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1 PPOL 5380：技术中断和公共...
PPOL 5380：技术颠覆与公共政策，2023-2024 年春季 2024 年 2 月 20 日 时间和地点：星期二，18:30-21:20 地点：2303 室（电梯 17-18） 讲师：YARIME Masaru 博士，公共政策部副教授 办公室：4616E 室 电子邮件：yarime@ust.hk 助教：DORRER Elizaveta 电子邮件：edorrer@connect.ust.hk 课程描述 过去二十年，颠覆性技术的快速发展极大地改变了我们的生活。它们颠覆了旧的商业模式，消除了许多行业的现有企业，破坏了传统的供应链并创造了新的供应链，并挑战了许多政府领域的传统政策和监管方法。我们可以预见，未来几年颠覆性技术的变化速度及其对经济和社会的影响将加快，这些进步将广泛影响整个经济、社会和政府。通常所说的“第四次工业革命”——一场由不断增强的计算能力、大数据和数据分析、物联网、人工智能和机器人技术以及区块链技术推动的革命——可能会在我们的一生中产生深刻而深远的变化。颠覆性技术的进步及其创造的颠覆性商业模式往往需要政府的政策、监管和立法回应。它们还可能扰乱就业和劳动力市场，加剧社会经济不平等。与此同时，“零工经济”的兴起引发了人们对社会保障应如何融资和组织的问题。虽然计算能力和数字技术的进步可能会显著提高（劳动）生产率，但其好处可能高度集中——随着这些技术的传播和更多行业呈现“赢家通吃”的特征，不平等现象将加剧。即使这些新数字技术创造的就业机会多于它们所消灭的就业机会，政府仍然必须处理劳动力流动和社会包容问题。虽然政府显然必须应对这些技术颠覆，但并不能保证它们会以促进新技术的早期采用、数字创新和创业以及包容性增长的方式做出回应。本模块向学生广泛介绍了可能在未来十年左右改变我们经济和社会的关键颠覆性技术。我们将研究这些技术的实际应用，并讨论它们的政策含义和社会经济影响。我们还将研究政府利用新数字技术提供新服务或改进现有服务以提高公共价值的潜力。最重要的是，我们将研究公共政策的影响以及政府应如何应对。特别是，我们将研究政府的四个不同角色：作为这些技术的用户；作为这些技术的推动者；作为监管者，增强公众对这些技术及其部署方式的信任和信心；作为社会平衡者，确保这些技术的好处得到广泛分享。学习成果在本课程中，学生可以期望：
京都制药大学的教育研究成就记录
Professor Associate Professor Lecturer Assistant Professor Assistant President Goto Naomasa Vice President Akaji Kenichi Pharmaceutical Chemistry Furuta Takumi Kobayashi Yusuke Hamada Shohei Pharmaceutical Manufacturing Yamashita Masayuki Kojima Naoto Iwasaki Hiroki Pharmaceutical Chemistry Oishi Shinya Kobayashi Kazuya Herbal Medicine Nakamura Masahiro Pharmaceutical Analysis Takekami Shigehiko Konishi Atsuko Metabolic Analysis Yasui Hiroyuki Kimura Hiroyuki Naito Yukiyoshi Pharmaceutical Physical Chemistry Saito Hiroyuki Nagao Kojiro Ogita Takashi Takayama Takaya Morito Katsuya Public Health Watanabe Tetsushi Matsumoto Takahiro Microbiology and Infection Control Yahiro Kinnosuke Kamoshida Tsuyoshi Cell Biology Fujimuro Masahiro Sekine Yuichi Biochemistry Nakayama Yuji Saito Yohei Yuki Ryuzaburo Pathophysiology Ashihara Eiji Hosoki Masayuki Toda Yuki Pathobiochemistry Akiba Satoshi Ishihara Keiichi Kawashita Eri Pharmacology Kato Shinichi Matsumoto Kenjiro Yasuda Hiroyuki Clinical pharmacology Nakata Tetsuo Ohara Yuki Toba Yue Pharmacology Tanaka Tomoyuki Fujii Masanori Tamura Yuho Clinical oncology Nakata Shinshin Ii Hiromi山原药理学MASARU KATSUMI EIMASA MORISHITA MASATERU药理学EITA tomoyuki Ito ito Yukako Kawabuchi Kawabuchi Shinji临床药理学Westguchi koji koji