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提取紧凑型瞬态热模型，用于基于SIC MOSFET开关的全局优化功率系统
anaïsCassou *1，Quang Chuc Nguyen 2，Patrick Tounsi 1，Jean-Pierre Fradin 3，Marc Budinger 4，Ion Hazyuk 4 1 CNR，Laas，Laas，7 Avenue du du Colonel Roche Roche，Univ。De Toulouse, INSA, LAAS, F-31400 Toulouse, France 2 IRT Saint-Exupéry, 3 Rue Tarfaya - CS34436, 31400 Toulouse cedex 4, France 3 ICAM, site de Toulouse, 75 avenue de Grande Bretagne, 31076 Toulouse Cedex 3, France 4 Université de Toulouse, ICA (INSA, UPS，地雷Albi，Isae），135 Av。de rangueil，31077法国图卢兹 *电子邮件：anais.cassou@laas.fr本文在优化电源转换系统时涉及紧凑型瞬态热模型的兴趣。这些模型必须考虑基于SIC MOSFET的功率模块的不同芯片之间的热耦合效应。在模拟工具（例如ModelICA）中很容易实现开发的模型。我们将表明，对于在低占空比工作周期或快速变化的功率需求的应用程序，瞬态模型可以通过减轻系统来改善全球最佳设计。这种方法还确保连接温度不超过其极限值。
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
核糖 - 卡比德 - 毛线for-MoSfet-Medical- ...
碳化硅（SIC）MOSFET通过提供出色的效率，可靠性和紧凑性来改变医疗设备的设计和功能。尽管基于标准的硅电源设备，SIC MOSFET可提供增强的电气和热性能，包括更高的击穿电压，较低的开关损耗以及改善的导热率。在医疗保健应用中，准确性，能源效率和操作的可靠性至关重要，这些特征是极为重要的SIC MOSFET，可以提高功率密度，并提高医学成像系统（例如CT和MRI扫描仪）的开关速度，从而提高了图像质量和减少系统大小。可穿戴和便携式医疗设备的出色效率有助于缩小尺寸并延长电池寿命。此外，确保在重症监护环境中的可靠性，SIC MOSFET提高了手术，诊断工具和生命支持系统的仪器效率。在本文中介绍了SIC MOSFET在改善医疗保健技术方面的重要性，以及它们的主要特征，与医疗保健，现场的应用以及其与医疗保健系统的好处有关。SIC MOSFET有可能成为先进的医疗电子产品的基本要素，因为医疗保健行业逐渐融合了精致和能源密集型技术，因此可以在临床和便携式护理解决方案中发展。
新兴的医疗用碳化硅 MOSFET ...
碳化硅 (SiC) MOSFET 凭借卓越的效率、可靠性和紧凑性，正在改变医疗设备的设计和功能。与标准的硅基功率器件不同，SiC MOSFET 具有增强的电气和热性能，包括更高的击穿电压、更低的开关损耗和更好的导热性。在医疗保健应用中，操作的准确性、能效和可靠性至关重要，这些特性非常重要。SiC MOSFET 可在 CT 和 MRI 扫描仪等医疗成像系统中提供更高的功率密度和更快的开关速度，从而提高图像质量并减小系统尺寸。可穿戴和便携式医疗设备的出色效率有助于缩小尺寸并延长电池寿命。此外，SiC MOSFET 可确保重症监护环境中的可靠性，从而提高手术器械、诊断器械和生命支持系统的效率。本文将讨论 SiC MOSFET 在改进医疗保健技术方面的重要性，以及它们与医疗保健相关的主要特性、现场应用及其对医疗保健系统的好处。随着医疗保健行业逐步采用复杂且能源密集型的技术，SiC MOSFET 有可能成为先进医疗电子产品的重要组成部分，从而推动临床和便携式护理解决方案的发展。
可再生能源系统的电力电子设备，运输
