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irhns9a7064产品数据表
ir Hirel R9技术为空间应用提供了卓越的功率MOSFET。这些设备对单个事件效应的免疫力提高了（请参阅），并以最高90mev/（mg/cm 2）的线性能量转移（LET）的有用性能进行了特征。在当今高速开关应用（例如DC-DC转换器和电机控制器）中，低R DS（ON）和更快的切换时间的组合减少了功率损耗并增加了功率密度。这些设备保留了所有已建立的MOSFET的所有优势，例如电压控制，电气参数的快速开关温度稳定性。
![引用：R Cheng，Z Chen，S C Yuan，M Takeaka，S Takagi，G Q Han和R Zhang，GE和GESN MOSFET的移动性增强技术[J]。 J. Semico](/simg/5\55d067308d0cfb297fafb18c475789cd624e8ccf.webp)
引用：R Cheng，Z Chen，S C Yuan，M Takeaka，S Takagi，G Q Han和R Zhang，GE和GESN MOSFET的移动性增强技术[J]。 J. Semico
在过去的几十年中，SI金属 - 氧化物 - 氧化物 - 官方局部效应晶体管（MOSFET）的设备缩放缩放，遵循摩尔定律，驱动了构成金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 溶剂导体（CMOS）集成的cir- cir- cir- cir- cir- cir- cir- cir-cuits的快速发展[1-3]。最近，随着常规设备缩放的物理极限，Si mosfets的性能提高越来越难以实现[4]。较高的Channel迁移率有效地改善了MOSFET的性能，通过应用扭曲的SI技术，这已经很好地证明了这一点[5，6]。但是，仍然需要先进的MOSFET技术来进一步提高CMOS设备的性能。移动性高于SI的替代通道材料引起了人们对改善MOSFET性能的极大兴趣。在这些高迁移率材料中，GE和GESN由于其高迁移率以及SI平台上的出色整体性而有希望[7-12]。
校长教授（博士）Saradindu Panda Mieee，Miasse，...
作为首席研究员：由AICTE资助的主要项目（RPS）（文件编号：8-8/RIFD/RPS/RPS/Policy-1/2016-17），名为“一些关于提高基于等离子体式太阳能电池效率的设计问题的研究”。1494118/ - 在2017-18学年。作为主要研究者：由AICTE资助的嵌入式系统现代化和电子设计自动化实验室现代化项目（文件号：9-139/rifd/rifd/rifd/modrob/policy-1/2016-2017）。9,00,000/ - 在2017-18学年。 作为合作官：DST拳头项目（0级），“教学与研究中可持续发展基础设施的发展”（由DST资助（文件编号：SR/FST/FST/College/2017/2017/2017/105）在2017-18中。 作为主要研究人员：UGC资助的次要项目（文件编号：PSW-299/15-16），名为“使用22nm技术的Nano MOSFETS”，名为“低功率和高速存储器设计”。 3,15,000/ - 在2016-17学年。9,00,000/ - 在2017-18学年。作为合作官：DST拳头项目（0级），“教学与研究中可持续发展基础设施的发展”（由DST资助（文件编号：SR/FST/FST/College/2017/2017/2017/105）在2017-18中。作为主要研究人员：UGC资助的次要项目（文件编号：PSW-299/15-16），名为“使用22nm技术的Nano MOSFETS”，名为“低功率和高速存储器设计”。3,15,000/ - 在2016-17学年。
大面积多指β-Ga2O3 MOSFET及其自…
并取得了令人瞩目的成果[7−11]。为了最大限度地减少β-Ga2O3 MOSFET的SHE，已经提出了一些建设性的方法[12,13]，例如离子切割技术[14]、转移到异质衬底[15,16]和结构设计[17]。新的测量方法已经被用来表征β-Ga2O3 MOSFET的瞬态温度分布[18]。关于β-Ga2O3基MOSFET的大部分报道都集中在追求高PFOM和探索新的结构，然而实际应用中需要大面积结构来维持高的通态电流。对于大面积结构，由于表面积与体积比较小，SHE会比小器件更严重，值得研究。制备高性能大面积β-Ga2O3晶体管的主要挑战是材料生长的不均匀性和工艺流程的不稳定。有报道称，多指β-Ga2O3 MOSFET能够提供300 V的开关瞬变，电压斜率高达65 V/ns [19]，显示出巨大的潜力。尽管如此，电
重离子诱导单核细胞增生的电荷沉积分析...
