该文档计划于20125年2月24日在联邦公报上发布,并在https://federalregister.gov/d/2025-02972上在线获取,并在https://govinfo.gov
本报告总结了普渡大学工程与科学学院在为期四年的 AFOSR 大学研究计划期间进行的研究,该计划重点关注处理老化飞机的基本问题。该计划的协调目标分为四个主要类别:损伤发展、裂纹扩展和相互作用预测、故障预防技术和高级分析方法。损伤发展目标解决了腐蚀、疲劳裂纹形成 MI 和微动磨损的失效机制。裂纹扩展和相互作用任务的总体目标是开发预测服务引起的裂纹扩展的技术,并确定大面积开裂对损伤容限的影响。故障预防项目的主题是制定程序,通过延迟服务引起的损坏、修复有裂纹的结构以及采用机队跟踪方法对机队内的维护行动进行优先排序,从而延长“老旧”飞机的使用寿命。最后,研究旨在开发其他研究任务中使用的“高级”分析方法。这些项目涉及在各种材料评估和结构分析中添加统计成分,并制定与飞机材料和结构相关的延性断裂标准。
这一年在理解最有用的介电和电静脉的放松剂类型铁电体方面已经取得了重大进步。很明显,原始的超透明模型只是对非常高温行为有效的第一个近似模型,实际上,尼贝特铅镁和PZT材料都是磁性自旋玻璃杯的紧密类似物。极性微区之间的相互作用会导致vogel-fulcher,例如放慢和冷冻,并提供对宏大域转变,滞后行为和耦合弹性响应的了解。
注 1—已成立一个工作组来开发数字地形建模 (DTM) 程序的测试方法。它将解决所有已知的数据收集程序,例如常规地面测量、摄影测量、大地定位卫星 (GPS) 等。 1.3 以英寸磅单位或 SI 单位表示的数值应单独视为标准。在文本中,SI 单位显示在括号中。每个系统中表示的数值并不完全等同;因此,每个系统都独立使用。将两个系统中的值组合在一起可能会导致不符合规范。 1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题(如果有)。本标准的用户有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。
随着可再生能源生产越来越受关注,硅基太阳能光伏技术作为一种潜在的可持续能源生产方法正受到越来越多的关注。然而,硅基太阳能电池制造是一种非常耗能且复杂的技术,这使得太阳能电池组件成本高昂。钙钛矿在硅技术上占据上风,因为它采用溶液处理方法,效率可与硅电池相媲美,同时使用成本效益高且简便的合成和制造技术。钙钛矿的环境稳定性是商业化的最大障碍,DST-IIT 坎普尔综合清洁能源材料加速平台材料中心将制定新战略,以提高钙钛矿太阳能电池商业化的稳定性和性能。印度尤其具有将太阳能技术与智能能源管理系统相结合的巨大潜力,这将减少传统能源的使用。因此,该中心的目标之一是设计和开发用于太阳能热系统的性能材料,以及用于节能建筑的隔热砖和智能窗户。这种具有成本效益且适销对路的建筑集成技术可以促进印度工业进入相应市场,符合印度中央政府的“印度制造”、“印度创新”和“自力更生印度”倡议。
SAN)、工程塑料(PC、PC合金、PBT、mPPE、PA、PPA、PPS、PCT)、热塑性塑料(PE、PP、PP/GF、TPV、TPS、WLFT)、亚克力实体面材、人造石(天然石英)、LD(光扩散器)
贾姆谢德布尔国立技术学院前身是地区技术学院,成立于 1960 年 8 月 15 日。它是第二个五年计划(1956 年 - 1961 年)期间建立的首批八所地区工程学院 (REC) 之一。2002 年 12 月 27 日,根据印度政府的决定,贾姆谢德布尔 RIT 更名为贾姆谢德布尔国立技术学院。目前,贾姆谢德布尔 NIT 是一所受教育部 (MoE) 管理的国家级重要学院。它位于贾姆谢德布尔郊区,占地 341.3 英亩,地处丘陵和森林之中。它融合了乡村的自然美景和工业区的城市魅力,坐落于贾坎德邦丰富的矿产和工业带的中心。该学院地理位置优越,具有独特的优势,周围遍布大中型企业,如塔塔钢铁、塔塔汽车、印度钢丝制品、塔塔管材、马口铁公司、塔塔铁姆肯等,以及科学与工业研究理事会(CSIR)国家冶金实验室、泽维尔劳动关系研究所和兰契国家先进制造技术研究所等知名机构。
a Institute of Power Engineering, Universiti Tenaga Nasional, Jalan Ikram UNITEN, 43000, Kajang, Selangor, Malaysia b Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Ajayi Crowther University, PMB 1066, Oyo, Oyo State, Nigeria c Department of Mechanical and Manufacturing Engineering, Faculty of Engineering, Universiti Putra Malaysia, 43400, UPM Serdang Selangor, Malaysia d Advance Engineering Materials and Composites Research Center, (AEMC), Faculty of Engineering, Universiti Putra Malaysia, 43400, UPM Serdang Selangor, Malaysia e Institute of Energy Infrastructure (IEI), Universiti Tenaga Nasional, Jalan Ikram UNITEN, 43000, Kajang, Selangor, Malaysia f Department of Sugar Engineering, Nigeria Sugar Institute, Km.18, Ilorin-Kabba Highway, Ilorin, Nigeria g Institute of Microengineering and Nanoelectronics, Universiti Kebangsaan Malaysia, 43600, Bangi, Selangor, Malaysia
3.0 'ISPAN' Module Development .............................................................. 15 3.1 Flat Stiffened Panel .......................................................................... 16 3.1.1 DIAL Shell Element .............................................................. 18 3.1.2 Model Geometry .................................................................. 19 3.1.3 Loads .....................................................................................................................................................................................................................................................边界条件................................................................................................................................................................................................................................................................... 21 3.1.5解决方案............................................................... 3.2.1.1 Example 1 Linear Static Analysis .................................. 26 3.2.1.2 Example 2 Bifurcation Buckling Analysis ........................ 31 3.3 Flat Rectangular Tubular Truss Core Panel ............................................... 35 3.3.1 Program Components ............................................................ 35 3.3.1.1 Command Module ................................................... 35 3.3.1.2前处理器..................................................................................................................................................................................................................................... 3后处理器.............................................................................