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准二维范德华过渡金属trichalcogenides
过渡金属三卡构基化（TMTC）是准二维（1D）MX 3-Type van der wa wa waals分层半导体，其中M是IV和V组的过渡金属元素，X表示chalcogen元素。由于独特的准1D晶体结构，它们具有多种新型的电气特性，例如可变的带镜，电荷密度波和超导性，以及高度各向异性的光学光学，热电和磁性。TMTC的研究在1D量子材料字段中起着至关重要的作用，从而在材料研究维度中实现了新的机会。目前，已经在材料和固态设备方面取得了巨大进展，证明了在实现纳米电子设备中的有希望的应用。本评论提供了一个全面的概述，以根据TMTCS调查材料，设备和应用程序的最新技术。首先，已经讨论了TMTC的符号结构，当前的主要合成方法和物理特性。其次，提出了各个领域中TMTC应用的示例，例如光电探测器，储能设备，催化剂和传感器。最后，我们概述了TMTC研究的机会和未来观点，以及基础研究和实际应用中的挑战。
WS2的水热合成及摩擦学性能...
根据Holmberg等人最近的研究，重型车辆的发动机、变速箱、轮胎、辅助设备和制动器的摩擦消耗33%的燃料能量[1]，汽车中的摩擦消耗28%的燃料能量[2]，整个造纸厂摩擦消耗的能量占15-25%[3]。因此，人们进行了多次尝试，引入各种方法来克服摩擦。润滑被公认为减少摩擦和磨损最有效的方法之一[4]。润滑油添加剂对润滑性能有重要的影响。这些添加剂是活性成分，可以在混合过程中添加到基础油中，以增强基础油的现有性能或赋予基础油所缺乏的新特性[5-6]。在现代工业中，对机械寿命和效率的不断增长的需求刺激了对性能更好的润滑油添加剂的研究。在过去的几十年中，过渡金属二硫属化物MX 2 (M=Mo、W、Ti、V、Nb和Ta，X=S、Se) 因其独特的结构和优越的性能而引起了人们的极大关注。众所周知，过渡金属二硫属化物具有由XMX层堆叠而成的夹层结构。各层之间仅靠范德华力松散地结合，易于分裂，
具有大自旋间隙的二维半金属的设计
二维半金属在磁性纳米器件中展现出巨大的潜力。然而，二维半金属的发现仍然基于逐案评估。本文，我们提出了设计具有大自旋间隙的二维过渡金属基半金属的一般规则，即找到具有洪特规则分裂的 d 轨道和深阴离子 p 轨道能级以使 dp 相互作用最小化的材料。基于对具有扭曲四面体晶场的 54 种过渡金属化合物 MX 2（M = 3 d 区过渡金属；X = VIA-VIIA 元素）的 DFT 计算，我们发现所有铁磁化合物都表现出半金属性。我们将半金属性归因于具有弱 dp 轨道杂化的 M 阳离子的部分填充 d 轨道的洪特规则分裂。由于 Cl p 轨道能级较深（− 8.4 eV），氯化物表现出大于 4 eV 的自旋间隙。我们在过渡金属三氯化物 M Cl 3（M = 3 d 区过渡金属）中验证了这一规则。利用这一规则，我们预测铁磁单层 M Cl 和 M 3 Cl 8（M = 3 d 区过渡金属）是具有大带隙的半金属。这项工作丰富了二维半金属的种类，并可能带来新型磁性纳米器件。
通过光总和规则检测价频段浮游功能的传播
半导体和绝缘子中价频段的函数的扩散是一种特征性的特性，可以粗略估计材料的绝缘性。我们阐述的是，由于它们等于在动量上集成的价值带状态的量子指标，因此可以从光学电导率和吸光度中从光学电导率和吸光度中从实验中提取量规不变部分。由于量子度量进入光导率的矩阵元素，因此可以从介电函数的假想部分的频率整合中获得价频段散布函数的扩散。我们实际上是为SI和GE等典型的半导体以及拓扑绝缘子（如BI 2 TE 3）进行了证明。在2D材料中，可以从吸光度除以频率，然后在频率上积分的吸光度中获得Wannier函数的扩散。将此方法应用于石墨烯，揭示了由固有的自旋轨道耦合引起的有限扩散，这可以通过微波范围的吸光度检测到。毫米波范围内扭曲的双层石墨烯的吸光度可用于检测板的形成并量化其量子度量。最后，我们将我们的方法应用于六边形过渡金属二进制MX 2（M = MO，W; X = S，SE，TE），并演示了Excitons和Emalligh Energe Bangs（例如Excitons and Emally Energe Bangs）如何影响Strier功能的传播。
新闻信息 2020 年 1 月 16 日 Quintus Technologies HIP 系统为 HT-MX 提供了高质量热等静压的理想入门产品
奇瓦瓦州热处理专家安装配备通用快速冷却系统的 HIP 设备，投资未来 瑞典韦斯特罗斯，2020 年 1 月 16 日——HT-MX 总部位于墨西哥奇瓦瓦，专门为航空航天和汽车市场提供热处理和冶金实验室服务。当该公司决定扩大其已经广泛的服务范围并扩大其航空航天业务时，该公司在 Quintus Technologies 找到了理想的合作伙伴。热等静压 (HIP) 长期以来一直是全球制造商消除孔隙和去除材料缺陷的首选方法。然而，在墨西哥，直到现在还没有企业能够提供 HIP 服务。 成熟企业的新技术 这家快速发展的热处理专家已成为墨西哥第一家投资 HIP 系统的公司。在对可用系统进行全面评估后，HT-MX 决定与 Quintus Technologies 合作，选择了 QIH 48 M URC® 型压机。URC 是 Quintus 专有的均匀快速冷却功能，将 HIP 和热处理结合在一个工艺中。 HT-MX 首席执行官 Humberto Ramos Fernandez 表示：“当我们开始使用未知技术的新项目时，重要的是尽量减少任何可察觉的风险。而拥有世界领先的设备供应商无疑有助于实现这一点。对于我们这样的运营，我们寻求的是质量、
mxene-doped-perovskite-solar-call-solar-sall-sall-for- ...
