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1非易失性电化学随机访问记忆...
摘要：电化学随机访问记忆（ECRAM）是一种最近开发且高度有希望的模拟电阻记忆元件，用于内存计算。一个长期以来的ECRAM挑战是在几个小时内获得保留时间。这种短暂的保留使ECRAM无法被考虑在深神经网络中进行推理分类，这可能是进行内存计算的最大机会。在这项工作中，我们开发了一个ECRAM细胞，其保留率的保留率比以前的数量级长，并且我们预计在85°C下将超过10年。我们假设这种特殊保留的起源是相位分离，它可以形成多个有效的平衡抗性状态。这项工作强调了使用相位分离来产生ecram细胞的承诺和机会，并具有特殊且潜在的永久保留时间。
记忆与认知诊所指南
范围 ................................................................................................................................................................ 11 指南的理由和目的 ................................................................................................................................................ 11 指南的性质 ........................................................................................................................................................ 12 总体原则 ........................................................................................................................................................ 12 目标用户 ........................................................................................................................................................ 13 临床人群 ........................................................................................................................................................ 13 背景 ................................................................................................................................................................ 14 制定指南的方法 ................................................................................................................................................ 16
记忆包装 2021 - 样品
Simone 是 Yole Développement (Yole) 的高级技术与市场分析师，就职于半导体与软件部门。他是 Yole 存储器团队的成员，每天负责存储器市场和技术、相关材料和制造工艺的分析。此前，Simone 在纳米科学和纳米技术领域开展实验研究，专注于新兴半导体材料及其设备应用。他（合著）在高影响力科学期刊上发表了 15 多篇论文，并获得了著名的玛丽居里欧洲奖学金。Simone 于 2015 年获得洛桑联邦理工学院（瑞士）物理学博士学位，在那里他开发了基于二维材料异质结构和高 κ 电介质的新型闪存单元。Simone 获得了双硕士学位。毕业于蒙特利尔理工学院（加拿大）和米兰理工大学（意大利），以优异成绩毕业。电子邮箱：simone.bertolazzi@yole.fr
第 5 章 内部存储器
ROM 的类型 顾名思义，只读存储器 (ROM) 包含不可更改的永久数据模式。ROM 是非易失性的；也就是说，无需电源即可保持存储器中的位值。 可编程 ROM (PROM) 与 ROM 一样，PROM 也是非易失性的，只能写入一次。对于 PROM，写入过程以电气方式执行，可以由供应商或客户在原始芯片制造之后的某个时间执行。 光可擦除可编程只读存储器 (EPROM) 和 PROM 一样，以电气方式读取和写入。但是，在写入操作之前，必须通过将封装芯片暴露在紫外线下将所有存储单元擦除为相同的初始状态。 更有吸引力的主要读存储器形式是电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。这是一种主要读存储器，可以随时写入而不会擦除之前的内容；只更新寻址的字节或字节。写入操作比读取操作花费的时间长得多，大约为每字节几百微秒。另一种半导体存储器是闪存（因其重新编程速度快而得名）。闪存于 20 世纪 80 年代中期首次推出，在成本和功能上介于 EPROM 和 EEPROM 之间。与 EEPROM 一样，闪存使用电擦除技术。一整块闪存可以在一秒或几秒内被擦除，这比 EPROM 快得多。
LohnEtal19.pdf - 计算记忆实验室
在这里，我们研究了成功记忆编码背后的可变性。成功编码连续的学习项目可能会使编码资源疲劳，从而降低编码后续项目的能力（Tulving 和 Rosenbaum，2006 年）；或者，成功的编码可能会持续存在，从而导致更成功的编码（Kahana、Aggarwal 和 Phan，2018 年）。分析受试者学习单词列表以供随后自由回忆时的颅内脑电图活动，我们检查了海马体和背外侧前额叶皮层 (DLPFC) 中的高频活动 (HFA)，因为这些区域中后续回忆的 HFA 大于未回忆的项目。我们将具有良好编码历史的未回忆项目（即回忆起前两个项目之一）与具有较差编码历史的未回忆项目（即未回忆起前两个项目）进行了比较。在海马体中，良好的编码历史导致 HFA 减少，而在 DLPFC 中，良好的编码历史导致 HFA 增强。海马的发现似乎与神经疲劳假说一致，而 DLPFC 的结果似乎与持续编码状态一致。