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首先在1.2 kV SIC MOSFET身体二极管鲁棒性测试
1。上下文SIC MOSFET由于其强劲的损失而广泛用于新应用设计，并且具有高开关频率和高工作温度的功能。与氧化门相关的可靠性问题已经很好地解决，并且已经发表了许多有关阈值电压不稳定性的研究[1; 2]。使用车身二极管避免外部Schottky二极管[3; 4]。在本研究中，对1.2 kV的SIC MOSFET体二极管进行了压力并进行了研究，以确定使用时任何衰老或降解问题。
在特定的低闸门源电压偏置方面的SIC MOSFET的重复短路能力，以实现更健壮的极端操作
摘要 - 本文提出了在高排水源电压下重复定位的SC应力下的商用硅卡比德（SIC）MOSFET设备的短路（SC）性能。研究了两种方案，以评估栅极源电压（V GS）去极化和SC持续时间（T SC）降低的影响。V GS去极化可提供功率密度的降低，并允许在短路持续时间t scmax的情况下保持安全的故障模式（FTO：失败）。结果表明，SIC MOSFET V GS去极化不会降低T SCMAX时的SC循环能力。但是，使用V GS去极化允许将近1000个周期@T SC = 10 µ s的IGBT鲁棒性水平接近IGBT鲁棒性水平。 SC测试期间芯片温度演变的模拟表明，降解归因于SC周期期间的连接温度（T J）的升高，这导致顶部Al诱导裂纹融合到厚氧化物中。
具有软短路故障模式的 SiC 功率 MOSFET 中的栅极损伤积累和离线恢复
摘要 – 本文详细分析了特定类型的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 的短路故障机制，该 MOSFET 具有安全的开路故障类型特征。结果基于广泛的实验测试，包括晶体管的功能和结构特性，专门设计用于实现逐渐退化和逐渐累积的损伤。结果表明，软故障特征与栅极源结构的退化和最终部分短路有关。此外，在退化的组件上观察到由临时离线偏置引起的部分恢复。结果表明，这是一种现实的新选择，可在应用中部署，以提高系统级稳健性和系统级跳转运行模式能力，这在许多可靠性关键领域（例如运输）中非常重要。
功率SIC MOSFET设备的失败降解相似性提交到短路应力和加速开关条件
2.2。方法论和实验结果，在每个脉冲之间，将重复的短路测试应用于DUT。测试条件为V ds = 600 V，V缓冲区= -5V/+18V和t情况=室温。已经进行了先前的研究[1，3]，以估计平均T SCWT（短路承受时间），约5 µs。找到了这段时间，设置了脉冲宽度的70％T SCWT（3.5 µs）的百分比。因此，防止热失控，然后防止了灾难性的排水量故障模式。SC中的所有测试设备仅显示栅极源降解。图2，第一个短电路事件（＃Cycle1，蓝线）和最后一个（＃Cycle400，红线）中的波形显示。在栅极电流（I G）上观察到的异常效应（电流凸起）可能是由于PCB（印刷板电路）寄生元件引起的电磁干扰以及相关的共同模式电流。
氯化的双苯基转化，过氧化物酶和氧化酶活性的真菌和细菌从历史污染部位分离出来
I。在超短路通道CMOS节点中，TDDB仍然是关键的可靠性问题，并保证了速度性能和低消耗要求。即使状态应力通常以比州立应力较小的速率降解设备，在毫米波域中RF操作下HBD的限制因素也可能成为毫米波域（5G）[1-3]的限制因素，其中通常相对于用于逻辑应用的电源电压V DD通常可以增加一倍。因此，一旦生成了局部缺陷的临界密度，设备参数漂移可能与软崩溃的相关性显着，可能会触发硬性崩溃到栅极驱动器区域。许多论文从口气压力期间的界面损伤的横向分析中讨论了峰值降解发生在闸门边缘之外。崩溃点发生在间隔区域，并与峰界面损伤相处[4-5]。尽管发现了BD后的离子分解机制，排水管和闸门泄漏电流已达成合理的共识，但发现在排水边缘[6-8]中产生了介电堆栈中的渗透路径。
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
使用片上低温 CMOS 有源电感器进行多路复用量子器件的阻抗测量
在寻求可扩展的量子处理器的过程中，人们投入了大量精力来开发低温经典硬件，以控制和读出越来越多的量子比特。当前的工作提出了一种称为阻抗测量的新方法，该方法适用于测量连接到谐振 LC 电路的半导体量子比特的量子电容。阻抗测量电路利用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 有源电感器在谐振器中的集成，具有可调谐振频率和品质因数，从而能够优化量子器件的读出灵敏度。实现的低温电路允许快速阻抗检测，测得的电容分辨率低至 10 aF，输入参考噪声为 3.7 aF/ffiffiffiffiffi Hz p。在 4.2 K 时，有源电感的功耗为 120 μW，此外还有片上电流激励（0.15 μW）和阻抗测量电压放大（2.9 mW）的额外功耗。与基于色散 RF 反射测量的常用方案（需要毫米级无源电感）相比，该电路的占用空间明显减小（50 μ m 3 60 μ m），便于将其集成到可扩展的量子经典架构中。阻抗测量法已被证明是一种
晶圆级测试对先进 CMOS 互连可靠性评估中电迁移磨损报告的有效性
在本研究中，通过标准晶圆级 (WL) 和 PL (PL) 测试评估电迁移 (EM) 铜线的可靠性。由于这些测试的速度非常快，因此与所有可靠性研究一样，主要问题之一是报告在使用条件下发生的故障现象的有效性。众所周知，WL 已被广泛用于在高应力条件下对大批量进行快速 EM 工艺监控。另一方面，在工艺鉴定方案中使用应力条件较低的 PL 测试。我们将本研究的后续内容作为参考，通过各种工艺评估 WL 测试结果。因此，本文讨论了 WL 与 PL 相比，在有效报告不同 Cu 线工艺修改的可靠性性能变化方面的能力。从寿命变化和标准偏差演变方面比较了 WL 可靠性和 PL 可靠性的结果。仅发现有限的相关性，这表明两种方法的故障机制并不相同。此外，本研究的结果强调了定义与大容量监控兼容的新的可靠的电磁测试结构和方法的必要性。
大气中子诱导的单个事件倦怠的失败分析
摘要。必须研究用于陆地环境中高可靠性应用的电子设备，必须研究中子引起的单个事件效应。在本文中，在ISIS-Chipir辐射后，对包装商业SIC Power MOSFET的大气样中性诱导的单事件倦怠（SEB）进行了实验性观察。建立了SEB在MOSFET的电性能中的影响，并通过扫描电子显微镜观察到SIC损坏的区域。基于在模具级别的失败分析，可以定义SEB机制期间的不同阶段。敏感体积，其中二级粒子沉积了足够的能量以触发SEB机制，并位于SIC N-Drift外延层附近附近的SIC N-Drift外延层中。
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