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100V、274A、3.2mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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3.3 kV SiC MOSFET 加速电网连接储能
• BESS 使用隔离拓扑（例如双有源桥 (DAB) 后接有源前端转换器 (AFEC)）集成到 MV 电网（2.3 kV、4.16 kV 或 13.8 kV） • 与两级拓扑相比，3 级中性点钳位拓扑既降低了滤波器要求，又降低了 SiC MOSFET 两端的电压应力 • 根据电网电压，可以串联 SiC 3.3 kV MOSFET 二极管器件
150V、200A、3.9mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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60V、47A、8.2mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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提出了针对锂的保护电路优化的MOSFET ...
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