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通过 MOCVD 处理的非晶态氧化铝涂层有效、持久地保护 Ti6242S 钛合金免受高温氧化
钛合金具有极高的强度重量比，可用于多种关键的支持技术。然而，它们在严酷环境中的使用面临着其有限的抗高温氧化性能的挑战。为了解决这个问题，本研究采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 方法在 Ti6242S 合金表面涂覆致密的非晶态氧化铝 AlzO 3 涂层，涂层成分包括三丙醇铝 ATI 和二甲基铝异丙醇 (DMAI)。等温氧化试验表明，与裸露材料相比，涂层 Ti6242S 试样的质量增益抛物线速率常数降低了两个数量级。DMAI Al 2 O 3 涂层合金在 600 °C 下经过 5000 小时的长时间氧化，重量增加 0.180 mg cm-2，而裸露合金的重量增加 1.143 mg cm-2。在这些条件下，会形成一个界面层，其中包含复杂的 TiiAlo 5 Sn 0 .5)（或 (Ti,Sn)zN) 相。在 50 至 600 °C 之间进行 80 次 1 小时循环氧化，结果显示涂层样品的质量增益为零。最后，在氧化试样的横截面上确定的硬度分布表明涂层合金的氧溶解非常有限。非晶态 AlzO 3 的 MOCVD 涂层具有巨大潜力，可有效、持久地防止 Ti6242S 合金氧化。
MBE和MOCVD技术之间的比较
MBE反应器通常包括样品转移室（向空气开放，以允许加载晶圆底物并卸载）和一个生长室（通常密封，仅向空气开放以进行维持），其中底物被转移以进行外延生长。MBE反应堆在超高真空（UHV）条件下运行，以防止空气分子受到污染。如果腔室敞开了空气，则可以加热腔室以加速这些污染物的疏散。通常，MBE逆转中外延的源材料是固体半导体或金属。这些被加热超出其熔点（即源材料蒸发）在积液细胞中。在这里，原子或分子通过一个小孔驱动到MBE真空腔中，该光圈给出高度方向的分子束。这会影响加热的底物；通常由单晶材料制成，例如硅，砷耐加仑（GAAS）或其他半导体。，如果分子不取消分子，它们将在底物表面扩散，从而促进外延生长。然后逐层构建外观，每个层的组成和厚度控制以实现所需的光学和电气性能。基板在生长室内集中安装在被
通过脉冲注射MOCVD生长的纳米结构型锰膜：调整传感器应用的低场和高视野磁磁特性
摘要：LA 0.83 SR 0.83 SR 0.17 MN 1.21 O 3（LSMO）膜的巨大磁磁性（CMR）性能的结果提出了脉冲注射MOCVD技术在各种基板上生长的膜。在切开的单晶石英，多晶Al 2 O 3上生长的厚度为360 nm和60 nm的纤维，以及无定形的Si/SiO 2底物，纳米结构均具有圆柱形的晶体形晶体形成，呈圆形的晶体形状，垂直于LM平面。发现薄膜的形态，微观结构和磁化特性在很大程度上取决于所使用的底物。与其他底物上生长的纤维相比，LSMO/Quartz的低温（25 K）在低温（25 K）中显示出更高的值（-31％在0.7 t时）（-15％）。与在没有其他绝缘氧化物的文献中发表的锰矿文献中发表的结果相比，该值很高。在80 K时测量高达20 t的高级MR也是LSMO/Quartzfim（-56％）的最高MR，并且证明了最高灵敏度S = 0.28 V/T时B = 0.25 T（电压供应2.5 V），这对于磁性传感器应用来说是有希望的。已证明MN过量的Mn/（LA + SR）= 1.21将纤维的金属隔离器过渡温度提高到285 K，从而使磁性传感器的操作温度升高高达363K。这些结果使我们能够在磁性磁性和时间范围内使用预定范围的CMR传感器制造CMR传感器。
学生抗议活动成功推迟了新法律
我们根据使用正交测试设计的CFD仿真，研究了ALN生长的高温MOCVD（HT-MOCVD）数值模型的过程参数。据信，高温生长条件有利于提高ALN膜的效率和结晶质量，而HT-MOCVD反应器中的流场与过程参数密切相关，这将影响膜的均匀性。建立了一个独立开发的概念HT-MOCVD反应器，以进行ALN生长以进行CFD模拟。为了系统地和有效地评估参数在生长均匀性上的作用，使用正交测试设计分析了基于CFD模拟的过程参数。The advantages of the range, matrix and variance methods were considered and the results were analyzed comprehensively and the optimal process parameters were obtained as follows, susceptor rotational speed 400 rpm, operating pressure 40 Torr, gas flow rate 50 slm, substrate temperature 1550 K.
采用 MOCVD 在硅上外延大面积 Sb2Te3 薄膜
必须充分利用它们的物理特性并成功实现器件，例如各种成功的 III-V 半导体器件 40,41 ——最终目标是外延和单晶生长。Sb2Te3（以及其他拓扑绝缘体，如 Bi2Te3 和 Bi2Se3）的外延膜已通过分子束外延工艺直接生长，29,30 该技术在批量生产中显示出其局限性。另一方面，化学气相沉积技术存在形态控制不佳的问题，我们专门研究了 MOCVD 在这方面的研究。 TI 生长中常用的衬底，例如 Si(100)、Si(111) 和 Al 2 O 3 (0001)，与 Sb 2 Te 3 (以及一般的 TI) 存在明显的晶格失配，因此在存在旋转畴的情况下，会生长为取向性较差的多晶层 23,32 – 34 ，只有少数例外 42,43
使用纵横比捕获和界面失配生长方法在 (001) Si 衬底上 MOCVD 生长 GaSb 的比较 Billy Lai、Qiang Li、Kei May
GaSb 在长波长器件中有许多应用，例如带间级联激光器和红外光电探测器 [1-2]。将 GaSb 相关材料单片集成到硅上对于扩展长波长器件的功能和硅平台上的光子集成具有很高的吸引力 [3]。此外，考虑到现代智能手机中红外设备（包括传感器和投影仪）的日益普及，集成到硅上是降低制造成本、减小尺寸和提高产量的有效解决方案。然而，与 GaAs/Si 和 InP/Si 材料系统相比，GaSb/Si 异质外延还远未成熟。在本研究中，以在 GaAs 衬底上生长的 GaSb 为参考，我们研究了两种不同的集成方案：在 GaAs-on-Si 模板上进行 GaSb 的界面失配 (IMF) 生长和使用长宽比捕获技术直接在 V 型槽 Si 上生长 GaSb。