XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemMRA
SOT-MRAM 动力学的微磁建模
自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器 (SOT-MRAM) 器件由于其非易失性、低功耗、高切换速度和耐久性而成为传统存储器的一种颇具吸引力的替代品 [1]。这些器件由磁隧道结 (MTJ) 和 SOT 重金属 (HM) 层组成。在 HM 层上施加电流会产生作用于 MTJ 中铁磁 (FM) 自由层 (FL) 的体自旋扭矩和界面自旋扭矩，这种扭矩源于 HM 层中存在的强自旋轨道耦合，从而可以操纵 FL 磁化。SOT 的对称性为设计具有垂直磁化方向的 SOT-MRAM 单元带来了挑战，以实现适合存储器应用的密度。已经提出并展示了几种解决方案，其中一些需要外部磁场、额外的对称性破坏层或 SOT 与自旋转移扭矩 (STT) 的组合 [1,2]。为了克服工程挑战并加速 SOT-MRAM 设备的开发和采用，需要能够快速准确地探索这些设备设计空间的软件。
2023 年 2 月 17 日审议意见 - MRAe
该文件存在许多漏洞，使得人们很难理解该项目及其环境影响。特别是，项目本身没有得到充分描述，与用水量、水资源状况、水和大气排放以及噪音水平有关的初始状态不够详细，而且对于现有场地的问题和影响，这些主题保留的利益水平似乎被低估了。另外，虽然对项目影响的描述很好，但对避免和减少影响的措施描述不足，并且没有分析项目实施后的残余影响。最后，关于监测，该文件只是提到了现有监测的连续性，但这种监测并不包括实施新的措施。
在Stt -Mram中建模热效应-IUE
我们采用随机Landau – lifschitz – Gilbert（SLLG）方程来探索对自旋转移扭矩磁磁磁性随机访问记忆（STT-MRAM）中切换的热效应。开关时间的分布取决于有限元方法（FEM）实现中用于离散化的网格，我们在热场计算中引入了有效的温度缩放，以减少对元素大小的切换时间分布依赖性。此外，我们在不同温度下研究了STT-MRAM的开关统计数据，并表明切换时间分布的平均值较低，但在较高的工作温度下，切换时间较长。结果，在升高温度下，具有固定电压脉冲持续时间的STT-MRAM切换变得更容易出错。
tocilizumab（actemra）在巨型细胞动脉炎标准...
1抗病毒预防HBV：应使用具有高遗传障碍的药物，例如Entecavir或Tenofovir。2咨询肝病学家或传染病专家，以了解是否开始抗病毒预防以防止HBV重新激活。3抗HBS可能有助于识别（1）需要初始疫苗接种或加强疫苗接种的患者（抗HBS滴度> = 10 IU/L通常被认为是保护性的）或（2）HBSAG阴性患者，没有过去从过去感染中具有神秘性HBV的HBV（抗HBS阳性和抗HBS）的HBV疫苗接种。4在HBV或HCV呈阳性的患者中使用Tocilizumab的安全性是未知的，因为这些患者被排除在临床试验之外。5严重的GCA是指中型到大型血管炎的颅骨或全身症状，具有生命或威胁器官的体征 /症状，例如迫在眉睫或实际丧失视力或脑血管，心脏或肢体局部缺血。
HXNV06400 64Mb 非易失性 MRAM
(1) 器件在暴露于任何指定的辐射环境时都不会闩锁。 (2) 使用 CREME96 计算，应用了威布尔参数和其他相关属性。 辐射特性 总电离剂量辐射 MRAM 辐射硬度保证 TID 水平通过 60 Co 测试（包括过量和加速退火）认证，符合 MIL-STD-883 方法 1019 标准。制造过程中的晶圆级 X 射线测试提供持续保证。 单粒子软错误率 MRAM 中包含特殊工艺、存储器单元、电路和布局设计考虑因素，以最大限度地减少重离子和质子辐射的影响并实现较小的预计 SER。可根据要求提供威布尔参数和其他相关属性，以计算其他轨道和环境的预计翻转率性能。 瞬态剂量率电离辐射 产品设计的许多方面都经过了处理，以处理与瞬态剂量率事件相关的高能级。这使得 MRAM 能够在暴露于瞬态剂量率期间和之后写入、读取和保留存储的数据
