这种用途广泛的技术可以轻松制造任何类型的微结构平面几何形状。此外，光漂白方法的主要兴趣之一是它只改变吸收波长范围内的光学指数 [7]。因此，获得的结构强烈依赖于波长。为了验证我们方法的效率，我们建议将这一概念应用于制造不同形状和周期的波长选择性光栅。这种简单的加工技术可以作为先前描述的选择性波长光栅制造方法 [11–15] 的便捷替代方法，例如多重干涉 [11–13]、胆甾液晶 [14,15] 或等离子体系统 [16,17]。
多层烧结工艺提高微型齿轮壁厚均匀性
摘要：电铸层厚度不均匀性是制约电铸微金属器件发展的瓶颈问题。微齿轮是各类微器件的关键元件，本文提出了一种提高其厚度均匀性的新制备方法。通过仿真分析研究了光刻胶厚度对均匀性的影响，结果表明随着光刻胶厚度的增加，电流密度的边缘效应减小，电铸齿轮的厚度不均匀性会减小。与传统的一步正面光刻和电铸方法不同，该方法采用多步自对准光刻和电铸工艺制备微齿轮结构，在交替光刻和电铸过程中间歇地保持光刻胶厚度的降低。实验结果表明，该方法制备的微齿轮厚度均匀性比传统方法提高了45.7%。同时，齿轮结构中部区域的粗糙度降低了17.4%。
使用统计技术管理设计、可靠性和测试中的光刻变化
1.1 光学光刻基础知识 ..............................3 1.1.1 光学系统特性 .............。。。。。。。。。。。。。。。。4 1.1.1.1 分辨率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4
在 Multibeam Corporation，我们正在创造将塑造微电子未来的技术。现在是一个激动人心的时刻——我们正在推出一款产品
作为直写光刻工程师，您将处于一个独特的位置，能够支持 Multibeam 的下一代电子束写入系统。您将为这个创新的光刻平台创建和验证新颖的写入技术和关键工具自动化策略。您将结合对系统设计和物理的理解以及计算方法，以扩展系统性能。作为工艺工程团队的一员，您将与公司其他部门密切合作，尤其是我们的柱技术和软件团队以及外部合作伙伴。理想的候选人是独立、灵活的，并且喜欢在快节奏和富有创意的技术环境中工作。
通过先进的过滤技术调节 EUV 光刻胶中的缺陷率
EUV 光刻技术是解决先进技术节点关键尺寸的主流技术，目前处于 18nm 及以下的范围内 [1]。EUVL 首次应用于制造领域，利用的是化学放大光刻胶 (CAR) [2]。在 ArF 和 ArF 浸没式光刻中，CAR 的过滤（无论是在本体还是在使用点 (POU)）已证明对减少微桥起着重要作用，主要是通过去除硬颗粒和凝胶 [3-6]。对于 ArFi，EUV 带来了新的挑战，不仅要达到所需的线条粗糙度、灵敏度和分辨率，还需要大幅减少线条塌陷、微桥和断线等缺陷。在这项研究中，它展示了利用新型 POU 过滤来调节微桥和实现卓越启动行为的能力，这两者对于实现大批量制造的 EUVL 都至关重要。在由 TEL CleanTrack LITHIUS Pro-Z 和 ASML NXE:3400B 组成的 imec EUV 集群上测试了不同的 POU 过滤器。通过测量冲洗溶剂体积与 19nm 大小的缺陷之间的函数关系来评估启动性能，结果表明可以快速达到稳定的基线。使用市售光刻胶进行的光刻实验旨在降低晶圆缺陷率，实验结果一致表明，在 16nm L/S 测试载体上，光刻胶显影后 (ADI) 和光刻胶蚀刻后 (AEI) 微桥显著减少。讨论了膜物理固有设计和新型清洁对 POU 设备的影响。关键词：EUV 光刻、微桥、POU 过滤
通过高级图案技术制造高性能灵活传感器
