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温度特性近似函数的选择对功率MOSFET热阻测量结果的影响
本文描述了研究结果，说明了确定结温过高的方法和选择用于测量功率 MOS 晶体管热阻过程中的近似测温特性函数对测量结果的影响。研究涉及使用间接电学方法进行的测量。介绍了三种确定晶体管结温过高的方法，分别使用近似测温特性的线性函数和非线性函数。比较了使用每种方法获得的热阻测量结果。还分析了因选择所考虑的方法而导致的测量误差。
MSME是印度经济就业和发展的骨干。
会议始于活动的首席嘉宾吉祥仪式的吉祥灯光，印度政府财政部的国务卿Bhagwat Kishanrao Karad博士。Bhagwat Karad博士强调说：“ MSME在印度经济的发展中起着非常重要的作用。目前约有6.3千万的MSME企业在印度工作，并产生了约11.1亿的就业机会。大约30％的GDP来自MSME，每年的增长率为10％。”他进一步补充说：“在Hon'ble PM Narender Modi的领导下，印度政府积极主动地消除了中小企业的障碍，与银行业一起，我们努力使融资易于获得这些重要的企业的增长。”在Fireside聊天期间，Infosys的联合创始人兼董事长Nandan Nilekani先生说：“ SMES是数字公共基础设施（DPI）最大的受益人。印度正在建造公共步道，以获取信贷和市场受益的中小企业。超过5000万商人选择了数字付款方式。数字化帮助我们更快地生成资产负债表，因为所有财务细节，例如发票，交易，税收抵免都很容易获得。数字化还减少了周转时间以获得贷款。从基于抵押品的贷款模型转变为基于数据的贷款，这进一步帮助我们降低了银行的整体运营成本。在接下来的5年中，至少有50个国家将实施DPI。数字化还帮助供应商进行更快，更方便的付款，从而简化了MSME贷款流程。此外，数字平台还有助于满足中小企业客户的需求并为他们创造价值。”联邦银行执行董事Shalini Warrier女士在同一小组中表示：“过去，银行业务主要是手动进行的。近年来，数字技术在该行业中引起了重大的发展。著名的进步之一是在线的便利是通过UPI应用程序提供的QR码来付款。如今，大部分交易每天以数字方式发生，超过其他传统付款方式。”Thampy Koshy，ONDC首席执行官Matthew Saal，主要行业专家Matthew Saal，IFC和其他杰出的发言人讨论了市场在SME金融生态系统中的作用。 在信贷流，易于开展业务和市场便利性方面面临的关键问题也提到了通过使用数字技术来解决的。.最后，六个SME Finance Innovators展示了他们的技术，并解释了他们改变SME融资的潜力。 被邀请参与推销的金融科技是：360TF，Builder.ai，可信度，Shopup，topicus，uplinq Financial TechnologiesThampy Koshy，ONDC首席执行官Matthew Saal，主要行业专家Matthew Saal，IFC和其他杰出的发言人讨论了市场在SME金融生态系统中的作用。在信贷流，易于开展业务和市场便利性方面面临的关键问题也提到了通过使用数字技术来解决的。.最后，六个SME Finance Innovators展示了他们的技术，并解释了他们改变SME融资的潜力。被邀请参与推销的金融科技是：360TF，Builder.ai，可信度，Shopup，topicus，uplinq Financial Technologies
UNIT-I 集成电路技术简介-MOS、PMOS、NMOS、...
