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使用磁石墨烯涂层的锥形锥形光纤传感器
摘要 - 在这项工作中，我们开发了一种便携式光纤传感器，其特征在于其对电磁干扰（EMI）的稳健免疫力（EMI），卓越灵敏度和对磁场的实时监测功能。该传感器在测量增加和减少磁场时表现出显着的准确性和稳定性。为了提高传感器的性能，我们使用组合制造系统（CMS）设计，模拟和制造了锥形直径为40 µm的锥形纤维结构。此外，我们采用了一种称为磁石墨烯（MGO）的2-D材料来固定锥形光纤传感器的传感区域。该传感器背后的关键原理在于经历磁场时MGO的折射率（RI）变化，从而导致传输光谱的波长移动。通过严格的实验，我们彻底评估了传感器在检测增加和减少磁场时的测量范围，灵敏度和准确性。因此，我们确定光纤磁场传感器的灵敏度为0.9和1.6 pm/mt，用于增加5-600 mt的宽测量范围内的磁场。该传感器在各种应用中都有很大的希望，包括医疗测试和科学测量，这是由于其出色的精度，紧凑的大小和无创测量能力。此外，其稳定性和非接触式测量特征将其定位为可控核融合，太空探索和地球物理研究的有价值工具。
DNA接枝磁性纳米颗粒的合作动力学优化磁性生物传感和耦合到DNA折纸
AFM显微照片（图S1）。D H分布记录在分散在Tris-Edta（TE）缓冲液中的CMP上的Malvern-Zetasizer-Nano仪器上（5 mM Tris，1 mm EDTA，1 mm EDTA，5 mm NaCl，pH 7.3）。（d）菌株促进的叠氮化物 - 烷基环加成（SPAAC）的方案 - 铜铜的铜线自由点击反应在叠氮化物标记的CMPS和二苯并杂志环链（DBCO） - 修饰的ssDNA低聚物之间。（e）根据耗尽测定估计的平均值（SEM）标准误差的平均ssDNA数量与标称移植密度r（x）相比。（f）在90 MA处的0.5％琼脂糖凝胶上，在不同的R（x）值上对CMP和CMP-DNA偶联物进行的琼脂糖凝胶电泳移位测定，P代表装载口袋。（g）CMP-DNA的凝胶相对前（r f）相对于r（0）样品的r f，无ssDNA作为r（x）的函数。（h）CMP-DNA偶联物的体积加权粒子流体动力学大小（D H）作为R（x）的函数。面板F和G中的实线是拟合参数r f lemal = 0.42 dna/nm 2和n = 6.3和r falt = 0.48 dna/nm 2和n = 4.5的山丘方程。比例尺分别在面板（a）和（b）中为50和100 nm。
磁性纳米粒子：利用交流磁场进行靶向药物释放的优化设计方法
磁性纳米粒子用途广泛，是一种很有前途的创新药物靶向方法，有助于提高疗效。通过应用交流磁场优化磁性纳米粒子将增强细胞毒性药物在目标区域的释放，同时防止对健康组织的影响。本文介绍了一项研究，描述了锰铁氧化物 (MnFe 2 O 4) 磁性纳米粒子的开发，该粒子在直流磁场中使用阿霉素对 T47D 细胞具有治疗作用。它还介绍和剖析了磁性纳米粒子的核心、其应用以及可用于增强药物向局部部位输送的设计方法的细分。此外，它通过数学建模展示了一种综合技术，并讨论了这些独特的药物载体磁性纳米粒子的交流敏感性。
在悬浮的3D人工旋冰
人造自旋冰系统是磁性纳米兰州的图案阵列，这些纳米岛被排列成沮丧的几何形状，并提供了对订购和出现物理学的见解。这些系统中的大多数已经在二维中实现，这主要是由于易于制造，但是随着高级纳米印刷的最新发展，三维人造自旋冰（ASI）结构已经成为可能，因此在他们的研究中提供了新的范式。此类人工设计的3D系统在实现可调的接地状态，新域墙壁拓扑，单极传播和高级设备概念（例如磁性赛道内存）方面提供了新的机会。到目前为止，具有磁力显微镜的3DASI结构的直接成像是探测这些系统物理的关键，但在测量的深度和分辨率的深度均受到限制，最终将测量限制在系统的最上层。在这项工作中，开发了一种方法，可以使用两光谱光刻，热蒸发和氧血浆暴露在光圈上制造3DASI晶格，从而使元素特异性结构和磁性信息探测使用X射线磁性磁性二氢二氢含量（XMCD）的元素特异性结构和磁信息。在反复的软X射线暴露下发现悬浮的聚合物 - 透明晶格是稳定的。对X射线吸收信号的分析允许重建磁性纳米线的复杂横截面并证明新月形的几何形状。在应用平面场后的XMCD图像测量表明，由于氧化而导致晶格表面上的磁矩减小，而在表面以下的子层次上保留了可测量的信号。
1 轴和 2 轴磁传感器 - Farnell
