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MSPM0 MCU：更多选择，无限可能
• 凭借业界首款集成到 MCU 中的斩波稳定运算放大器，现在可以通过将模拟信号链引入 MCU 来简化设计，而不会影响性能 • MSPM0 斩波稳定运算放大器在 -40 至 125ºC 工作范围内提供 <±0.5 mV 的输入失调漂移，显著降低高增益应用中的测量误差；借助灵活的片上模拟互连，可以创建各种模拟电路，包括反相/非反相放大器、缓冲器、PGA（增益从 1X 到 32X）以及差分或级联放大器拓扑 • MSPM0G MCU 系列提供双路、同时采样 4 Msps 12 位 SAR ADC，具有内部硬件平均值，可实现 14 位 250 ksps 采样，适用于需要更高精度监控电压和电流的应用，通常无需使用分立 ADC
区域体系结构如何铺平通往完全软件的方式...
可扩展的软件和多个针对针族，以解决超低成本和性能驱动的应用程序AEC-Q100 1级，FS-QM和26262 ASIL-B选项，安全发布，Evita Light
应用注释-MSPM0量规L1解决方案指南
图1-1的数字列表。MSPM0 Gauge Hardware Board............................................................................................................................... 2 Figure 1-2.MSPM0 Gauge Software Project.............................................................................................................................. 3 Figure 1-3.MSPM0 Gauge GUI Project...................................................................................................................................... 3 Figure 2-1.MSPM0仪表板框图........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 4图2-2。Gauge Board Instructions.......................................................................................................................................... 4 Figure 3-1.MSPM0 Gauge Software Project View...................................................................................................................... 5 Figure 3-2.Battery Model and SoC-OCV Table........................................................................................................................... 5 Figure 3-3.VGauge Software Flow............................................................................................................................................. 6 Figure 3-4.MCU COM Tool functions.......................................................................................................................................... 7 Figure 3-5.SM COM Tool function.............................................................................................................................................. 7 Figure 4-1.Pulse Discharge Test Case....................................................................................................................................... 9 Figure 4-2.Hardware Structure to Get Battery Model................................................................................................................. 9 Figure 4-3.Battery Circuit Table Generation............................................................................................................................. 10 Figure 4-4.Battery Circuit Table Input....................................................................................................................................... 10 Figure 4-5. tBattParamsConfig Structure................................................................................................................................... 11 Figure 4-6.Gauge Mode Setting............................................................................................................................................... 12 Figure 4-7.Detection Data Input Mode Structure...................................................................................................................... 12 Figure 4-8.Flash Data Input Mode Structure............................................................................................................................ 12 Figure 4-9.Battery Runfile Generation...................................................................................................................................... 13 Figure 4-10.Battery Runfile Copy............................................................................................................................................. 13 Figure 4-11.Code Change for Changing Time Step.................................................................................................................. 13 Figure 4-12.通信数据输入模式结构........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 14图4-13。Communication Data Input.................................................................................................................................... 14
TMCS1127 250KHz Hall-hall效果电流传感器，带有增强隔离工作电压和环境场拒绝数据表
诸如电动工具，电子摩托车（电子自行车，电子示波器和电子机关），不间断的电源（UPS）和真空吸尘器等产品通常具有更复杂的BMS系统，因此需要强大的电池保护以平衡增加的风险系数。在这些应用中，电池保护是由显示器和MCU和保护器一起执行的。此类系统的主要MCU要求是低功率和高性能。具有处理复杂测量算法的能力，包括增强的外围设备以及性能和功率的良好平衡，MSPM0 MCU非常适合这些应用。
使用低成本MSPM0
日本电子和信息技术工业协会（JEITA）指南，用于改善电池充电安全概述一系列电池温度阈值，这些电池温度阈值可能会影响越过充电参数。这些阈值通常定义为：低于0°C的冷温，低于10°C但高于0°C的凉爽温度，温度高于45°C，但低于60°C，温度低于60°C。温度低于冷阈值的规定行为，高于热门阈值是停止充电，直到电池温度归一化。可以降低电池温度的电池温度，充电电流和最大电荷电压可以降低。不同的指南适用于不同的应用程序，我们建议检查适用于给定电池组的特定指南。
使用MSPM0 AEC- ...