氧化是将晶圆上的硅转化为二氧化硅的过程。硅和氧的化学反应在室温下就开始了，但在形成非常薄的天然氧化膜后停止。为了获得有效的氧化速率，晶圆必须在高温下放入有氧气或水蒸气的炉子中。二氧化硅层用作高质量绝缘体或离子注入的掩模。硅形成高质量二氧化硅的能力是硅仍然是 IC 制造中的主要材料的重要原因。氧化技术 1. 将清洁的晶圆放置在晶圆装载站中，然后将干氮 (N2) 引入腔室。当炉子达到所需温度时，氮气可防止发生氧化。
通过原子级厚度 MoS 2 场效应晶体管的电测量进行尿酸检测的微流体方法
完整作者列表： Nasiruddin, Md；东北大学，化学 Waizumi, Hiroki；东北大学，化学系 Takaoka, Tsuyoshi；东北大学，先进材料多学科研究中心 Wang, Zhipeng；东北大学，化学 Sainoo, Yasuyuki；东北大学 - Katahira 校区，先进材料多学科研究中心 Mamun, Muhammad Shamim Al；库尔纳大学，化学 Ando, Atsushi；国家先进工业科学技术研究所，纳米电子研究所 FUKUYAMA, MAO；东北大学，先进材料多学科研究中心；Hibara, Akihide；东北大学，先进材料多学科研究中心 Komeda, Tadahiro；东北大学，先进材料多学科研究中心
用 HfO 2 /In 2 O 3 栅极堆栈表征超薄原子层沉积氧化物半导体 MOS 电容器中的界面和体陷阱
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体，提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道，原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能，例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中，使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT，表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟，证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS)，这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。
表征超薄原子层中沉积的氧化物半导体MOS电容器中的界面和块状陷阱，< /div> < /div>
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体（CMOS）后端（BEOL）兼容设备的兴趣，用于整体3维（3D）集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体，至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积（ALD）氧化二颗粒（在2 O 3中）的性能卓越，例如高驱动电流，高迁移率，陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中，使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT，表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级，可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态（DOS）的高尺寸（DOS），这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
埃洛石模板化管状 MoS 2 作为可充电水系锌离子电池正极材料的合成及性能 杨阳 1,a , 秀云
1 北京大学地球与空间科学学院造山带与地壳演化教育部重点实验室，北京 100871，中国 2 北京金羽能源科技有限公司，北京 100095，中国 * 电子邮件：xychuan@pku.edu.cn a 作者对这项工作的贡献相同 收到日期：2020 年 3 月 3 日/接受日期：2020 年 4 月 26 日/发布日期：2020 年 6 月 10 日 水系锌离子电池（ZIB）因其优异的安全性、成本效益和环境友好性而被公认为大规模储能最有希望的候选材料之一。然而，由于合适正极材料的可用性有限，ZIB 的应用受到阻碍。在本工作中，通过模板辅助热分解制备了多孔管状 MoS 2，其中以(NH 4 ) 2 MoS 4 为前驱体，以天然埃洛石为模板。作为一种有前途的锌离子电池正极材料，所制备的 MoS 2 在 0.2 A g -1 时表现出良好的比容量 146.2 mAh g -1 ，并且具有优异的循环性能，800 次循环后容量保持率为 74.0%。此外，所提出的 MoS 2 即使在 1 A g -1 时也表现出良好的倍率性能。这项工作为锌离子电池提供了一种有前途的正极材料，并为其未来在可再生能源存储中的应用开辟了新的可能性。关键词：MoS 2；热分解；埃洛石模板；正极；水系锌离子电池。1. 引言
难治性结肠直肠癌患者衍生的 MicroOrganoSpheres (MOS) TM 可实现靶向治疗组合反应与临床疗效之间的关联
我们使用源自转移性难治性患者的 MicroOrganoSpheres (MOS) TM 进行了高通量筛选，以与临床结果相关联，并探索可能使患者受益的替代组合。对 SOC 产生耐药性并即将在临床试验中接受靶向治疗的转移性 CRC 患者的活检样本进行分子分析，并植入免疫缺陷小鼠体内以产生患者来源的异种移植物 (PDX)。根据生理相关浓度对 PDX 产生的 MOS 进行药物组合滴定处理。在给药后第 5 天进行活/死染色，并通过高内涵成像和自定义图像分析流程进行量化。每种药物浓度的相对活力以活体百分比（活体/所有荧光信号）计算三次，并标准化为空对照。
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
底物诱导的大面积单层MOS 2 Ashish Soni 1,2，Nagendra S. Kamath 1,2，Yun-Yang Shen 3，
二维（2D）过渡金属二分法（TMD）的内在特性受其界面条件的深刻影响。工程TMD/底物接口对于在设备应用中利用2D TMD的唯一光电特性至关重要。这项研究深入研究了单层（ML）MOS 2的瞬态光学特性如何受底物和膜制备过程的影响，特别是集中在光激发载体的产生和重组途径上。我们的实验和理论分析表明，转移过程中诱导的应变和缺陷在塑造这些光学特性中起关键作用。通过飞秒瞬态吸收测量值，我们发现了ML MOS 2中载体捕获过程的底物改变的影响。此外，我们研究了激子 - 外激体歼灭（EEA），表明EEA速率随不同的底物而变化，并且在低温（77 K）时会显着降低。这项研究为通过战略接口工程定制TMD的光电特性铺平了道路，有可能导致创建高效的电子设备，例如光电记忆，光发射二极管和光电探测器。