XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemMOSFETs
用于新型动力传动系统的 SiC 基高功率逆变器的系统集成与分析，功率高达 250 kW，开关斜率高达 50 kV/μs
SiCnifikant 项目研究并展示了 SiC 基半导体器件 (SiC-MOSFET) 在高达 250 kW 的驱动逆变器中的优势，满足了汽车的特殊要求。特别是，新型功率模块的构建和电机的集成旨在展示 SiC 在实现高开关速度、提高功率密度和效率方面的最佳使用。为了达到高达 75 kW/升的功率密度，在最大电流下将逆变器中的功率损耗降低 50% 并提高整个系统的可靠性，该项目从半导体芯片、模拟到组件原型设计（用于最终评估）等各个层面开展研究。该项目采用整体方法来满足系统设定的目标。从高档车辆开始，电动动力系统的最重要要求已定义如表 1 所示。
使用扫描声学显微镜对电力电子模块中的银烧结应用进行检测的技术
[1] P. Dreher、R. Schmidt、A. Vetter、J. Hepp、A. Karl 和 CJ Brabec，《银烧结芯片粘接层缺陷无损成像——包括 X 射线、扫描声学显微镜和热成像的比较研究》，《微电子可靠性》，第 88-90 卷，5 月号，第 365-370 页，2018 年，doi：10.1016/j.microrel.2018.07.121。[2] H. Yu，《用于材料评估的扫描声学显微镜》，《Appl Microsc》，第 50 卷，5 月号，第 365-370 页，doi：10.1016/j.microrel.2018.07.121。 1，2020 年，doi：10.1186/s42649- -0 020 0045 4。- [3] YC Jang、HE Kim、A. Schuck 和 YS Kim，“开发功率 MOSFET 加速温度循环的非破坏性验证方法”，微电子可靠性，第 128 卷，2022 年 1 月，doi：10.1016/j.microrel.2021.114442。[4] M. Kobayashi、K. Sakai、K. Sumikawa 和 O. Kikuchi，“信号
IGBT市场和技术趋势2021-样本
Ana Villamor博士是YoleDévelopment（Yole）电力和无线部门内电力电子和复合半导体的技术和市场分析师。她参与了许多定制研究和报告，重点是新兴电力电子技术，包括设备技术以及MOSFET，IGBTS，HEMTS，Power IC等的可靠性分析。她还参与了EV/HEV的各个方面，并且已经获得了对电力电子行业的深入了解。Villamor博士以前曾在Onsemi担任设备开发工程师，在那里她获得了博士学位。与CNM-IMB-CSIC合作。 此外，她拥有巴塞罗那大学（SP）的Micro和Nano Electronics的电子工程学位和硕士学位。 她撰写并与他人合着了几篇论文以及专利。Villamor博士以前曾在Onsemi担任设备开发工程师，在那里她获得了博士学位。与CNM-IMB-CSIC合作。此外，她拥有巴塞罗那大学（SP）的Micro和Nano Electronics的电子工程学位和硕士学位。她撰写并与他人合着了几篇论文以及专利。
VLSI 设计.pdf
小时量子与统计力学、波粒子对偶和薛定谔方程、自由和束缚粒子、准低维结构量子阱、线、点、低维系统的能带结构、量子限制、2D、1D 和 0D 结构中的态密度、异质结构和带隙工程、调制掺杂、应变层结构纳米级 MOSFET CMOS 技术的挑战、高 k 电介质和栅极堆栈、未来互连。MOSFET 作为数字开关、传播延迟、动态和静态功率耗散摩尔定律、晶体管缩放、恒定场缩放理论、恒定电压缩放、广义缩放、短沟道效应、反向短沟道效应、窄宽度效应、亚阈值传导泄漏、亚阈值斜率、漏极诱导势垒降低、栅极诱导漏极泄漏。
教程标题 导师团队 摘要
摘要 宽带隙器件正日益渗透到汽车市场，并成为汽车应用（无论是牵引逆变器还是电池充电器）的首选。牵引逆变器的任务概况特别艰巨，因为当电机驱动器经历驱动周期的各个阶段（包括加速、减速、失速等）时，功率器件上的电热应力在幅度和频率上会发生很大变化。从历史上看，牵引转换器一直使用硅器件实现，其性能和可靠性众所周知。在汽车应用中应用 SiC MOSFET 和 GaN 功率器件等 WBG 器件需要了解可靠性和认证程序，尤其是根据汽车标准。与硅器件相比，SiC 和 GaN 功率器件具有不同的内部物理特性和工作模式，其稳健性和可靠性性能也大不相同。鉴于应用的敏感性，这些器件必须通过汽车电子委员会 (AEC)、联合电子设备工程委员会 (JEDEC-JC70) 和欧洲电力电子中心 (AQG) 制定的严格汽车可靠性测试和指南。本教程旨在介绍与以下内容相关的主题：（i）WBG 器件的物理和操作：这包括这些 WBG 器件与传统硅 IGBT 和 MOSFET 的不同之处的详细信息；（ii）WBG 器件的可靠性和稳健性：这包括这些 WBG 技术的哪些方面使它们比传统硅器件更稳健或更不稳健的详细信息。（iii）特定于应用的可靠性要求：这包括如何将应用程序的任务概况转化为功率器件上的应力的详细信息。这一点至关重要，因为与牵引变流器或负载服务直流/直流转换器中的设备相比，电动充电器中使用的设备将受到非常不同的电热和热机械应力。（iv）测试方法和规范：这包括用于实施这些测试的电路和系统的详细信息。讨论将包括标准生产线终端生产测试、筛选测试和资格测试之间的差异。由于这些 WBG 设备的性质，其中一些测试方法必须适应 WBG 设备物理的特殊性。
