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BL3417-3L P 沟道增强型 MOSFET
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R9 抗辐射 MOSFET 技术
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硅 N 沟道功率 MOSFET CS150N03A8
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，从而影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
30V 3.7mΩ N 沟道功率 MOSFET
尺寸 毫米 最小 正常 最大A 0.500 - 0.600 A1 - - 0.005 A2 - 0.080 0.250 D 1.900 2.000 2.100 E 1.900 2.000 2.100 D1 0.900 1.000 1.100 E1 1.100 1.200 1.300 b 0.250 0.300 0.350 b1 0.300 0.350 0.400 L 0.150 0.200 0.250 L1 0.610 0.660 0.710 L2 0.010 0.050 0.090 e 0.650 BSC f 0.420 REF f1 0.100 REF f2 0.385 参考 f3 0.150 参考 h 0.150 参考
150V8.5MΩN-CH POWER MOSFET
修订版1.1 Jiejie Microelectronics Co.，Ltd。所有产品信息均为版权，并受到法律免责声明的约束，第1页，共5页
BL085P03-3DL8 P通道增强模式MOSFET
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JMTP080P03A
昏暗。分钟。 nom。 最大 0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。分钟。nom。最大0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。
JMSH1504NE
昏暗。分钟。 nom。 最大 A 2.20 2.30 2.40 B 9.70 9.90 10.10 E1 7.80 E4 8.80 E5 9.20 E 1.20（BSC）分钟。nom。最大A 2.20 2.30 2.40 B 9.70 9.90 10.10 E1 7.80 E4 8.80 E5 9.20 E 1.20（BSC）