OFFSET- (A) 1 OUT+ (A) 2 VBRIDGE (A) 3 OUT- (A) 4 OUT- (B) 5 VBRIDGE (B) 6 GND (A) 7 S/R+ (B) 8 5 S1 9.82 Tw�[(423.6.6.4 -1S)353B28.26R388 re�213[(423.6.6.4+M213.865 423.94-423.678 668Tj�Tj�01A213.13[(423.6.6.277194 l�4 43461.475 0 823 w 3465.4313- (13.174 -8 r313- 4213.174 7�0.475 0436.4b7 0.353 98. 0.6.6.465 70.384 -6947.696 1411.840558848 -4.60423 w0 01007 -6.73213.10 01007 -3.135.84 l�44�9.28.2.353�9.20.318 -3226 0 038e�B57 437.4918 479.5 A013 Tm�0.0001 0 98.2 S/R+ 0 9C�21 0.49480.86.4774914 429.2 419.6¥2.24 1845 1.694 43461.434 75323 w 3465.431e�f�113.174 -8 r31e�68613.174 7�0.434 7480.4b7 0.353 98.84 -1.4310.6.953B28.2684 - 1411.8484 8428.16.35 3 w0 492.431 -0(13.194 0.6.41 -0(13.f2 m�57�0 Tw�(�9.28.2.353�9.20.318 -3226 T�8030(157 437.4918 4 偏移+)Tj9.5 B2.24HMC1021S)Tj�/F6 1 �[(.656179 0 2 -3914 429.22 -1.4 TD�-0.16)-5f�98.0001 T�1.5825 �[(OUT- �)-5f�98.�0 T1.5825 �[(OUT-88 -1.4 TD�0.14)-5f�98.�0 �1.5825 �[(OUT-]TJ�-0.2217 13)-5f�97.0001 TB25 �[(OUT-]]TJ�-0.0288 -1.4 12)-5f�98.0TJ�1.5B25 �[(OUT- �)-5f�98.0001 T-1.5B25 �[(OUT-2 -1.4 TD�-0.10)-5f�98.0001 T�1.5B25 �[(OUT- 9)-11TJ�S)0(0 T1.5B25 �[(O/F3OUT+S)Tj�/97e�440�9.47493.6.94344712 81.2309 490TD�-0.000101 Tw�[(OFFSUT- (+)-643.9(1)]TJ�-1.806 -1.4 TD�0 Tc�[(VBR48.4)-643.9(6)]TJ�2.274 TD�01.4 TD7(VBRIDG (A))-643.8(7)]TJ�2)]TJ�2.2784BRIDG •2A))-644(1)�0 Tc0002 TwT*�[(OUT-5283ND)-644(3)]TJ�-0.2217 - OFFSE2 Tw�[(VBRIDG ©A))-644(1)]1 Tc�-02.2787(OFFSET- �A))-644(1)]TJ�.0002 Tw�[(S/R+ &.42.430 0 8.24.807�213.5-469. 0 058.430 0 8.20.423.13.5-469. 45 12.430 0 8.20.423.13.5-469.f&.42.4292010724.807�213.5-469. 0 058.4292010720.423.13.5-469. 45 12.4292010720.423.13.5-469.f&.42.420 023.4.807�213.5-469. 0 058.420 023.0.423.13.5-469. 45 12.420 023.0.423.13.5-469.f&.42.42 6611.24.807�213.5-469. 0 058.42 6611.20.423.13.5-469. 45 12.42 6611.20.423.13.5-469.f&.42.425 05A214.807�213.5-469. 0 058.425 05A210.423.13.5-469. 45 12.425 05A210.423.13.5-469.f&.42.424T- 414.807�213.5-469. 