XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemMOSFET
R9 抗辐射 MOSFET 技术
请注意！本文件仅供参考，本文提供的任何信息在任何情况下均不视为对我们产品的任何功能、条件和/或质量或任何特定用途适用性的保证、担保或描述。关于我们产品的技术规格，我们恳请您参考我们提供的相关产品数据表。我们的客户及其技术部门需要评估我们的产品是否适合预期用途。
MOSFET 手册 2023 V1.0a
江苏杰杰微电子（又名 JJM）的汽车级 MOSFET 提供 -100V 至 650V 的击穿电压 V DS_Max。栅极源阈值电压 V GS(th) 为高电平（2.7 ~ 3.5V）或低电平（1.5 ~ 1.9V，-1.0 ~ -3.0V）。源极漏极导通电阻 R DS(ON) 低至 0.56mΩ（@ V GS = 10V）。FOM 低至 55。这些 MOSFET 通常组装在高效功率封装中，要么是小型表面贴装型，要么是传统通孔型。这些包括但不限于以下具有优异热特性的封装：PDFN3x3-8L、PDFN5x6-8L/-D、PowerJE®10x12（兼容TOLL）、PowerJE®7x8（兼容sTOLL）、TO-247-3/7L等。所有器件均按照AEC理事会和JEDEC定义的相关标准进行了长期可靠性和质量测试。
GBLN6601-S8 N 沟道增强型 MOSFET
常州银河世纪微电子有限公司（GME）保留对本文中任何产品信息（版权所有）进行更正、修改、改进或其他更改的权利，恕不另行通知。GME 不承担因本文所述任何产品的应用或使用而产生的任何责任；也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。
BL085P03-3DL8 P通道增强模式MOSFET
长州银河系世纪微电子（GME）保留进行更改的权利，而无需进一步通知此处的任何产品信息（版权所有），以进行校正，修改，改进或其他更改。gme不承担针对本文所述的任何产品的应用或使用而产生的任何责任；它既不能在其专利权下传达任何许可，也不传达他人的权利。
大面积多指β-Ga2O3 MOSFET及其自…
并取得了令人瞩目的成果[7−11]。为了最大限度地减少β-Ga2O3 MOSFET的SHE，已经提出了一些建设性的方法[12,13]，例如离子切割技术[14]、转移到异质衬底[15,16]和结构设计[17]。新的测量方法已经被用来表征β-Ga2O3 MOSFET的瞬态温度分布[18]。关于β-Ga2O3基MOSFET的大部分报道都集中在追求高PFOM和探索新的结构，然而实际应用中需要大面积结构来维持高的通态电流。对于大面积结构，由于表面积与体积比较小，SHE会比小器件更严重，值得研究。制备高性能大面积β-Ga2O3晶体管的主要挑战是材料生长的不均匀性和工艺流程的不稳定。有报道称，多指β-Ga2O3 MOSFET能够提供300 V的开关瞬变，电压斜率高达65 V/ns [19]，显示出巨大的潜力。尽管如此，电
碳化硅 MOSFET 中栅极开关不稳定性的频率依赖性
马克西米利安 W. Feil1,2，Maximilian W. Feil1,2，Maximilian W. Feil1,2，Maximilian W. Feil1,2，Maximilian W. Feil1,2，A ∗，Katja Waschneck1，B，B，B，Hans Reisinger1，C，C. ER1，C，Paul Salmen1，D，Gerald Rescher3，E，Thomas Aichinger3，F，∗，Katja Waschneck1，B，Hans Reisinger1，C，Paul Salmen1，D，Gerald Rescher3 3，F，∗，Katja Waschneck1，B，Hans Reisinger1，C，Paul Salmen1，D，Gerald Rescher3，E，Thomas Aichinger3，F，F，∗，Ka tja Waschneck1，B，B，Hans Reisinger1，C，C，C，D，D，Gerald，Gerald，Gerald，aiching b.1 Salmen1，D，Gerald Rescher3，E，Thomas Aichinger3，F，∗，Katja Waschneck1，B，Hans Reisinger1，C，Paul Salmen1，D，Gerald Rescher3，E，E，E，Thomas Aichinger3，F，F，F，Thomas aichinger3，F，F，f，katja reisinger，salmen，salmen，salmen，thom thom thom 3， A Waschneck1，B，Hans Reisinger1，C，Paul Salmen1，D，Gerald Rescher3，E，Thomas Aichinger3，F，
电动汽车中碳化硅 MOSFET 的回顾
摘要 与硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 具有更高的工作温度、开关速度和开关频率的特点，被认为是未来电驱动的下一个进化步骤。SiC MOSFET 在电动汽车领域的应用带来了许多好处，例如更高的效率、更高的功率密度和简化的冷却系统，并且可以看作是大功率快速电池充电的推动者。本文回顾了 SiC MOSFET 在不同电动汽车 (EV) 应用场景中的优势，包括牵引逆变器、车载转换器和非车载充电应用。然而，用 SiC MOSFET 取代 Si-IGBT 带来了一些新的技术挑战，例如更强的电磁干扰 (EMI)、可靠性问题、由于高瞬态电压导致的潜在电机绝缘故障以及冷却困难。与成熟的硅基半导体技术相比，这些挑战迄今为止阻碍了 SiC MOSFET 在汽车应用中的广泛采用。为了充分利用 SiC MOSFET 在汽车应用中的优势并提高其可靠性，本文探讨了 SiC MOSFET 模块封装和驱动器设计的未来技术发展，以及具有更高开关频率的新型电机驱动策略和优化的高频机器设计。
JMTP080P03A
昏暗。分钟。 nom。 最大 0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。分钟。nom。最大0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。
未来一代 MOSFET 的电介质/SiC 接口展望
Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Aaniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，B，BRETT HULL1，BRETT HULL1，C SCOTT HULL1，C，C，C，C，SCOTT ALLEN1，D. U1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Hull1，C，Scott Allen1，d和John W. John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A* Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1,d，以及 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*，Sei-Hyung Ryu1,b，Brett Hull1,c，Scott Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，B，B，Brett Hull1，C，Brett Hull1，C，Scott Hull ，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D，D，D。 Our1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和约翰·W·帕尔默1,e