表现出高比容量(2 A g 1 时 576 C g 1)。Shinde 等人 11 在室温下通过快速化学法生长了 3D Bi 2 O 3,在电流密度为 2 A g 1 时其比容量为 447 C g 1。刘等人 12 设计了缺氧 r-Bi 2 O 3 /石墨烯柔性电极,在 1 mA cm 2 时具有 1137 C g 1 的高比容量。尽管如此,Bi 2 O 3 对于 ASC 仍然存在缺点,例如其本质上较差的电子和离子电导率,充电 - 放电过程中的体积膨胀很大。进一步的研究表明,碳可以作为缓冲层,有效减少形貌变化,保护电极结构。Bi 2 O 3 /C复合材料的简便设计和制备策略仍需继续研究,以调整形貌和电子结构。13 – 16
反应室,使其与之前的表面反应至饱和。在新的清洗步骤之后,以循环方式重复该过程,直到获得所需厚度。由于每个脉冲的自限制生长,每个脉冲只能将每种前驱体最多一个单层添加到基板上。当前驱体是成为薄膜一部分的较大有机分子时,通常将该过程称为分子层沉积 (MLD),16 我们的研究就是这种情况。MLD 技术可用于制备有机薄膜或有机 - 无机混合薄膜,以用于 Meng 等人在综述文章中总结的广泛应用。 17 最近的文献中出现了一些使用 MLD 制备 MOF 薄膜的例子,18 – 21 例如 UiO-66 生长的演示,22 以及具有氨基功能化连接体的类似 MOF 结构的生长。23