MSIO

可调节的神经形态切换动力学通过孔隙二氧化硅扩散的回忆录中的孔隙率控制

摘要：为了响应日益增长的时间信息处理的需求，神经形态计算系统正在越来越强调备忘录的开关动力学。虽然可以通过输入信号的属性来调节开关动力学，但通过备忘录的电解质特性控制它的能力对于进一步丰富了开关状态并提高数据处理能力至关重要。这项研究介绍了使用溶胶 - 凝胶过程的介孔二氧化硅（MSIO 2）膜的合成，从而可以创建具有可控孔隙率的膜。这些薄膜可以用作扩散的回忆录中的电解质层，并导致可调的神经形态切换动力学。MSIO 2回忆录表现出短期可塑性，这对于时间信号处理至关重要。随着孔隙率的增加，观察到工作电流，促进比和放松时间的明显变化。研究了这种系统控制的基本机制，并归因于二氧化硅层多孔结构内的氢键网络的调节，这在切换事件中显着影响阳极氧化和离子迁移过程。这项工作的结果提出了介孔二氧化硅，作为一个独特的平台，用于精确控制扩散的备忘录中神经形态开关动力学。关键字：介孔二氧化硅，扩散的回忆录，神经形态切换，短期记忆，离子动力学