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圣安东尼奥住房管理局董事会
运营 3.审议并采取适当行动，关于第 5700 号决议，授权批准接受 150 万美元并与圣安东尼奥市签署内城税收增量区 (TIRZ) 协议，用于维多利亚公共多户型开发（开发服务和社区振兴总监 Lorraine Robles；高级开发规划经理 Ramiro Maldonado）4.审议并采取适当行动，关于第 5702 号决议，授权授予 W.C. 合同。白色排水、爬行空间和屏风墙维修，由 Ben Reyna Contracting, Inc. (ESBE、HABE、MBE、SBE、HUB) 承包，金额不超过 283,741.20 美元（采购和总务总监 Steven Morando；建筑服务和可持续性总监 Hector Martinez）5.考虑并采取适当行动，针对第 5703 号决议，授权将混凝土和沥青维护、维修和更换合同授予 San Antonio Asphalt and Maintenance, LLC dba Texas Asphalt (ESBE、HABE、MBE、SBE、HEB、HUB)，每年累计金额不超过 150,000.00 美元；为期一年，可选择续签四个额外的一年期（采购和总务总监 Steven Morando；公共住房总监 David Clark）
KTaO₃ 薄膜的首次生长和表征......
该项目首次采用氧化物分子束外延 (MBE) 来生长 KTaO ₃ (KTO) 薄膜。早期生长使用 (100) SrTiO ₃ (STO) 基材进行，以尝试微调生长参数。此外，还使用了通过炉加热的 TaO ₂ 亚氧化物源和通过电子束加热的 Ta 源，并分析和比较了它们各自的薄膜。通过反射高能电子衍射 (RHEED) 进行原位监测，以及通过原子力显微镜 (AFM) 和 X 射线衍射 (XRD) 进行生长后表征，可以在整个项目中进行表面和晶体分析。来自亚氧化物和电子束加热 Ta 源的薄膜显示出相似的晶体质量，然而，在亚氧化物生长的 KTO 表面上发现更高浓度的氧化物杂质。成功生长 KTO 后，使用稀土钪酸盐 (110) 衬底 GdScO ₃ (GSO) 和 DyScO ₃ (DSO)，因为它们与 KTO 的“立方体对伪立方体”界面将分别产生理论上 0.55% 和 0.93% 的压缩应变。通过逆空间映射 (RSM)，GSO 衬底在 KTO 薄膜上显示出相称的应变，而 DSO 衬底仅显示部分应变。总体而言，使用 MBE 生长 KTO 可实现高结晶质量，为 KTO 薄膜合成和铁电 KTO 分析指明了光明的未来。
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
纽约市住房管理局M/WBE利用计划＆...
B. M/WBE利用计划NYCHA于2021年7月启动了正式的M/WBE计划，并采用了反映纽约市的M/WBE利用目标。根据这些目标并增加了合同机会的多样性，公平性和包容性，需要将素数分包为分包总合同价值的30％，并取决于质量是MBE还是WBE认证。NYCHA仅认可获得城市认证的M/WBE（即获得小型企业服务认证的供应商）。利用目标如下：
Trinity Term 2024：Termcard
Barbara Hamm Ond MBE博士是她在2011年成立的社区能源业务的低碳Hub IPS Ltd的首席执行官，现在已经成长为拥有2500万英镑可再生能源项目的位置，并与牛津郡的46个社区能源集团合作。它可以参与国家重要的创新项目，例如狮子座项目，阐明了如何实现由可再生能源提供支持的零碳能源系统的过渡。在这次演讲中，她将反思这一旅程，并讨论在社区规模上工作对于有序过渡到由可再生电力提供支持的零碳能量过渡至关重要的。
Alberto Calloni – 2017 年简历
自 2010 年以来，他一直致力于通过分子束外延 (MBE) 制造此类材料，并通过角度和自旋分辨光发射和逆光发射光谱 (PES 和 IPES) 对其进行原位表征。这项研究是在内部或大型设施（如位于的里雅斯特的 Elettra 同步加速器光源）上完成的，利用了 X 射线磁圆二色性 (XMCD) 或近边 X 射线吸收精细结构光谱 (NEXAFS) 等特殊技术。与米兰意大利理工学院纳米科学与技术中心的合作得到了认可，重点是表征用于有机电子和有机太阳能电池的可溶液加工新型材料。
美国陆军作战能力发展...
• 使用模块化开放系统方法 (MOSA) 和开放标准 (例如 FACE、HOST) 的开放系统架构 (OSA) – 减少开发进度和总生命周期成本 • 高效 (及时且经济高效) 的系统修改 • 集成/互操作性/适应性 – 竞争力 • 利用商业投资 • 超越/缓解技术过时 • 缓解供应商锁定风险 • 基于模型的工程 (MBE) – 基于模型的规范和获取 (使用 FACE 和 SysML) – 基于模型的分析 • 以架构为中心的虚拟集成过程 (ACVIP) – 缺陷和集成问题的早期分析检测 – 组合、增量和形式分析 – FACE 到 AADL 和 SysML 到 AADL 桥接
转移单晶铋纳米薄膜中相干声学声子的量子限制
铋是一种新兴的量子材料，具有令人着迷的物理特性，例如半金属-半导体 (SM-SC) 跃迁 1-8 和拓扑绝缘态。9-12 分子束外延 (MBE) 生长技术的发展已经生产出高质量的 Bi 薄膜，其中过去五十年理论上预测的丰富物理特性可以通过实验实现。例子包括但不限于卓越的表面态自旋和谷特性、2,13 超导性、14 瞬态高对称相变 15 和非谐散射。16,17 此外，介电常数的负实部和较小的虚部的结合，以及强的带间跃迁，使其在带间等离子体中应用前景广阔。 18 尽管如此，单晶 Bi 纳米薄膜在实际器件中的应用仍然受到限制，因为它们只能在晶格匹配的衬底上生长，例如硅 (111)、19 BaF 2 (111)、20 和云母。21 最近，Walker 等人介绍了一种双悬臂梁断裂 8,22 和热释放胶带 23 技术，用于将大面积 MBE Bi 纳米薄膜从 Si (111) 干转移到任意衬底；他们还表明，转移薄膜的电学/光学/结构特性与原生薄膜相当。8,23 该技术可以研究 Bi 在任意衬底上的独特电子、声子和自旋电子特性，例如用于新兴器件的透明、柔性、磁性或拓扑绝缘衬底。大多数
AIAA DEIC 数字线程立场文件报告
数字线程描述了模型与相关产品开发信息的全面联系，涵盖了整个产品生命周期，并包括系统开发中的客户、供应商和合作伙伴。感兴趣的系统可以是产品或服务，也可以像系统的定义一样广泛。数字线程无缝连接产品生命周期中的信息，以便深入了解、跟踪和重复使用从开始到维持所获得的知识。数据和信息是在数字化（无需手动交接）、可扩展且灵活的框架中生成和使用的。NIST 将数字线程基于模型的工程 (MBE) 定义为“一种使用数字模型来驱动所有工程活动的产品开发、制造和生命周期支持方法。”