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将MNFE纳米颗粒固定在ZIF-67
大规模氢产生的进步及其通过电催化水分裂的应用在很大程度上取决于发展高度活跃的廉价且有效的电催化剂的进展，以氧气进化反应（OER），这继续带来重大挑战。在此，我们准备使用嵌入的铁（Fe）和锰（Mn）纳米颗粒的GO@Zif- 67@mnfe，上面是用含有Zeolitic Imidazy框架（ZIF-67）装饰的石墨烯（GO）上的纳米颗粒（GO）。预先准备的GO@ZIF-67@MNFE催化剂表现出显着的电催化活性，低电位的低电势仅为236 mV，目前的密度为10 mA CM - 2，小型TAFEL斜率为55.7 mV dec-1的小型TAFEL斜率为1.0 mV，并且在1.0 M KOH ElectroleTe中可耐用。此外，我们进行了一项系统研究，以使用密度功能理论（DFT）计算来研究ZIF-67，ZIF-67@MN，ZIF-67@FE和ZIF-67@FE和ZIF-67@MNFE的电催化OER活性。实验和DFT计算结果表明，将Fe和MN引入ZIF-67通过减少活化的能量屏障和加速动力学来提高OER性能。这项研究提出了一种有前途的策略和合理的设计方法，用于利用ZIF衍生物进行水分割的多金属催化剂。
基于CMOS的小型多传感器平台，用于分析和诊断，Alexander Hofmann 1，FlorianKögler1，Elisa Hilbrecht 1，Victoria Dimo
图1：具有标准钝化为离子敏感层的CMOS ISFET，信号转换的扩展门电极和下方的MOSFET，对氢离子（H +）敏感。H +的吸附或释放改变了闸门的电池，这会改变源和排水之间的电流。因此，可以测量与与表面结合的H +离子成正比的电信号变化。与可自定义的特殊过程相比，标准CMOS流程中的ISFET可以开发和制造更具成本效益。，这也面临着几个挑战：首先，作为离子敏感层的标准钝化会引起对最大斜率的敏感性，因为在25°C时NERNST的59 mV/pH值和信号漂移中的59 mV/pH值。此外，ISFET的操作点移动和
氧化钴装饰的硅碳化物纳米树阵列电极用于微型pepercapacitor应用
摘要：合成了氧化钴（CO 3 O 4）装饰的碳化硅（SIC）纳米树阵列（称为CO 3 O 4 /sIC NTA）电极，并研究了用于微型 - 苏格体配件的应用。首先，由镍（Ni）催化化学蒸气沉积（CVD）方法制备了良好的SIC纳米线（NWS），然后由Co 3 O 4的薄层和层次CO 3 O 4 nano-nano-luper-Clusters组成，分别是在侧面和最高的sic nw上制造的。SIC NWS上Co 3 O 4的沉积使电极/水溶液界面的电荷转移由于其在CO 3 O 4装饰后极为亲水的表面特性而在电极/水性电解质界面上受益。此外，CO 3 O 4 /SIC NTA电极由于其稳固的结构而沿SIC纳米线的长度提供了方向的电荷传输路线。通过使用CO 3 O 4 /SIC NTA电极进行微轴心电容器的应用，以10 mV s-1扫描速率以10 mV s-1扫描速率以循环伏安法测量获得的面积电容达到845 mf cm-2。最后，还通过循环伏安法的循环测试评估了电容耐用性，以高扫描速率为150 mV s -1，对于2000个循环，表现出极好的稳定性。
世界银行文件
拟议的项目是2023年11月28日批准的区域上升MPA计划（P180547）的第二阶段的一部分。组件1将加强Bujumbura以外的30 kV分配网络。组件2将支持Bujumbura的康复，现代化和扩展，并通过安装40 000个新连接的外围分销网络。在组件1和2下，该项目将资助6 HV/MV变电站的构建/升级，274 mV/lv变电站，安装275个分配变压器以及建造1593 km的MV和LV分布线。组件3将资助通过私营部门分销飞行员的分销网络的扩展，而组件4将为TA活动提供资金，以加强能源部门，包括政策改革以及技术研究，以加速该国的电力速度。该银行的环境和社会框架（ESF）将适用于政府责任的活动，包括支持TA的那些活动及其下游E＆S影响。借款人在ESF下进行的项目活动（ESS）适用环境和社会标准（ESS）包括组件1、2和4。OP 4.03触发，该项目将适用世界银行集团（WBG）私营部门活动的绩效标准（所有项目活动3），包括相关的WBG环境，健康与安全（EHS）指南，这些指南将由私人实体，WEZA POWER实施。OP 4.03触发，该项目将适用世界银行集团（WBG）私营部门活动的绩效标准（所有项目活动3），包括相关的WBG环境，健康与安全（EHS）指南，这些指南将由私人实体，WEZA POWER实施。