4 Recent Advances in Power Semiconductor Technology 69 4.1 Introduction 69 4.2 Silicon Power Transistors 70 4.2.1 Power MOSFETs 71 4.2.2 IGBTs 72 4.2.3 High-Power Devices 75 4.3 Overview of SiC Transistor Designs 75 4.3.1 SiC JFET 76 4.3.2 Bipolar Transistor in SiC 77 4.3.3 SiC MOSFET 78 4.3.4 SiC IGBT 79 4.3.5 SiC Power Modules 79 4.4 Gate and Base Drivers for SiC Devices 80 4.4.1 Gate Drivers for Normally-on JFETs 80 4.4.2 Base Drivers for SiC BJTs 84 4.4.3 Gate Drivers for Normally-off JFETs 87 4.4.4 Gate Drivers for SiC MOSFETs 88 4.5 Parallel Connection of Transistors 89 4.6 Overview of Applications 97 4.6.1光伏98 4.6.2 AC驱动器99 4.6.3混合和插件电动汽车99 4.6.4高功率应用99 4.7硝酸盐晶体管100 4.8摘要102参考文献102
军事和空间应用的极端环境暴露解决方案
找到经过彻底测试以承受航空航天和国防应用中发现的严峻环境的高质量MOSFET对于任何设计工程师来说都是挑战。，但要找到一家知名的公司，该公司在为航空航天和国防工业提供设备的历史悠久，这对于成功设计而言更为重要。认识到这些要求，我们使用M6技术开发了密封能力MOSFET的投资组合，以提供极端的可靠性和增强的空间和军事应用的辐射硬度。这些辐射硬化的MOSFET具有低RD（ON）和低门电荷，以满足更广泛的应用程序的要求。我们还提供了世界上最大的JANS合格产品。JAN是最严格的筛选和接受要求的水平，可确保用于空间飞行的离散半导体的性能，质量和可靠性。
栅极氧化物寿命预测与电荷到寿命预测的比较......
摘要 — 商用碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极氧化物可靠性对其应用至关重要。恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量通常用于评估正常运行下 SiC 功率 MOSFET 的电介质故障时间。最近提出了一种基于氧化物隧穿电流行为的电荷击穿方法来预测电介质故障时间。该方法耗时较少，但要求器件的氧化物漏电流行为遵循通用包络线。这项工作比较了电荷击穿方法和恒压 TDDB 方法对商用 1.2 kV SiC MOSFET 的预测故障时间。结果表明，在低氧化场 (E ox < 9 MV / cm ) 下应用的恒压 TDDB 方法对器件寿命的预测最为保守。
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- MIL-PRF-38510 ICS-MIL-PRF-39016继电器-MIL-PRF-83536继电器-MIL-PRF-6106接力赛-MIL-PRF-5757接力赛 - MOSFET-MOSFET-MULTI CHIP SEMICONDUCTOR
TB321：HIP4080 和 HIP4081 高频 H 桥驱动器
HIP4080 没有像 HIP4081 那样的输入协议，除了通过 DIS 引脚外，该协议还可以使两个低功率 MOSFET 保持关闭状态。IN+ 和 IN- 是比较器的输入，比较器控制桥接，使得一次只有一个低功率器件处于打开状态（假设 DIS 为低）。但是，通过在芯片启用时控制下部开启延迟引脚 LDEL，可以保持两个下部 MOSFET 处于关闭状态，如图 2 所示。将 LDEL 拉至 V DD 将通过输入比较器无限期地延迟下部开启延迟，并使下部 MOSFET 保持关闭状态。在下部 MOSFET 关闭且芯片启用的情况下，即 DIS = 低，IN+ 或 IN- 可以在整个周期内切换，从而正确设置上部驱动器输出。完成此操作后，LDEL 将释放到其正常工作点。至关重要的是，当 LDEL 保持高电平时，IN+/IN- 必须切换一个完整的周期，以避免击穿。此启动过程可以通过图 2 中的电路的电源电压和/或芯片启用命令来启动。