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金属间层通过M3D IC
摘要 - 单层三维集成电路（M3D-IC）中的（MIV）的金属间层中的Miv（MIV）用于连接层间设备，并在多层跨多层提供功率和时钟信号。MIV的大小与逻辑门相当，因为由于顺序集成，底物层的显着降低。尽管MIV的尺寸很小，但MIV对相邻设备性能的影响应考虑在M3D-IC技术中实现IC设计。在这项工作中，我们会系统地研究晶体管在MIV附近放置的晶体管性能变化，以了解MIV通过底物时MIV对相邻设备的影响。仿真结果表明，应考虑使用MIV的保留区（KOZ）以确保M3D-IC技术的可靠性，并且该KOZ高度依赖于M3D-IC过程。在本文中，我们表明，考虑到M1金属螺距的MIV附近的晶体管，因为分离将具有高达68、668×增加泄漏电流，当通道掺杂为10 15 cm - 3，源/排水掺杂，10 18 cm -3
单片 3D 集成中高效可扩展的带扩展栅极的 MIV 晶体管（已在 MWSCAS 2023 中接受）
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制，因此需要加以解决。以前的研究集中于利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，所提出的 MIV 晶体管的漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件
单片 3D 集成中具有扩展栅极的高效可扩展 MIV 晶体管
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制因素，因此需要加以解决。以前的研究主要集中在利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，对于所提出的 MIV 晶体管，漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 4.9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件
NOTAM 流程 - NBAA
• 跑道状况 – !MIV 07/123 MIV RWY 10/28 CLSD 0709021200-0709021600 • 滑行道状态 – !RDU 07/123 RDU TWY A CLSD BTWN A1, A2 TIL 0709011600 • 坡道状态 – !MEM 07/123 MEM RAMP PAEW FEDEX CARGO EAST • 其他状态信息 – !LOU 07/123 LOZ (O) CONTROLLED BURN 6.5SM NORTH TIL 0708302200
新加坡治疗产品注册指南。......
25.1 评估途径 ................................................................................................ 159 25.2 资格标准 ................................................................................................ 159 25.3 文件要求 ................................................................................................ 160 25.4 “Me-too”重新分类 ...................................................................................... 161 第 H 章 微小变更（MIV）申请提交 ...................................................................... 162 26 申请类型 ............................................................................................................. 162 27 申请提交 ............................................................................................................. 163
AUSNET嵌入式发电机和电池性能和研究指南
Abbreviation Meaning ADMS Advanced Distribution Management System AEMO Australian Energy Market Operator AST AusNet BESS Battery Energy Storage System CB Circuit Breaker DFA Distribution Feeder Automation DLL Dynamic Link Library DYR PSS®E Dynamic Settings File EDCoP Electricity Distribution Code of Practice EG Embedded Generator EHV Extra High Voltage (>230 kV) EMT Electromagnetic Transient FAT Factory Acceptance Testing FCAS Frequency控制辅助服务FRT故障直通h和谐波高压高压（35至230 kV）Hz Hertz ibr基于资源ID识别IEC国际电子技术委员会KA KAO-AMP KV KV KV KIM-AMP KV KILOVOLT LIB LIB LIB LIB LIB LIBL LIB LIBLIT LIV lv低电压（<1KV）MBDPSSSINCSINCSINCS®SINCSINCS®SINCSINCS®SINCSINCS®SINCSINCS®SINCRIPERMFR RIFFER MIV）MV） MVA Mega Volt Ampere MVAr Mega Volt Ampere Reactive MW Mega Watt NEM National Electricity Market NER National Electricity Rules OBJ Object file OEM Original Equipment Manufacturer PF Power Factor P lt Long-term flicker PoC Point of Connection PPC Power Plant Controller P-Q Active & Reactive Power PSCAD™ Power System Computer Aided Design PSS®E Power System Simulator for Engineering P st Short-term flicker REFCL Rapid Earth Fault Current Limiter RMS Root Mean Square RoCoF Rate of Change of Frequency RUG Releasable User Guide SCADA Supervisory control and data acquisition SCR Short Circuit Ratio SINCAL SIemens Network CALculation SLD Single Line Diagram SMIB Single Machine Infinite Bus SOP Standard Operating Procedure TR Technical Report VRR Voltage Regulation Relay X/R Ratio of reactance over resistance ZSS Zone Substation