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GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构，例如 HEMT 和 HJBT。此外，GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能，可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后，还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。
时钟频率为 4 GHz 的 GaAs MESFET 逻辑
TA Zimmerman (S'62-S'64-M'71) 获得了辛辛那提大学 (俄亥俄州辛辛那提市) 的电子工程学士学位，以及普渡大学 (印第安纳州拉斐特市) 的硕士和博士学位。他目前是加利福尼亚州雷东多海滩 TRW 系统集团微电子实验室电荷转移 LSI 产品部的部门经理。他负责所有 MOS 和 CCD 电路的设计和应用。此外，自 1972 年 7 月以来，他一直指导 TRW 的 CCD 应用项目。在担任现职之前，他从事微电子传感器技术工作。加入 TRW 之前，他曾在普渡大学负责发起和开发一个涉及地球物理涡旋“现场”测量的研究项目。他还曾担任普渡大学的研究生导师，目前是加利福尼亚大学洛杉矶分校的副教授。他是30多篇技术论文的作者，拥有一项国内专利和一项国外专利以及多项专利申请。