获得具有原子阈值的MOS2晶体管 -
基本的玻尔兹曼限制决定了子阈值摇摆（SS）的最终限制为60 mV dec -1，这阻止了供应电压的持续扩展。具有原子较薄的身体，2D半导体为高级低功率电子设备提供了新的可能性。在此，通过将原子量表的抗性金属集成与常规MOS 2晶体管相结合，表明超低SS在房间温度下以低于1 mv的12 dec-1来表明，超高斜率的MOS 2电阻式晶体管晶体管（RG-FET）通过将原子尺度抗性的细节整合在一起。纳米抗抗性的光膜的突然电阻过渡可确保门电势的急剧变化，并切换设备，并导致超强的SS。同时，RG-FET表现出高度/效率为2.76×10 7，具有出色的可重复性和可靠性。使用超级SS，可以轻松地使用RG-FET来构建具有超高增益2000的逻辑逆变器，这表明未来的低功率电子设备和单片整合的令人兴奋的潜力。
用竹子，石灰石和姜黄>用液体电解质电池
开发环保电源生产技术。开发由竹，石灰石和姜黄制成的发电厂，以增加电解质溶液中电子的跳跃。这项研究旨在揭示姜黄作为从竹子和石灰石制造电解质溶液的催化剂的作用。这项研究的初始阶段始于高能量铣削（HEM）过程，将竹材料的大小降低到纳米尺寸。此外，竹子和石灰石溶解在水中，比为1：1。所使用的电极是铝和铜。姜黄用作催化剂，并增加原子数。比较竹子，石灰与姜黄1：1：1。石灰石通过激活偶极力并具有结晶特性，溶解在离子中。测试结果表明，与姜黄混合之前，由竹子和石灰石材料产生的电压为508 mV。此外，姜黄的添加产生的电压为1631 mV。
DTU 风能研究 - 混合风力发电厂
– 风力发电 +/ 其他可再生能源 +/ 储能 – 带有公共交流连接点，通常连接到中压或高压电网 • 可以使用交流或直流或混合收集系统 • 设计和运营目标的驱动力是最大化业主的价值
评估太阳能遥控动臂喷雾器的电池性能
Pharma Innovation Journal 2023; SP-12（12）：1689-1694 ISSN（E）：2277-7695 ISSN（P）：2349-8242 NAAS评级：5.23 TPI 2023; SP-12（12）：1689-1694©2023 TPI www.thepharmajournal.com接收到：接受：19-10-2023接受：25-11-2023 MV JALU农业机械和动力工程系 Engineering and Technology, JAU, Junagadh, Gujarat, India PS Ambaliya Department of Farm Machinery and Power Engineering, Collage of Agricultural Engineering and Technology, JAU, Junagadh, Gujarat, India DB Chavda Department of Farm Machinery and Power Engineering, Collage of Agricultural Engineering and Technology, JAU, Junagadh, Gujarat, India Corresponding Author: MV Jalu Department of农业机械和动力工程，农业工程和技术的拼贴，Jau，Junagadh，Gujarat，India
使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元格
摘要 - 具有超低泄漏和出色稳定性的静态随机记忆细胞是当代智能设备中设备上层的记忆的主要选择。本文介绍了一个新型的8T SRAM细胞，其泄漏降低并证明是稳定性的。所提出的SRAM单元使用堆叠效果来减少泄漏和传输门作为访问晶体管以增强稳定性。已经根据功耗和静态噪声边缘（RSNM，HSNM和WSNM）分析了所提出的具有堆叠晶体管的拟议的8T SRAM细胞的性能。在22 nm技术节点时，发现基于FIN-FET的8T细胞的功耗为572 PW，与基于CMOS的8T细胞相比，该因子几乎降低了一个因子。此外，对于基于FinFET的新型8T SRAM细胞在22 nm技术节点的情况下，发现功耗被发现减少了一倍。𝟓×𝟏𝟎𝟏𝟎𝟐𝟐𝟐。WSNM，HSNM和RSNM的8T SRAM细胞在0.9 V电压电压下观察到具有FinFET逻辑的8T SRAM细胞的240 mV，370 mV和120 mV。与常规的6T填充细胞相比，所提出的细胞显示了20％，5.11％和7％的WSNM，HSNM和RSNM，这是分数的。还分析了SNM的灵敏度，并报告了温度变化的敏感性。此外，获得的结果证实了所提出的SRAM细胞的鲁棒性，与近期作品相比。