采用银烧结芯片粘接的 PCB 嵌入式技术的新功率模块概念
1. 简介 在汽车行业，电气解决方案的高度集成是一大趋势 [1]。因此，行业面临着提供集成度更高、更可靠、更节能的设备的需求 [1-4]。这些设备应安装在汽车有限的空间内。这种内部空间限制以及不断增加的功率密度需要增强散热以在减小尺寸的同时提高性能 [2]。PCB 嵌入式技术是解决这些问题的绝佳解决方案。事实上，它通过优化互连、减小尺寸和重量以实现小型化来提高电源模块性能 [1, 5]。这种优化可降低寄生电感并获得更好的热管理 [1, 6, 7]。本文选择的一个应用示例是智能皮带驱动起动发电机。对于此应用，我们采用了 PCB 嵌入式技术。对于后一种情况，本研究涉及一种新电源模块概念的可行性，该概念包含四个 100 V Si MOSFET ST315N10F7D8，作为单个开关并联，高度集成在 48 V/400 A 电机中，一方面减小体积和重量，另一方面提高热管理和芯片粘接的机械强度。该技术基于将 Si MOSFET 集成到 PCB 内部，使用银浆烧结进行芯片粘接和预浸渍复合纤维层压。本文将重点描述更为坚固的组装工艺，随后对原型进行电气测试以展示其功能，而机械测试将展示其强度。2. PCB 嵌入式组装设计其原理是使用基于厚铜板的绝缘金属基板 (IMS) 来传输大电流并优化散热。芯片堆叠在两块铜板之间以便于嵌入。芯片和铜板之间的连接由银烧结工艺确保。电绝缘由层压在这些铜板之间的预浸渍复合纤维层实现（见图 1）。此外，芯片栅极烧结到铜箔上，并且可以通过镀通孔 (PTH) 访问该铜箔。
欢迎阅读 Microchip 太空简讯第 28 期。本新闻稿面向设计工程师和设计经理、系统工程师和系统架构师，
• LX7730 遥测控制器 - 新数据表 • LX7712 可编程限流电源开关评估板现已上市 • Sub-QML FPGA 信息现已上线 • 文档更新：RT ProASIC3、RTAX 数据表和 RT FPGA 手册 • 将 MathWorks FIL 工作流程与 Microchip RTG4™ FPGA 开发套件集成 • Vectron 的 DOC203679、Rev F 和 OS-68338、Rev P 为业界提供小型化太空合格时钟 • Microchip 宣布 ATMX150RHA ASIC 技术的 DLA SMD 编号 • Libero® SoC Design Suite v12.4 版本支持 RT PolarFire® FPGA • 适用于航天和航空应用的高性能多轴电机控制 • 耐辐射微控制器 - 系统错误管理通过 SAMBA 接口实现飞行中系统恢复 • 使用 RH 对 RT FPGA 进行飞行中重新编程微控制器 • 工程师对辐射效应的看法，第 2 部分：BJT 和 MOSFET 中的 SEE • RTG4 FPGA 产品变更通知和客户通知 • 事件
ELEC 3509：电子学 II 2024 年秋季
日历描述：半导体器件和集成电路简介。双极结型晶体管的直流、交流和开关特性。线性放大器；带宽考虑；双端口分析。大信号放大器；功率放大器；无变压器电路。反馈和运算放大器；增益、灵敏度、失真和稳定性。滤波器设计。振荡器。在本课程中，学生将学习电子电路的分析和设计。将讨论分立电路和集成电路。本课程以涵盖基本电路和信号分析（在 ELEC 2501 中介绍）以及基本电子设备和电路（如二极管、双极结型晶体管、MOSFET 和放大器/整流器/调节器电路（在 ELEC 2507 中介绍））的概念为基础。在本课程中，单晶体管电路将扩展到由双极结型晶体管组成的多晶体管电路。将研究各种单晶体管和双晶体管放大器电路的设计，然后探索运算放大器。最后将看到一些运算放大器应用，例如滤波器和振荡器的设计。
电路操作：重复的临界能量
摘要 - 先前的研究表明，只要SC期间消散的能量略低于给定阈值（所谓的临界能量），SI设备可以维持大量的短路（SC）事件。在本文中，我们表明，对于SIC MOSFET来说，这不一定是正确的，这只能承受一些此类SC事件。对重复性短路事件的这种低鲁棒性与氧化物中累积的载体注入和泄漏电流导致的栅极降解有关。为了确保在大量SC事件上进行安全操作，我们引入了一个新参数：“重复的临界能量”，该参数对应于SC能量足够低，以避免温度过高，以限制SC事件期间的瞬态门泄漏电流。在此重复的SC能量值之下，SIC设备能够维持大量SC事件（超过1000）。1。简介