摘要。氧化硅基材料(例如石英和二氧化硅)被广泛用于微机电系统(MEMS)。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法,但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果,并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室(RIE)室中比较了三个气体化学(C 4 F 8 /O 2,CF 4和SF 6)及其混合物。已经确定,纯SF 6是最好的蚀刻剂,而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数,并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4:1纵横比的蚀刻结构,并且对(38-49)的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。
印度空间研究组织 (ISRO) 在其维克拉姆·萨拉巴伊航天中心 (VSSC) 开发了一种 MEMS 声学传感器技术。该传感器用于监测卫星运载火箭发射期间产生的声级。它是一种内置电子设备的压电 MEMS 传感器。MEMS 技术使微型设备能够精确批量制造。该传感器可在恶劣环境下工作,并能经受振动测试、冲击测试、湿度测试、温度浸泡测试。这是第一个在印度运载火箭上进行飞行测试的自主开发的 MEMS 传感器,具有 12 次连续 PSLV 飞行的运行记录。突出特点 突出特点 突出特点 突出特点 • 体相微加工硅振膜,硅上带有压电感应层 • 范围:100 至 180dB(2Pa 至 20KPa) • 频率范围:31.5Hz 至 6.3KHz,1/3 倍频程中心频率 • 灵敏度:150 至 200uV/Pa
摘要:微机电系统 (MEMS) 的发展进步使得制造廉价、小尺寸的加速度计和陀螺仪成为可能,它们被用于许多需要进行全球定位系统 (GPS) 和惯性导航系统 (INS) 集成的应用中,即,识别轨道缺陷、地面和行人导航、无人驾驶飞行器 (UAV)、许多平台的稳定等。虽然这些 MEMS 传感器成本低廉,但它们会出现不同的误差,从而在短时间内降低导航系统的准确性。因此,有必要对这些错误进行适当的建模,以尽量减少这些错误,从而提高系统性能。在本研究中,我们展示并比较了目前用于分析影响这些传感器的随机误差的最常用技术:我们详细研究了自相关、Allan 方差 (AV) 和功率谱密度 (PSD) 技术。随后,还实现了惯性传感器的分析和建模,其中结合了自回归 (AR) 滤波器和小波去噪。由于低成本 INS(MEMS 级)的误差源包括短期(高频)和长期(低频)分量,我们引入了一种通过对 Allan 方差、小波去噪和选择分解级别进行完整分析来补偿这些误差项的方法,以实现这些技术的适当组合。最后,为了评估使用这些技术获得的随机模型,扩展卡尔曼
用于 MEMS 封装的高柔性芯片粘接粘合剂 Dr. Tobias Königer DELO 工业粘合剂 DELO-Allee 1 86949 Windach,德国 电话 +49 8193 9900-365 传真 +49 8193 9900-5365 电子邮件 tobias.koeniger@delo.de 摘要 大多数 MEMS 封装的芯片粘接材料必须具有高柔性,因为在装配过程和应用过程中的温度变化可能导致热机械应力,这是由于基板、芯片和粘合剂的热膨胀系数不同造成的。热机械应力会导致对应力极为敏感的 MEMS 设备的信号特性失真。在本文中,我们开发了高柔性热固化粘合剂,其杨氏模量在室温下低至 5 MPa (0.725 ksi)。 DMTA 测量表明,在 +120 °C (+248 °F) 温度下储存不会导致粘合剂脆化,而脆化会对 MEMS 封装的可靠性产生负面影响。在 +120 °C (+248 °F) 下储存长达 1000 小时后,杨氏模量没有增加。粘合剂在低至 +100 °C (+212 °F) 的极低温度下固化,从而减少了组装过程中的应力产生。此外,粘合剂具有非常友好的工艺特性。处理时间可以达到一周以上。双重固化选项可在几秒钟内对芯片进行初步光固定。关键词粘合剂、MEMS 封装、应力、芯片粘接、粘合
该项目的范围是研究使用噪声相关性和卡尔曼滤波来提高包含多个 MEMS 陀螺仪的传感器阵列性能的可能性。该项目基于 Bayard 和 Ploen 的工作,他们通过模拟表明,通过结合有利相关的陀螺仪的测量值可以提高 MEMS 陀螺仪的性能。此外,该项目还研究了使用期望最大化识别噪声相关性的可能性。该项目是与 CDL Scotland 合作提出和实施的,CDL Scotland 是海底惯性导航传感器和解决方案的开发商和提供商。CDL 为该项目设计了一个定制传感器板,其中包含八个中级陀螺仪和附加接口硬件。
表 1.设备摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 表 2.引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 表 3.过滤值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 表 4.机械特性 @ Vdd = 3.0 V, T = 25 °C 除非另有说明。.........8 表 5。电气特性 @ Vdd =3.0 V, T=25 °C 除非另有说明。.............9 表 6.温度。传感器特性 @ Vdd =3.0 V, T=25 °C 除非另有说明 ........9 表 7.SPI 从属时序值。..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.10 表 8.I2C 从属时序值(TBC) ....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.11 表 9.绝对最大额定值 ...................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 表10.串行接口引脚说明 ..........< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 11.I2C 术语。...< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>......18 表 12.SAD+读写模式。...< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.19 表 13.主机向从机写入一个字节时的传输 ...............................19 表 14.主机向从机写入多个字节时的传输 ..........................20 表 15.当主机从从机接收(读取)一个字节数据时进行传输 ..............20 表 16.主机从从机接收(读取)多个字节数据时的传输 ........20 表 17.文档修订历史 ...。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26