tsujimoto Sciences Nagasawa Yoshinori Tanahashi Takaichiro Physics Arimoto Shigeru Mathematics Ueno Yoshio General Education Sato Takeshi Imai Chiju Iwasaki Daisuke Asahina Yuko Mimikawa Mariko Sakamoto Naoshi Kishino Ryoji Nozaki Akiko Pharmaceutical Education Research Center Hosoi Nobuzo Kai Akihiro Yoshimura Noriko临床药物教育研究中心Kusumoto Masaaki Tsushima Miyuki Imanishi takashi takasaki chizaki yugo yugo hashizume tsutomu tsutomu nakamura nakamura nobuhiko nobuhiko yano yano yano yano yano yano yano yano yano yano yano matsumura matsumura chikaka chikako chikako intraption trienlation triping sesight inij issey CENTERIOD教育研究中心。中心（Fujiwara Yoichi）Kimura Toru Kinseong Kaoru Tokuyama Yuki Yuki kono kono kyoko takao takao ikuko tokada tetsuya hirayama hirayama eetsuko图书馆（西exit exit koji koji koji koji） Kawashima Hidekazu生物科学研究中心（Kato Shinichi）Saito Michiko Pharmaceutical Science Frontier Research Center（Yamashita Masayuki）联合设备中心（Furuta Takumi）
新颖的聚酰亚胺堆积材料用于细线制造
新颖的聚酰亚胺堆积材料，用于高线制造高什岛，田中Shigeru tanaka，汉字木木木马斯拉·尼西纳卡（Masaru Nishinaka）和日本摘要的Mutsuaki Murakami Kaneka Corporation，我们摘要我们已经开发了一种新的热量型材料，以高效率堆积的pwbs高speed speed i/o o i/o o i sep speeed i/o o o i/sep speed i/o o i/o o o i/o。这些PWB满足以下要求；精细电路，低介电特性和出色的机械性能的良好加工性。我们提出的聚酰亚胺堆积材料显示出3.1的介电常数（DK），介电损耗（DF）为0.01（在1GHz时）。此外，机械性能以下材料显示；低温膨胀系数（CTE）为45ppm，拉伸强度为100MPa。尽管材料的表面粗糙度低于200米，但我们还是成功地沉积了具有非常高的果皮强度的无电镀层铜层。这意味着即使使用常规的半添加过程，该材料也适用于制造精细的电路。实际上，我们可以制作一个小于10micron l/s（线路和空间）的精细电路。近年来，需要电子设备具有许多功能和高处理速度。为了满足这些要求，像高性能CPU这样的IC芯片已经演变为具有高时钟频率和高I/O数字。要将CPU安装到基板上，通常采用翻转芯片附件方法以表现出CPU的最大性能，因此基板必须具有高接线密度。堆积的PWB，其电路是由半粘液方法形成的，这些底物已使用。下一代CPU的下一代堆积PWB，预计将具有较高的I/O数字，必须具有小于20微米L/s（线路和空间）的精细电路。对于制造精细的电路，对于构建材料而言，形成细缝电路的构建材料很重要，可以尽可能地具有少量的表面粗糙度，并且能够在不剥落的情况下粘附电路。环氧树脂主要用于堆积材料。处理环氧类型的堆积材料，以使材料的表面粗糙，并通过锚固效果牢固地粘附电路。为了制造小于20微米L/s的下一代细缝电路，需要一种新的堆积材料，其表面粗糙度比现有材料的表面粗糙度较小，并且对电路的良好粘合度。此外，新的积累材料必须具有低CTE（热膨胀系数）和低介电性能，这将改善堆积PWBS的电气可靠性或电气性能。为了开发下一代堆积材料，我们开始开发一种新的聚酰亚胺积聚材料，该材料基于用于电绝缘材料的聚酰亚胺树脂的特性，该材料期望具有出色的性质。由于这项研究，我们开发了一种新型的热固性聚酰亚胺积聚材料，该材料符合上述要求。在这项调查中，副本在本文中，评估了材料上无电镀层铜层的吉赫兹（GHz）周围的热性能，介电特性，通过可加工性能通过可加工性能通过激光进行细插电路的加工性。首先设计了新堆积材料的目标特性，设计了新堆积材料的目标特性。- - 一个小于50 ppm--的热膨胀系数（CTE）的介电损耗（DF）小于0.010，在1GHz- -a机械强度上，在100MPA-抗性的机械强度上，没有卤化的化合物 - 乘积构建的精细材料构建均超过20个微观的构建，构建均超过20个微观的过程，该过程的构建均超过20个，构建的启动构建的开发型构建均超过20个，构建的开发型构建均超过20次，构建了启用的新构建。堆积材料的表面以通过半添加过程制造精细的电路，堆积材料需要具有少量表面粗糙度的表面，并且具有较高的果皮强度，并具有无电镀层铜层。