您好，欢迎使用Ti Precision Lab Video介绍电磁合规性标准测试方法。这些测量设置和方法的详细信息在IEC 61000-4-X，CISPR 11测试标准中涵盖。本文档旨在提供简短的简单概述。典型的EMC测试包括进行和辐射的免疫力和排放以及许多电气超强型测试。本系列关于良好EMC的PCB设计系列主要集中在RF排放和免疫力的概念上，但是有一个针对电气超重的Precision Labs视频系列。然而，优化PCB布局以最大程度地减少RF排放问题，通常也将受益于电气超重保护。本文档将涵盖可能标准的一小部分作为对象的介绍。有许多不同的标准，您的要求可能会因您的本地法规和产品要求而有所不同。让我们从简短的概述开始，对我们将讨论的所有测试。
申请简介用低成本MSPM0 MCU
将N1拉到低状态时，N2和N1的电压显着低于VE，并导致Q1进行。这使INA进入下图中的虚线橙色箭头所示的逻辑低。低状态信号穿过隔离器，并导致Outa变低。N7处的电压通过蓝色箭头说明的二极管D2的前向偏置。但是，当N1变高时，由于N7和N5处剩余的低级信号，它的电压无法立即返回VCC1的水平，这会导致D1向前偏置。相反，N1升至阻断Q1的必要电势。它一直保持在此级别，直到Q1上的高阻抗使R4可以为隔离器输入INA提供高逻辑，从而释放N6和D3并导致N7升高。只有这样，N1才能返回到VCC1的级别。
BQ25798 I2C受控，1至4个电池，5-A降压电池充电器，带有双输入选择器，太阳能电池板的MPPT和快速备份模式数据表（Rev. b）
Ti的可扩展MSPM0 MCU投资组合具有ARM®Cortex®-M0+核心。最大CPU速度为32 MHz的低成本家族具有32位结构，可提高MCU的处理能力。从1.62 V到3.6 V的宽操作电压允许在低压和低功率应用中使用。高压检测需要 5-V耐受I/O销。 在较长的电池寿命中，MSPM0具有多种低功率模式，可在TWS应用中节省电池能量。 待机模式的消耗小于1 µA。 16针MCU的最小包装是一个3毫米×3毫米QFN，具有4KB至64KB闪存，并具有销钉对针替换选项。 集成了一个12位的快速SAR ADC，最高为4-MSPS样本率。 14位分辨率通过高精度的高度采样技术支持，以量表算法的高精度。 可以使用UART，I2C和SPI等各种外围通信界面。5-V耐受I/O销。在较长的电池寿命中，MSPM0具有多种低功率模式，可在TWS应用中节省电池能量。待机模式的消耗小于1 µA。16针MCU的最小包装是一个3毫米×3毫米QFN，具有4KB至64KB闪存，并具有销钉对针替换选项。集成了一个12位的快速SAR ADC，最高为4-MSPS样本率。14位分辨率通过高精度的高度采样技术支持，以量表算法的高精度。可以使用UART，I2C和SPI等各种外围通信界面。
ISO6740-Q1，ISO6741-Q1，ISO6742-Q1 ISO7741.pdf 区域体系结构如何铺平通往完全软件的方式... 使用MSPM0 AEC- ... 设计更智能的汽车系统 EMC合规性测试 如何设计一个用于高级电动汽车电池管理系统的智能电池接线盒 TLV9051 / TLV9052 / TLV9054 5MHz，15V / µs高slew- ... < / div> TMCS1127 250KHz Hall-hall效果电流传感器，带有增强隔离工作电压和环境场拒绝数据表
•功能安全性 - 可用于帮助功能安全系统设计的文档设计：ISO6740-Q1，ISO6741-Q1，ISO6742-Q1•AEC-Q1•AEC-Q100具有以下结果： - 设备温度级：1：–40°C至125°C的环境隔离范围•隔离范围•50M隔离率•50m在1500V RMS的工作电压下 - 高达5000V RMS隔离额定值 - 高达10kV的电压 - ±150kV/μs典型的CMTI•供应范围：1.71V至1.89V至1.89V至2.25V至2.25V至5.5V至5.5V•1.71V•1.71V•1.71V至5.5V级至5.5V级别•默认输出•ISO674X-Q1-1674X-Q1-ef（ISO674X-Q1） per channel typical at 1Mbps • Low propagation delay: 11ns typical • Robust electromagnetic compatibility (EMC) – System-level ESD, EFT, and surge immunity – ±8kV IEC 61000-4-2 contact discharge protection across isolation barrier – Low emissions • Wide-SOIC (DW-16) Package • Safety-Related Certifications : – DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17） - UL 1577组件识别程序 - IEC 62368-1，IEC 61010-1，IEC 60601-1 - GB 4943.1