超大规模 MRAM 单元中的自旋和电荷漂移扩散
设计先进的单位形状各向异性 MRAM 单元需要准确评估具有细长自由层和参考层的磁隧道结 (MTJ) 中的自旋电流和扭矩。为此，我们通过在隧道屏障界面处引入适当的自旋电流边界条件，并采用局部依赖于电荷电流磁化矢量之间角度的电导率，将成功用于纳米级金属自旋阀的分析方法扩展到 MTJ。从而准确地再现了作用于自由层的扭矩的实验测量电压和角度依赖性。超大规模 MRAM 单元的开关行为与最近对形状各向异性 MTJ 的实验一致。使用我们的扩展方法对于准确捕捉 Slonczewski 和 Zhang-Li 扭矩贡献对包含多个 MgO 屏障的复合自由层中的纹理磁化作用的相互作用绝对必不可少。
双参考层STT-MRAM结构提高了性能
自旋转移扭矩磁盘磁盘随机记忆（STT-MRAM）是一项新兴技术，该技术旨在取代其不易作用，并且由于其不易作用，并且越来越改善功耗，高存储密度，快速的写作速度，强大的耐力和长期数据退休，因此可能会替代其不易启动性的闪光，DRAM和慢速SRAM。如图1A，STT-MRAM设备由铁电磁（FM）参考层（RL）组成，具有固定磁化方向，绝缘体隧道屏障（TB）和铁磁自由层（FL），具有可变的磁化方向。这三层的连接形成了磁性隧道连接（MTJ），由于这是单元的中心分量，因此整个结构被称为单个MTJ（SMTJ）。信息是基于出现的不同电阻水平存储的，当将FL磁化设置为平行（P）或反平行（AP）与RL磁化方向时。这些磁化状态之间的变化是通过通过与层堆栈平行的结构进行足够大的电流来实现的[1]。目前，STT-MRAM设备面临的挑战之一是它们的小型化是为了达到增加的存储密度，这将使它们用于更广泛的应用，从而扩大了对常规波动记忆的竞争力。该目标的主要途径是减小位单元大小，该大小主要由提供开关电流所需的接触尺寸确定。因此，降低电流和同样的电压，
ICMA-GMRA 条款分类和图书馆策略 - ...
GMRA 的成功从其在全球范围内作为主净额结算协议用于记录市场参与者之间关系的广泛使用中可见一斑。为了支持在此背景下使用 GMRA，ICMA 代表其成员委托年度法律意见，审查整个协议的可执行性，特别是审查协议净额结算条款在超过 65 个司法管辖区的有效性。GMRA 法律意见考虑了公司、银行和证券交易商以及中央银行（如相关）和其他各种非银行金融机构达成的交易。对于受到审慎监管的 ICMA 成员而言，GMRA 法律意见对于确保监管资本减免以及以净额而非总额评估其投资组合至关重要 3 。法律意见以 GMRA 未经重大修改为基础 4 。
实现大脑图像共享：使用生成对抗网络实现具有分割标签的差异化隐私 TOF-MRA 图像
共享标记数据对于获取用于各种深度学习应用的大型数据集至关重要。在医学成像领域，由于隐私法规的原因，这通常是不可行的。虽然匿名化是一种解决方案，但标准技术已被证明是部分可逆的。在这里，使用具有差分隐私保证的生成对抗网络 (GAN) 的合成数据可以成为一种解决方案，既能确保患者的隐私，又能保持数据的预测特性。在本研究中，我们实现了具有和不具有差分隐私保证的 Wasserstein GAN (WGAN)，以生成用于脑血管分割的隐私保护标记的飞行时间磁共振血管造影 (TOF-MRA) 图像块。合成的图像标签对用于训练 U-net，该 U-net 根据来自两个不同数据集的真实患者图像的分割性能进行评估。此外，计算了生成的图像和真实图像之间的 Fréchet 初始距离 (FID) 以评估它们的相似性。在使用 U-Net 和 FID 进行评估时，我们探索了不同隐私级别的影响，该级别由参数 ε 表示。在更严格的隐私保障下，分割性能和 FID 与真实患者图像的相似性会下降。我们最好的分割模型是在合成数据和私人数据上训练的，在脑血管分割范例中，当 ε = 7.4 时，Dice 相似度系数 (DSC) 为 0.75，而当 ε = ∞ 时，Dice 相似度系数为 0.84（第二个测试集上的 DSC 分别为 0.69 和 0.88）。我们确定了一个阈值 ε < 5，对于该阈值，