尽管成本高昂且耗时，但仍可在地面设施中评估功率 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 中重离子诱导的单粒子烧毁 (SEB) 风险。因此，很少有实验研究专门研究与描述离子诱导 SEB 现象相关的相关参数。在本文中，使用几种离子能量组合研究了低压功率 VDMOSFET (垂直双扩散 MOSFET) 中的重离子诱导 SEB。进行了自洽统计分析，以阐明电荷沉积与 SEB 触发之间的关系。将实验数据与文献中的功率 MOSFET 中 SEE (单粒子效应) 最坏情况预测模型进行了比较，首次支持其与 SEB 机制中最坏情况预测的相关性。
陆地中子对SIC VD- ...
摘要 - 与平面，沟槽和双层建筑的不同商业SIC Power MOSFET上进行了加速陆生中子辐照。结果用于计算海平面上的故障横截面和时间（拟合）率。增强的门和排水泄漏，这些设备在暴露期间没有表现出破坏性故障。特别是，对于平面和沟槽栅极MOSFET观察到了不同的机制，第一个显示部分闸门破裂，其中主要是漏极和栅极之间的泄漏路径，类似于以前在重离子上观察到的，而第二个则显示出完整的栅极破裂。讨论了有关不同技术的观察到的故障机制和射线后栅极应力（猪）测试。
MOSFET 手册 2023 V1.0a
江苏杰杰微电子（又名 JJM）的汽车级 MOSFET 提供 -100V 至 650V 的击穿电压 V DS_Max。栅极源阈值电压 V GS(th) 为高电平（2.7 ~ 3.5V）或低电平（1.5 ~ 1.9V，-1.0 ~ -3.0V）。源极漏极导通电阻 R DS(ON) 低至 0.56mΩ（@ V GS = 10V）。FOM 低至 55。这些 MOSFET 通常组装在高效功率封装中，要么是小型表面贴装型，要么是传统通孔型。这些包括但不限于以下具有优异热特性的封装：PDFN3x3-8L、PDFN5x6-8L/-D、PowerJE®10x12（兼容TOLL）、PowerJE®7x8（兼容sTOLL）、TO-247-3/7L等。所有器件均按照AEC理事会和JEDEC定义的相关标准进行了长期可靠性和质量测试。
DC/DC 转换器满足最苛刻的应用要求
5VDC。请注意，使用两个串联的 MOSFET 来承受更高的线路输入电压。AHP2815D (B) 将 28VDC 转换为稳压的 ±15VDC。输出调节使用 PWM 技术，并控制输出调节、过载保护、UV 检测和保护、软启动和输入过压保护。AHP 系列采用专有磁脉冲反馈技术，提供最佳的动态线路和负载调节。该反馈系统以脉冲宽度调制器固定时钟频率对输出电压进行采样；标称频率为 550kHz。初级和次级参考 ENABLE 电路提供便利和控制，可使用事件或信号随意打开和关闭转换器。驱动电路增强 PWM 的输出，以提供足够的 di/dt 来打开或关闭 MOSFET。小型栅极驱动变压器为驱动 AHP270XX 转换器中的上部 MOSFET 提供隔离。整个单元在闭环中工作，确保快速动态响应和稳定的性能。
DC/DC 转换器满足最苛刻的应用要求
5VDC。请注意，使用两个串联的 MOSFET 来承受更高的线路输入电压。AHP2815D (B) 将 28VDC 转换为稳压的 ±15VDC。输出调节使用 PWM 技术，并控制输出调节、过载保护、UV 检测和保护、软启动和输入过压保护。AHP 系列采用专有磁脉冲反馈技术，提供最佳的动态线路和负载调节。该反馈系统以脉冲宽度调制器固定时钟频率对输出电压进行采样；标称频率为 550kHz。初级和次级参考 ENABLE 电路提供便利和控制，可使用事件或信号随意打开和关闭转换器。驱动电路增强 PWM 的输出，以提供足够的 di/dt 来打开或关闭 MOSFET。小型栅极驱动变压器为驱动 AHP270XX 转换器中的上部 MOSFET 提供隔离。整个单元在闭环中工作，确保快速动态响应和稳定的性能。