摘要近年来，将二维MXENE与钙钛矿太阳能电池掺入引起了很多关注。mxenes由于其表面终止功能组T X而显示出独特的电气功能。此外，将这种材料纳入钙钛矿太阳能电池已导致效率提高并提高了光电性能。在目前的工作中，使用comsol多物理学来模拟由电子传输层（ETL）组成的掺杂的钙钛矿太阳能电池，由钙钛矿（MAPBI 3）和MXENE（TI 3 C 2 T X）和带有配置ETL/ MAPBI 3 + MX的吸收层（MAPBI 3）和孔传输层（HTL）和孔传输层（HTL）。用于材料，将TIO 2（120 nm）用作ETL，并将螺旋形（140 nm）用作HTL。对吸收层（MAPBI 3 + MXENE）的厚度和浓度的影响进行了彻底研究以提高其效率。然后使用理想的厚度和掺杂浓度的理想变化来告知最佳太阳能电池结构的设计，该结构的最大效率为19.87％，填充系数为0.57，开路电压（V OC）为1.10V，短路电流电流密度（J SC）为31.97 mA/cm/cm 2。据我们所知，这是Comsol多物理学首次用于模拟用2D Ti 3 C 2 T X MXENE掺杂的钙钛矿太阳能电池。因此，结果给出了有意义的指导和洞察力，并深入研究了掺杂的钙岩太阳能电池的制造和进一步研究。关键字：Perovskite，mxene，comsol，仿真。
基于二维材料的晶体管，用于未来集成电路
硅互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的缩放已达到 10 纳米以下技术节点，但进一步缩放越来越具有挑战性，因为器件的栅极静电要求大幅减少沟道厚度以保持所需的性能 1 。场效应晶体管 (FET) 的最终沟道厚度可能在 1 纳米以下范围内。但是，任何三维 (3D) 半导体晶体都无法轻易实现这一点，因为在沟道到电介质界面处电荷载流子的散射增加，导致迁移率严重下降 2 。二维 (2D) 半导体材料单层厚度约为 0.6 纳米，可以提供解决方案。这类材料包括过渡金属二硫属化物 (TMD)，其通式为 MX 2 ，其中 M 是过渡金属（例如，Mo 或 W），X 是硫属元素（例如，S、Se 或 Te）3 – 8。材料中没有悬空键也提供了实现更好的通道到电介质界面的潜力。基于机械剥离的单晶 2D 薄片的早期研究，以及基于大面积生长的合成 2D 单层的最新发展，都表明了 2D 晶体管的良好特性。然而，仍有许多挑战有待解决，这使得 2D FET 在未来超大规模集成 (VLSI) 技术中的应用潜力尚不明确。在本篇评论中，我们探讨了 2D FET 在未来集成电路中的发展。我们首先考虑大面积生长
小型立井开采生产周期诊断
摘要 凿井是地下矿山的一项经典活动。在横截面积较小的竖井或机械化指数较低的矿井中，通常使用手动风钻和炸药筒爆破，采用自然通风或带有轴流风扇的柔性管道排出气体和烟雾，用手铲将矿渣铲入可提升的倾卸斗中。这里研究了这种类型的系统，包括一个矩形横截面竖井（3.7 mx 2.0 m），最终深度为 94 m，开挖目的是在露天矿工业启动前获取中试规模矿物加工试验的样品。竖井有一个混凝土套管，其墙壁由间距 1.5 m 的木板和 25 mm 厚的木板作为衬砌支撑。该竖井是在位于 Chapada（巴西 Mara Rosa 市）的变质热液铜金矿床的片岩中开挖的。对涵盖一个月活动的每日生产工作表进行了统计分析，涵盖了整个采矿作业周期，即钻孔、装药和爆破、烟尘排放、出渣、修整和刮平壁面和工作面以及安装支撑系统。还量化了作业停机时间。生产力指标的统计分析可以检测作业的关键点并为类似的采矿作业建立参考。关键词：矿山工作；地下矿；小型矿；统计分布。摘要 矿山基础是地下矿山的经典活动。 Em poços de pequena seção transversal ou em minas com baixos índices de mecanização é comum or uso de perfuratrizes pneumáticas manuais e desmonte por gelatin explosiva em cartuchos, empregando tiragem natural ou dutos flexíveis com ventiladores axiais para exaustão degas e fumos,删除古手册中的材料并通过 caçambas basculantes içáveis 进行运输。