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inm博士。 Maciej Fidrysiak
摘要：二维材料堆叠层的扭转层的应用导致Moiré模式的形成，并可能以决定性的方式改变系统电子性质。最初已证明这是扭曲的双层石墨烯，其相图包括非常规的超导性以及莫特绝缘状态。中间扭曲角度可作为一个参数驱动的中等相关的电子，使电子相关的态度是一个强烈相关的制度，这表明了用于高度控制材料的临时设计的新范式。铜 - 氧化薄膜和单层制造的最新进展为探索另一类扭曲的多层系统提供了一个机会，这些系统来自高温超导体。在这次演讲中，我概述了我们对扭曲的双层铜矿中超导状态的理论研究，在铜位点上，在微观T-J-U模型的框架中融合了铜位点上的强电子相关性。所获得的相图既包含无间隙的D波超导相位，又包含拓扑状态，它们会自发打破时间反转对称性。我们的结果将与最近的实验有关。
温度对 Al/SiO2/n++-Si RRAM 器件电气特性影响的研究 Maciej:，Micromachines，MDPI，第 13 卷，第 10 期，2
现代纳米电子学的发展依赖于技术进步和能够改善系统性能的新型器件概念。科学家和工程师的不懈努力使得现代集成电路 (IC) 和性能增强器的尺寸不断缩小，从而能够保持 IC 性能的进步 [1,2]。与此同时，人们也投入了类似的努力来开发现代电路中不可或缺的存储器件。然而，为了保持这种进步，需要新型器件。近年来，出现了新的存储器件概念，例如电阻式 RAM (RRAM) [3–6]、自旋转移力矩 RAM (STT-RAM) [7,8]、铁电 RAM (FeRAM) [9] 和相变 RAM (PCRAM) [10]。电阻式 RAM (RRAM) 因其结构简单、能够缩小器件尺寸以实现高密度、低功耗和高速运行而备受关注。它们有可能以并行方式对大量数据进行计算，为了实现如此卓越的性能，人们测试了不同的新型计算范例，例如脑启发计算、内存计算、随机计算和神经形态计算 [11–13]。人们已经测试了各种氧化物材料作为 RRAM 器件中电阻切换层的候选材料 [14–16]。一些工作提出了对 SiO 2 作为这些器件的有前途的材料的研究 [17–20]。在我们最近的研究中，我们表明，Al/SiO 2 /n++-Si 材料堆栈中众所周知的氧化硅也可以表现出电阻切换特性 [21,22]。然而，很少有研究涉及温度对器件性能的影响 [23–25]。在这项工作中，我们研究了温度变化对器件电性能的影响，以研究它们的电传输机制并了解它们的行为。我们分析了电铸电压，并表明它