•表2详细介绍了每个GDS层的最小特征大小,最小间隙和最大特征宽度。•表2中列出了每个GDS层的目标临界维度。请注意,其他特征大小可能具有较小的维偏差。•建议至少5μm的波导之间的最小间距,以避免功率耦合。•GDS层之间至少有200 nm的重叠对于解释层之间的一致性公差至关重要。•在GDS第6层中绘制的所有结构(如果是光栅耦合器)必须与GDS第3层(波导)至少重叠200 nm,以说明对齐误差。•GDS层39(加热器丝)和GDS 41(加热器接触板)之间至少有10 µm的重叠,以实现最佳的加热器性能。•确保在GDS第6层中绘制的所有结构(如果是光栅耦合器)不会与GDS层39(加热器丝)或GDS 41(加热器接触板)重叠。
关于 ePIXfab – 欧洲硅光子学联盟:ePIXfab 是一个由学术和工业组织组成的非营利性开放联盟,其使命是推动欧洲和世界硅光子学科学、技术和应用的发展。ePIXfab 是欧洲学术界和工业界加强全球硅光子学生态系统的催化剂。请访问 https://epixfab.eu/ 了解有关 ePIXfab 使命和活动的更多信息。
南加州大学信息科学研究所运营 MOSIS(金属氧化物半导体实施服务),提供金属氧化物半导体 (MOS) 芯片设计工具和相关服务,使大学、政府机构、研究机构和企业能够高效且经济地制作芯片原型。 MOSIS 服务正在与英特尔公司合作,通过英特尔定制代工厂为微电子设计社区提供 22nm FinFET 低功耗 (22FFL) 工艺技术。为了鼓励参与英特尔多项目晶圆 (MPW) 制造运行的 MOSIS 服务产品,国防部研究与工程副部长办公室 (OUSD(R&E)) 可信和保证微电子 (T&AM) 计划旨在潜在地赞助政府财政年度 (GFY)-2020 和 GFY-2021 的 MPW 运行。如果这些设计和/或设计工作与 T&AM 增强美国微电子开发能力的目标相辅相成,那么符合 R&E 微电子路线图对最先进 (SOTA) 技术需求的项目将被考虑进行补贴制造。