系统设计为矩形截面 (3,7 mx 2,0 m)，最终高度为 94 m，可通过逐步升级的矿物开采方法，在工业领域开展邮政业务。在这个时代，我们以 25 毫米的 25 毫米马德拉四边形为基础，以 25 毫米的速度进行了马德拉四边形的支撑。可以在 Chapada（巴西玛拉罗莎市）的水温变质过程中快速解决问题。论坛分析统计为坎帕尼亚的生产日记、更改所有操作的待办事项、名称：性能、保养和装饰、排气、材料装饰、装饰和面孔esscoramento 系统蒙太奇。作为paradas de operação Também foram quantificadas。生产率指标的统计分析可以发现作业中的关键点，并为类似的采矿作业建立参考。关键词：矿山工作；地下矿井；小型地雷；统计分布。摘要 凿井是地下矿山的一项经典活动。在小井或机械化程度较低的矿井中，通常使用手动风钻并使用药筒中的炸药明胶进行爆破，使用自然通风或带有轴流风扇的柔性管道进行气体和烟雾抽排，用手动铲子清除碎片材料并提升翻斗。这里进行了一项研究
p 掺杂二硫化钼中光驱动瞬态皮秒顶层半导体到金属相变
二硫族化合物 MX 2 (过渡金属 M 和硫族元素 X) 是范德华耦合的层状准二维材料，具有可定制的电子特性，因此在器件、气体传感器和化学过程方面具有重要意义。[1] 其基础是多相和堆叠顺序的存在，以及作为主体材料进行掺杂和插层的能力。[2] 二硫族化合物辉钼矿 (MoS 2 ) 是一种热力学稳定的块体晶体，间接带隙为 1.2 至 1.3 eV。[3–5] 其晶体结构由堆叠的 S–Mo–S 片组成，具有 A–B–A 堆叠的三角棱柱对称性，其中顶部和底部 S 平面中的硫原子占据等效的垂直位置。[3] S–Mo–S 片之间的距离为 6.5 Å。 [6] 从间接带隙块体 2H-MoS 2 到单层，带隙逐渐加宽，单层 MoS 2 的直接带隙达到 1.9 eV。[5] 半导体 2H-MoS 2 相支持通过化学和物理方法诱导的 n 型和 p 型掺杂。[7–11] 据报道，插层、电子、光学和热激发以及机械应变和层取向。[3,12–16] 将 S-Mo-S 层中一个 S 平面的硫原子滑动 1.82 Å 会导致单层内的 ABC 堆积，其中硫原子占据 2H 相六边形的中心，从而产生金属 1T-MoS 2 相。 [3,17] 金属 1T-MoS 2 相可以通过电子注入来稳定，例如用电子显微镜直接注入电子或通过吸附的锂原子提供电子。[12,17–21]
28nm 技术的 3D TSV 中介层和细间距焊料微凸块的质量和可靠性
随着互连密度不断缩小，以及制造更细间距基板的成本不断上升，使用传统有机堆积基板的倒装芯片封装在细间距布线方面面临着重大挑战。为了满足这些需求，TSV 中介层应运而生，成为一种良好的解决方案 [1-3]。TSV 中介层提供高布线密度互连，最大限度地减少 Cu/低 k 芯片与铜填充 TSV 中介层之间的热膨胀系数 (CTE) 失配，并由于芯片到基板的互连更短而提高电气性能。TSV 中介层晶圆是通过在硅晶圆上蚀刻通孔并用金属填充通孔来制造的。业界常用的两种 TSV 方法涉及“先通孔/中通孔”和“后通孔”工艺流程。本文中的工作使用“先通孔/中通孔”流程，因为它提供了互连密度的最大优势。通常，使用深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺蚀刻 TSV 通孔以形成高纵横比通孔。 TSV 的直径通常为 10-20 微米，深度为 50-100 微米。TSV 的壁衬有 SiO2 电介质。然后，形成扩散屏障和铜种子层。通过电化学沉积用铜填充通孔。使用化学机械抛光/平坦化 (CMP) 去除铜覆盖层。使用标准后端制造工艺在中介层顶部形成 M1 – Mx 的互连线。中介层顶部涂有钝化层并形成微凸块焊盘。