抽象传感器在智力时代的信息感知中起着重要的作用，尤其是在环境监测和人类感知等领域。为了满足整个社会中信息获取的巨大要求，使用图案制造技术的详细传感器结构的开发对于提高传感器的性能很重要。创建模式的结构可以增强敏感材料和目标物质之间的相互作用，增加传感器和目标物质之间的接触面积，扩大目标物质对传感器结构的影响，并通过构建阵列增强信息传感的密度。本评论介绍了图案化的微纳米结构制造技术的全面概述，以增强灵活传感器的性能，包括打印，曝光光刻，霉菌方法，软光刻，纳米印刷光刻和激光直接写作技术。同时，它介绍了灵活传感器性能的评估方法，并讨论了图案结构如何影响这种性能。最后，根据不同类型的柔性传感器引入了一些实用的图案制造技术示例。本评论还总结了这些技术在增强这些技术中的作用的前景
二维材料的热机械纳米切割 - Infoscience
为了生产二维材料的纳米结构，通常使用自上而下的技术，例如光刻[6]、电子束光刻（EBL）[7]和离子束光刻[8]。最近观察到，使用电子或离子的光刻技术可能会导致二维材料的结构损伤[9]或增加抗蚀剂污染，而这些污染需要通过等离子清洗去除。[10]激光烧蚀是一种无抗蚀剂的一步式替代方法[11–13]，但光学衍射极限阻碍了其在需要亚微米分辨率的场合使用。自下而上的技术，例如化学气相沉积和位置选择性生长[14,15]，可实现可扩展性和高分辨率。然而，复杂器件结构的可重复制造和器件集成仍未解决。扫描探针光刻（SPL）包含一组纳米光刻技术，可实现需要超高分辨率的独特应用。 [16] SPL 的工作原理基于纳米探针和表面之间的各种物理和化学相互作用，并且已应用于 2D 材料的机械划痕、[17] 局部氧化、[18,19] 和浸笔工艺。[5] 具体来说，热扫描探针光刻 (t-SPL) 是一种新兴的直写方法，它使用加热的纳米尖端进行 2D 和 3D 减材/增材制造。[20–22] t-SPL 的图案创建是通过使用加热的纳米尖端连续压痕样品同时扫描样品来完成的。除了超快写入之外，还可以用冷尖端对样品进行成像，类似于传统的原子力显微镜 (AFM)，从而实现闭环光刻和图案叠加。在这里，我们表明，通常应用于可升华聚合物的热机械压痕技术也允许直接切割 2D 材料。为此，我们在环境压力和温度下使用 t-SPL，通过加热的纳米尖端局部热机械切割 2D 材料的化学键。展示了单层 MoTe 2 的 20 纳米分辨率图案，以及它对其他 2D 材料（如 MoS 2 和 MoSe 2）的适用性。相对于 EBL，所提出的技术不需要高真空并可避免电子诱导损伤，因此可以非常经济高效的方式轻松实施，以制作高质量 2D 纳米结构的原型和制造。对于大多数应用，2D 材料的功能性纳米结构必须通过光刻技术进行图案化。在这里，我们开发了一种用于单层 2D 材料的一步光刻技术，也称为直接纳米切割，使用热机械压痕法，如图 1 a 所示。为此，我们将 2D 材料薄片直接转移到 50 纳米厚的可升华聚合物层上，该层由旋涂机制成，然后通过热机械压痕法进行图案化。
通过光学和纳米图形光刻
摘要：氧化锆（ZRO 2）是一种良好且有前途的材料，由于其出色的化学和物理特性。在用于腐蚀保护层，磨损和氧化的涂料中，在光学应用（镜像，滤波器）中用于装饰组件，用于反伪造的解决方案和医疗应用。ZRO 2可以使用不同的沉积方法（例如物理蒸气沉积（PVD）或化学蒸气沉积（CVD））作为薄膜获得。这些技术是掌握的，但由于固有特性（高熔点，机械和耐化学性），它们不允许对这些涂层进行微纳米结构。本文描述的一种替代方法是Sol-Gel方法，该方法允许使用光学或纳米图形印刷术的无物理或化学蚀刻过程的ZRO 2层进行直接微纳米结构。在本文中，作者提出了一种完整且合适的ZRO 2 SOL-GEL方法，允许通过光学或纳米IMPRINT光刻来实现复杂的微纳米结构，以实现不同性质和形状的基材（尤其是非平面和箔材料的底物）。通过掩盖，胶体光刻和玻璃和塑料底物以及平面和弯曲的底物，通过掩盖，胶体光刻和纳米图光刻来呈现ZRO 2 Sol-Gel的合成以及微纳米结构过程。