0 058.424T- 410.423.13.5-469. 45 12.424T- 410.423.13.5-469.f&.42.422�199.24.807�213.5-469. 0 058.422�199.20.423.13.5-469. 45 12.422�199.20.423.13.5-469.f&.42.42 Tc96214.807�213.5-469. 45 12.42 Tc96210.423.13.5-469. 0 058.42 Tc96210.423.13.5-469..845 1.694 -.449sc�05 -18�0.31e�6436m05 -1241820 0 8613.464 0.7820 069813.46-125.431e.6670.4b7 0.353 98496- 49431e.36353B24.4)-0 0 2-469。 96- 49420 013353B24.4) –469。 96- 49431e�59153B24.4) –469..845 1.694 9 0 36442 4 -926m09 0 38424T-8.23.468.288 24T-81423.463.68612 4 -A213.b7 0.353 98473.8634255 039 14 -1147.694-469.f�f�978425 081M2139C�.14252.901.519C�.10142560 8.23.f2 m�8.282T+S
人工智能——工程磁性材料
摘要：本文讨论了人工智能在（目前）最具经济相关性的工程硬磁和软磁材料研究和开发中的应用。机器学习是当今发现新化合物、预测物理化学性质、微观结构/磁性表征以及永磁体和晶体/非晶态软磁合金适用性的关键方法。未来至少在两个方面存在机遇：（a）超低损耗材料及其制造工艺，为更高效的电气化、电力转换和配电开辟新方向；（b）通过预测和开发新型粉末材料特性、生成设计概念和最佳加工条件，增材制造磁性材料。
基于自旋的磁性随机存取存储器，用于高...
存储器是当今电子系统中用于数据存储和处理的关键组件。在传统的计算机架构中，由于存储器之间在操作速度和容量方面的性能差距，逻辑单元和存储器单元在物理上是分开的，从而导致冯·诺依曼计算机的根本限制。此外，随着 CMOS 技术节点的演进，晶体管变得越来越小，以提高操作速度、面积密度和能源效率，同时提供更低的驱动电流。然而，嵌入式闪存和 SRAM 等主流技术正面临着重大的扩展和功耗问题。更密集、更节能的嵌入式存储器将非常可取，特别是对于 14 纳米或更小的先进技术节点。与操纵非磁性半导体中的电荷来处理信息的传统电子设备不同，自旋电子器件基于电子自旋，提供创新的计算解决方案。为了将自旋电子学融入到现有的成熟的半导体技术中，基于自旋的器件一般设计以磁隧道结为核心结构，起到磁随机存取存储器（MRAM）的作用。
重复经颅磁刺激 (rTMS)
头皮上会突然出现一阵刺激，然后是短暂的停顿。很多人说感觉像静电或拍打。这种感觉通常在前几次治疗中最为强烈。随着治疗区域周围的神经逐渐适应刺激，这种感觉会随着时间的推移而减弱。• 您将在治疗期间接受 20 到 30 次治疗
磁传感器和测量 - Senis AG
磁传感器和测量 Dragana Popovic Renella、Sasa Spasic 和 Radivoje S Popovic，SENIS AG，瑞士，www.senis.ch，info@senis.ch 摘要 — 预计到 2022 年，全球磁传感器市场规模将达到约 40 亿美元。汽车行业的技术进步和对车辆安全的认识不断提高，以及对导航智能手机和其他可穿戴设备的需求不断增长，推动了这一市场的发展。本文概述了磁传感器技术，并比较了传感器在工业应用中的关键特性。展示了使用磁传感器的测量应用。最后，本文介绍了未来趋势并对磁传感器进行了展望。关键词 — 磁传感器、磁场测量
磁特征收集和方法标准
磁特征和方法标准收集了具有多年磁传感器经验的人员的企业知识。这些个人因其对该学科的贡献而受到认可和尊重。大约有 32 名或更多技术人员为本文档的编写做出了贡献。这项团队工作涉及政府、军队、大学和公司的多个机构。这些组织包括但不限于德克萨斯大学；国家地面情报中心；尤马试验场；白沙导弹靶场；MITRE 公司；宾夕法尼亚州立大学；佛罗里达州埃格林空军基地的 46TW/TSR；美国陆军研究实验室 - 皮卡汀尼兵工厂；Sentech, Inc.；阿诺德工程开发中心；美国陆军水道实验站；阿伯丁测试中心；Bishop Multisensors 公司；和 BAE 系统。