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杨氏模量、泊松比的测量，以及……
多晶硅拉伸试样在北卡罗来纳州微电子中心 (MCNC) 制造，并在约翰霍普金斯大学应用物理实验室进行测试准备。MCNC 的 DARPA 支持的多用户 MEMS 工艺 (MUMP) 是制造表面微机械设备常用的典型工艺。两层多晶硅用于形成 MEMS 设备的结构元件。多晶硅层由磷硅酸盐玻璃 (PSG) 牺牲层隔开，并通过一层氮化硅与支撑硅基板隔离。最后的金属层定义了设备的电触点。当设备制造完成后，PSG 层会溶解在蚀刻溶液中以释放机械结构。
一种具有错误率保证的高效近似节点合并方法
近似计算是针对容错应用的一种新兴设计范式，例如信号处理和机器学习。在近似计算中，近似电路的面积、延迟或功耗可以通过牺牲其精度来改善。在本文中，我们提出了一种基于节点合并技术并保证错误率的近似逻辑综合方法。我们的方法的思想是用常数值替换内部节点，并合并电路中两个功能相似的节点。我们在一组 IWLS 2005 和 MCNC 基准上进行了实验。实验结果表明，我们的方法最多可以减少面积 80%，平均减少 31%。与最新方法相比，在同样 5% 的错误率约束下，我们的方法加速了 51 倍。