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III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
欧洲通行证简历
自 2016 年起，担任 UOS 材料和设备表征代表。自 2001 年起，担任 UOS X 射线衍射和 X 射线反射率实验室负责人。从事微电子应用材料领域的研究。研究领域：微电子用氧化物和硫族化物材料、原子层沉积和 MOCVD 沉积、相变存储器、微电子机械系统 (MEMS)、热电材料、拓扑绝缘体。COST 行动 MP1402 HERALD（连接欧洲 ALD 研究）副协调员、LAB4MEMSII 项目（ENIAC 呼叫 2014）副协调员，参与不同的 H2020 和 FP7 项目。欧洲项目 Chemaph（FP7）协调员，负责 PRIN 项目的 CNR。意大利和法国双边项目的协调员，由法国-意大利大学支持。在与 Micron 和 STMicroelectronics 的商业合同竞争中，负责与存储设备和 MEMS 相关的不同活动。拥有美国专利。参与国际项目 VAMAS，旨在实现 X 射线反射率测量的标准化。参与计量项目：IND07，薄膜制造计量，欧洲计量研究计划 (EMRP) 联合研究项目，呼吁 2010 工业 (IND)，
基于流程的光子制造成本建模
摘要 — 组件的单片集成有望提高网络功能并降低封装费用。由于制造复杂性和器件间故障的叠加，集成还会降低产量。对于经济上优选的集成程度，人们缺乏共识。以前关于集成成本可行性的研究使用了高级估算方法。本研究则侧重于行业细节，基于从光电子供应链中的 20 家公司收集的数据，建立了基于流程的设备制造成本模型。所提出的模型允许定义流程组织，包括测试，以及每个步骤的加工条件、操作特性和自动化水平。本研究重点研究了在 InP 平台上集成 1550 nm DFB 激光器和电吸收调制器的成本影响。结果表明，无论生产规模如何，单片集成设计都比分立元件选项更具成本竞争力。主要的成本驱动因素是封装、测试和组装。利用模型预测背后的技术细节，组件对准、键合和金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 被确定为技术改进对降低成本最为关键的工艺。这样的结果应该鼓励探索进一步集成的成本优势，并专注于成本驱动的技术开发。
三甲基铝与分子氧和水的反应机理
III-VI 族材料一直受到广泛关注，部分原因是它们是可用于光伏或光电子应用的宽带隙半导体材料 [1–5] 。三甲基铝 (TMA) 是众所周知的铝源，用于半导体制造以通过原子层沉积 (ALD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 的不同工艺生长薄膜，例如 Al 2 O 3 和氮化铝 (AlN) [6–11] 。Al 2 O 3 薄膜在许多不同的应用中作为绝缘体和钝化层发挥着重要作用，它是通过 ALD 沉积的第一个介电氧化物，尽管该工艺中的前体是 AlCl 3 和水 [12] 。使用 TMA 制备 Al 2 O 3 薄膜的原因是三甲基铝在室温下是一种热稳定的高蒸气压 (8.4 Torr) 液体，并且容易与水反应生成 Al 2 O 3 。氮化铝 (AlN) 的有趣特性包括一系列独特的物理特性，从大带隙 (6.2 eV) 和高电阻率，到低介电损耗和高热导率 [13] 。因此，AlN 薄膜在电子领域具有广泛的应用，例如金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘层 [14] ，
Kaş所以Teker博士 印度尼西亚能源过渡管理领域的未来可持续能源政策的塑造
Kaş所以TekerKişiselPilGilerİşTelefonu：+90 021 677 7377 Dahili：0 e-posta：kasif.teker@marmara.edu.edu.edu.edu.tr： ScholarID：FQ7GBH8AAAAJ ORCID：0000-0002-1323-9243 YoksisaraştırmacıID：167637 Biyografi他毕业于冶金和材料工程元元。 他在俄亥俄州立大学完成了MS，并在凯斯西部储备大学的材料科学与工程学博士学位上完成了博士学位。 获得博士学位后，他曾在我们的半导体行业担任科学家。 他还曾在弗罗斯特堡州立大学（八年）担任马里兰州和特拉华大学的研究科学家。 他的研究兴趣包括纳米电子学，纳米光子学，III-V复合半导体设备（HBT，HEMT，MOSFET，光电探测器），纳米微型制造（MOCVD，MBE，MBE，PVD等 ），半导体纳米线设备制造和基于纳米线的传感器。 他是高级微型和纳米设备实验室的创始人。 博士，伊斯坦布尔博 博士，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2011年至2014年Öğr博士。 üyesi，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2005年至2011年，特拉华大学，电气和计算机工程大学，2003-2005-2005Kaş所以TekerKişiselPilGilerİşTelefonu：+90 021 677 7377 Dahili：0 e-posta：kasif.teker@marmara.edu.edu.edu.edu.tr： ScholarID：FQ7GBH8AAAAJ ORCID：0000-0002-1323-9243 YoksisaraştırmacıID：167637 Biyografi他毕业于冶金和材料工程元元。他在俄亥俄州立大学完成了MS，并在凯斯西部储备大学的材料科学与工程学博士学位上完成了博士学位。获得博士学位后，他曾在我们的半导体行业担任科学家。他还曾在弗罗斯特堡州立大学（八年）担任马里兰州和特拉华大学的研究科学家。他的研究兴趣包括纳米电子学，纳米光子学，III-V复合半导体设备（HBT，HEMT，MOSFET，光电探测器），纳米微型制造（MOCVD，MBE，MBE，PVD等），半导体纳米线设备制造和基于纳米线的传感器。他是高级微型和纳米设备实验室的创始人。博士，伊斯坦布尔博博士，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2011年至2014年Öğr博士。üyesi，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2005年至2011年，特拉华大学，电气和计算机工程大学，2003-2005-2005培训信息博士学位，案例西部储备大学，工程学学院，材料科学与工程学院，美国1996年至2001年硕士，俄亥俄州立大学，工程，材料科学与工程学院，美国，1994年 - 1994年 - 1994年 - 1996 - 1996 - 1996 - 1996-1996-1996-1996-1996冶金与材料工程系教授，土耳其1988年至1993年，研究领域光电材料和设备，半导体材料和设备，材料科学与工程，工程和技术学术标题 /任务冶金与材料工程系工程学院马尔马拉大学博士教授，2020年 - 继续教授伊斯坦布尔大学博士教授，工程与自然科学学院，电气与电子工程系，2016年至2020年。
