我的主要职业目标是将我在电气和计算机工程方面的背景充分运用在令人满意的研发事业中。作为一个快速学习者,我对编程和工程基础知识有着扎实的理解,我相信我有能力通过利用过去的经验并在必要时发展新技能,为几乎任何团队工作做出有意义的贡献。我参与过的项目范围从低级 ASIC 布局到高级机器学习软件,但我最近的项目重点是描述辐射对微电子的影响。我目前正在接受 DOE Q 许可评估,如有要求可提供参考资料。
(1) 能够运用工程、科学和数学原理来识别、制定和解决复杂的工程问题(CLO 1、2、3、4);(2) 能够运用工程设计来提供满足特定需求的解决方案,同时考虑公共健康、安全和福利,以及全球、文化、社会、环境和经济因素(CLO 3、4、5);(4) 能够认识到工程情况下的道德和职业责任,并做出明智的判断,其中必须考虑工程解决方案在全球、经济、环境和社会背景下的影响(CLO 3、4)(6)能够开发和进行适当的实验,分析和解释数据,并运用工程判断得出结论(CLO 1、2、3、5);(7) 能够使用适当的学习策略获取和应用新知识(CLO 3、4、5)。
在2023年1月18日的公司宣布和2023年2月24日的公司通函中规定,Hua Hong Manufacturing将从事综合电路和12英寸(300mm)Wafers的制造和销售业务,主要采用65/55 Nm至40 nm的工艺。此后,Hua Hong Manufacturing进入了Hua Hong Manufacturing EPC合同,还与建造生产工厂,电力设施和辅助设施的建设有关,以期开发自己的生产线以制造12英寸(300mm)集成电路芯片。有关更多详细信息,请参阅2023年5月19日和2023年6月5日的公司的宣布。
本公司于 2023 年 1 月 18 日发布的公告及于 2023 年 2 月 24 日发布的通函载明,华虹制造将从事集成电路及 12 英寸(300 毫米)晶圆制造及销售业务,主要采用 65/55 纳米至 40 纳米工艺。其后,华虹制造订立华虹制造 EPC 合同,内容涉及(其中包括)建设生产厂房、电力设施及辅助设施,旨在发展其自有生产线以生产 12 英寸(300 毫米)集成电路芯片。有关详情,请参阅本公司于 2023 年 5 月 19 日发布的公告及于 2023 年 6 月 5 日发布的通函。
VI. 参考文献 [1] Jamin Ling Joseph Sanchez Ralph Moyer 2、Mark Bachman 2、Dave Stepniak I、Pete Elenius 'Kulicke & Soffa“倒装芯片技术的铜上直接凸块工艺”2002 年电子元件与技术会议。 [2] Li Li、M. Nagar、J. Xue“热界面材料对倒装芯片 PBGA 和 SiP 封装制造和可靠性的影响”2008 年第 58 届电子元件与技术会议。 [3] Samuel Massa、David Shahin、Ishan Wathuthanthri 博士、Annaliese Drechsler 和 Rajneeta Basantkumar“具有不同凸块成分的倒装芯片键合工艺开发”2019 年国际晶圆级封装会议论文集。
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势,它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势,尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场,因此能够在更高的电压下工作。此外,GaN 器件的阻抗要高得多,因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言,与竞争对手的射频相比,GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
美国在半导体中的前进道路 - 支持筹码投资主持人的整个赞助商政府方法:波士顿咨询集团(BCG)小组成员:亚利桑那州商业管理局•美国BDO•美国迈西康是印第安纳州的迈西宫指南针,印第安纳州•美国商务部•美国商务部
1开发,老化和再生计划,遗传疾病与衰老研究中心,桑福德·伯纳姆·普雷比斯医学发现研究所,美国圣地亚哥; 2美国圣地亚哥医学院桑福德再生医学联盟生物工程系; 3美国罗切斯特梅奥诊所的心血管遗传学研究实验室; 4美国罗切斯特梅奥诊所定量健康科学系计算生物学系; 5美国圣地亚哥的拉迪医院MC 5004儿科医学院儿科医学院; 6美国罗切斯特市梅奥诊所分子和药理学系儿科和青少年医学系儿科心脏病学再生医学中心,分子与药理学系和实验治疗师; 7儿科和青少年医学系心血管医学系,心血管遗传学研究实验室,美国罗切斯特梅奥诊所
SSPL 从研发走向生产的梦想已经结出硕果,其产品系列完全由其自主开发。GaN MMIC、高功率激光二极管、与红外探测相关的关键子技术以及基于 MEMS、声发射和 SAW 设备的传感器是 SSPL 的旗舰开发领域。这些技术领域的产品包括功率放大器、低噪声放大器、芯片形式的 SPDT 开关、SiC 单晶晶片、单发射器光纤耦合激光二极管、斯特林制冷机、红外敏感材料、MEMS g 开关、e-Nasika CWA 探测器和用于爆炸物检测的基于 CNT 的 n-Nose。SSPL 开发的多项技术和产品已被 DRDO 实验室和太空应用所接受和使用。
简介。在各个技术领域使用某种组成的层(涂层)真空沉积[1-5]。目前,对于生产许多微电子,光学和仪器的产品,需要在其表面上以厚度均匀地形成功能性涂层,尤其是反射性,吸收,导电和保护性涂层。许多零件及其性能特征的质量取决于功能涂层的特性。在某些情况下,均匀性的设计公差(与“厚度均匀性”的偏差)可能为±5%或更少。在实施用于获得此类涂层的技术过程时,由于缺乏实质性数据以确保所需的均匀性而出现重大困难。