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S1 数字/模拟无线电广播混音器 - Sonifex
在 meterbridge 区域，您可以从四种计量方式（VU、PPM 动圈、真 PPM 动圈和 LED）、相位计、双定时器、PFL/Talkback 扬声器、2 个 talkback 模块、6 个输入源选择器和一系列开关/消隐板中进行选择。S2 的 meterbridge 模块可自由分配，meterbridge 中最多可容纳 3 个。
采用CMOS技术设计吉尔伯特单元混频器
提出了一种采用 180 nm CMOS 工艺的上变频混频器。本研究详细阐述了几种混频器的类型、混频器的性能参数、混频器的拓扑结构以及提高混频器性能的设计技术。主要目的是提高增益、增加线性度和噪声系数。有四种金属层可供设计。对以前发表的研究进行了比较，并提出了低功耗混频器的最佳拓扑结构。关键词：混频器，噪声系数，变频增益，CMOS 1. 简介超宽带 (UWB) 系统是无线通信的主要技术之一。混频器是将 RF 信号转换为基带信号的关键。混频器是 RF 通信系统中最重要的元件之一。当两个不同的输入频率插入另外两个端口时，它被设计为在单个输出端口产生和频和差频。插入两个输入端口的两个信号通常是本振信号和输入（对于接收器）或输出（对于发射器）信号。要产生新频率（或新频率），需要非线性设备。射频混频器本质上是一种将信号从一个频率移到另一个频率的设备。混频器产生输入频率、LO 频率及其互调产物的谐波。这些谐波增加了混频器的非线性。设计混频器的基本目标是抑制谐波。理想的混频器是一个乘法器电路。理想的混频器将一个载波频率周围的调制转换到另一个载波频率。由于混频器是一种非线性设备，因此它无法执行频率转换。
S1 数字/模拟无线电广播混音器 - Sonifex
在 meterbridge 区域，您可以从四种计量方式（VU、PPM 动圈、真 PPM 动圈和 LED）、相位计、双定时器、PFL/Talkback 扬声器、2 个 talkback 模块、6 个输入源选择器和一系列开关/消隐板中进行选择。S2 的 meterbridge 模块可自由分配，meterbridge 中最多可容纳 3 个。
神经元混合器及其对人脑动力学的影响
同样，三重态𝑓1，𝑓2和∑𝑓 =𝑓=𝑓1 +𝑓2，三重态𝑓1，∆𝑓和∑𝑓以及三重态𝑓2，∆𝑓和∑𝑓的瞬时阶段也必须显示三路相依赖性。一起，四个频率包含一个频率混合四频。我们重复了离体实验，但现在我们记录了没有电刺激的跨膜电势，然后评估了所有可能的频率混合四分之一的联合相互作用（即根：𝑓1，𝑓2; products：25
Mira Platinum 数字混合淋浴安装指南 1.1566 ...
根据安装时有效的“插头和插座等（安全）条例”的现行版本。Mira 数字混合阀旨在永久连接到电源系统的固定电线。应根据当地接线条例在固定接线中提供设备电气隔离的装置。
基于SIC平台上Fermi级托管障碍二极管的300 GHz频段的低噪声平衡搅拌机
复杂的编码方案，例如正交相移键合和正交振幅调制，由于其较高的频谱效率而被广泛用于宽带无线通信系统中[1，2，3，4]。在这些方案中，正交混合器是向下转换接收到的信号（i）和正交相（q）中间频率（if）信号的关键元素。使用半导体设备[5,6,7,7,8,9]制造此类接收器电路，预计当载体频率较高时，例如在Terahertz（THZ）波范围内，由于在半导体底物上制造的平面波导在thz-Wave范围内变得相当损失和分配。一个基于半导体的设备还需要接线或翻转芯片键[6，13]，通常用石英底物制造的波导耦合器，这些连接可能会导致反射和/或损失高频
基于 DTMOS 的吉尔伯特混频器设计，适用于使用电流源辅助器和开关偏置技术的 MICS 接收器
摘要。本文提出了一种基于动态阈值 MOSFET (DTMOS) 的下变频吉尔伯特混频器，用于采用 UMC 180 nm CMOS 工艺的医疗植入通信服务 (MICS) 接收器设计。电流源辅助器和开关偏置技术用于提高基于 DTMOS 的吉尔伯特混频器的性能。所提出的设计在 403 MHz 的射频 (RF) 下工作，在 5 dBm 的 LO 功率下最大变频增益为 12.5 dB。所提出的设计的 1 dB 压缩点和三阶输入截点 (IIP3) 分别为 - 8.79 dBm 和 3.92 dBm，噪声系数 (NF) 在 10 MHz 中频 (IF) 下为 6.6 dB。该设计电路在 0.9 V 电源电压下工作，直流功耗为 0.55 mW，芯片面积为 0.035 9 0.037 mm 2。因此，这种具有高转换增益和更好噪声性能的设计是适合 MICS 应用的模块。
具有共栅极跨导的 1-V 4-mW 差分折叠混频器，采用多反馈实现 18.4-dB 转换增益、+12.5-dBm IIP3 和 8.5-dB NF
摘要 — 本文报道了一种新型差分折叠混频器，该混频器采用多重反馈技术来提高性能。具体而言，我们引入了电容交叉耦合 (CCC) 共栅 (CG) 跨导级，通过提高有效跨导来改善低功耗下的噪声系数 (NF)，同时通过抑制二阶谐波失真来提高线性度。通常，CCC 产生的环路增益会增加三阶互调 (IM3) 失真，从而降低输入参考三阶截点 (IIP3)。在这里，我们建议在 CCC CG 跨导器中加入正电容反馈和第二个电容反馈，不仅可以抑制 IM3 失真电流，还可以增加输入晶体管的设计灵活性。此外，正反馈还通过灵活的设计标准改善了输入阻抗匹配、转换增益和 NF。采用 0.13 µ m 工艺制作的原型机，所提出的混频器工作在 900 MHz，在 1 V 电压下功耗为 4 mW。测得的双边带 (DSB) NF 为 8.5 dB，转换增益 (GC) 为 18.4 dB，IIP3 为 + 12.5 dBm。
HFA3600 数据表 | 瑞萨电子
• LNA + MIXER - 低噪声系数. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V/250 A - 小型封装：14 引脚 SOIC（塑料、小型封装、150 Mil 宽度、50 Mil 引脚间距）