光伏 (PV) 模块技术：2020 年基准成本和技术演进框架结果
J-box 接线盒 J sc 短路电流 JV 电流密度-电压 KRICT 韩国化学技术研究院 LCOE 平准化电力成本 LID 光致衰减 MA 甲铵 MAI 甲基碘化铵 MOCVD 金属有机化学气相沉积 MOVPE 金属有机气相外延 MSP 最低可持续价格 MWT 金属包裹 NREL 国家可再生能源实验室 OpEx 运营费用 P3HT 聚（3-己基噻吩） PCBM 亚甲基富勒烯 苯基-C61-丁酸甲酯 PEAI 苯乙基碘化铵 PECVD 等离子体增强化学气相沉积 PERC 钝化发射极和背电池 PERL 钝化发射极后部局部扩散 PERT 钝化发射极后部全扩散 PET 聚对苯二甲酸乙二醇酯 POE 聚烯烃 PSG 磷硅酸盐玻璃 PTAA 聚（三芳胺） PV 光伏 PVCS 光伏组合开关设备 R&D 研究与开发 R2R卷对卷 RTP 快速热处理 S2S 片对片 SAS 硒化和硫化 SG&A 销售、一般及行政管理 SHJ 硅异质结 SJ 单结螺-OMeTAD 2,2',7,7'-四(N,N-二对甲氧基苯胺)-9,9'螺二芴 STC 标准测试条件 TCO 透明导电氧化物 TEF 技术演进框架 TJ 三结 TMAl 三甲基铝 TMGa 三甲基镓 TMIn 三甲基铟 USD 美元 V oc 开路电压 wph 每小时晶圆
NC州立大学（NCSU）在电气和C
NC州立大学（NCSU）在电气和计算机工程部门的III-V半导体领域以及材料科学与工程学部门内有几个博士后位置空缺。博士后研究职位在以下研究领域提供：III-硝酸盐电子和光电设备的异质整合，制造和表征：设计和开发下一代异质整合III-nitride Optoelectronic和电子设备。位置将包括电子和光电设备结构的设备设计，制造，表征和测试，以实现宽带的带隙电子光功能IC。强烈优选III-N设备设计和制造方面的先前经验。III二硝酸RF设备设计，制造和表征（Pavlidis）：设计和模型的新型RF设备，使用宽带gap（WBG）和超宽的带隙（UWBG）III-硝酸盐用于下一代功率放大器。制造这些设备，考虑了通过晶圆粘结整合异质材料以增强性能/功能的机会。执行设备和测试结构的DC-TO-RF表征，将材料属性与设备行为联系起来。优先使用III-V HEMT和/或HBT的事先经验。III-Nitride Epitaxy and Materials Characterization (Sitar): MOCVD growth of III-nitrides (primarily) on native substrates, III-nitride structures (heterojunctions, MQWs, graded layers, lateral polarity structures) for electronic and optoelectronic devices, materials characterization (XRD, AFM, XPS, SEM, TEM, PL, electrical).需要在III-NINRIDE或相关的宽带隙半导体方面的经验。需要强大的物理背景。
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。
Wolfspeed计划德国的新硅碳化物设备fab
市场新闻6季度季度智能手机发货率达到18.3％，同比达到30030万，在第4季度/2022 Q4/2022 Microelectronics News 8 Macom以3850万欧元的价格收购Ommic，Skyworks的季度收入•Android相关库存中的季度季度的季度销量下降到Qorvo的第三季度，Quret intern inter-Meating tew teel triff tew where defter-Quorvo的季度越来越多，Qorvo的季度越来越多。 electronics News 14 Wolfspeed chooses Germany for site of largest SiC device fab, with investment from ZF • onsemi and VW collaborate on SiC for EVs • Microchip investing $880m to expand SiC and silicon capacity • Gallium Semi opens Philippines manufacturing facility • European project PowerizeD kicked off, targeting intelligent power electronics Materials and processing equipment News 30 Veeco buys Epiluvac • Veeco grows 2022年的收入为11％，尽管与智能手机相关的5G RF弱点驱动的第四季度下降了10.5％，但AXT的收入在第四季度缩小，INP受到中国冷却数据中心市场和5G电信的INP的打击，•AIXTRON•AIXTRON•AIXTRON在G10-ASP MOCVD System News News News News News leds Lavels with Mic with news patters patters pattry sic pattry pattry pattry patrround y Mic wardlipt• Ultra-COCTACT显示器光电新闻44 Photonis获取Xenics•Trumpf投资于INP PIC的量子技术启动Quside•Bluglass启动首先激光；确保首次购买订单•Nuburu和Tailwind最终确定业务组合光学通信新闻52 Lumentum的季度收入同比增长13.3％•IMEC合作将SIN WaveGuide Technology与Active Silicon Photonics Platform