XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemMesfet
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构，例如 HEMT 和 HJBT。此外，GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能，可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后，还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
时钟频率为 4 GHz 的 GaAs MESFET 逻辑
TA Zimmerman (S'62-S'64-M'71) 获得了辛辛那提大学 (俄亥俄州辛辛那提市) 的电子工程学士学位，以及普渡大学 (印第安纳州拉斐特市) 的硕士和博士学位。他目前是加利福尼亚州雷东多海滩 TRW 系统集团微电子实验室电荷转移 LSI 产品部的部门经理。他负责所有 MOS 和 CCD 电路的设计和应用。此外，自 1972 年 7 月以来，他一直指导 TRW 的 CCD 应用项目。在担任现职之前，他从事微电子传感器技术工作。加入 TRW 之前，他曾在普渡大学负责发起和开发一个涉及地球物理涡旋“现场”测量的研究项目。他还曾担任普渡大学的研究生导师，目前是加利福尼亚大学洛杉矶分校的副教授。他是30多篇技术论文的作者，拥有一项国内专利和一项国外专利以及多项专利申请。
EC19201电子设备和电路2 0 2 3
npn -pnp- junctions-junctions-junctions-junctions-formelent-rescrent方程 - CE的输入和输出特征，CB CC--H参数模型，EBERS MOLL模型-Mesfet-Mesfet，Schottky Barrier Diode-Zener diode-Zener diode-diode-pin-pin diode-pin diode-diode-diode-droactor diode。III单元现场效应晶体管和电源设备6
2023 年 7 月 IEEE TAXONOMY 版本 1.02
........非线性网络分析 ........电路故障 ........电气故障检测 ........电路噪声 ........热噪声 ........电路模拟 ........电路综合 ........高级综合 ........集成电路综合 ........协处理器 ........计数电路 ........耦合电路 ........数字电路 ........电路拓扑 ........数字集成电路 ........数字信号处理器 ........分布参数电路 ........驱动电路 ........电子电路 ........面包板 ........中央处理单元 ........多谐振荡器 ........条板电路 ........等效电路 ........反馈 ........反馈电路 ........负反馈 ........神经反馈 ........混合集成电路 ........集成电路 ........模拟集成电路 ........模拟-数字集成电路 ........专用集成电路 ........CMOS集成电路 ........协处理器 ........电流模式电路............数字集成电路............FET集成电路............现场可编程门阵列............混合集成电路............集成电路互连............集成电路建模............集成电路噪声............集成电路合成............大规模集成............MESFET集成电路
砷化镓器件的可靠性
过去几年中，砷化镓 (GaAs) 晶体管和集成电路在太空和军事领域的应用大大扩展。开发这种化合物半导体的主要原因是 GaAs 器件可以在更高频率下工作，并且比硅器件具有更高的抗辐射能力。然而，目前硅技术在可靠性方面仍然占有相当大的领先地位。硅优越可靠性的基础是与生俱来的，在于其氧化物的性质，这种氧化物可以在受控条件下生长，并具有更好的保护性能。不幸的是，GaAs 的氧化物不具备这些品质。我们对市售 GaAs 信号晶体管进行可靠性研究的目的是独立评估它们在星载射频 (RF) 系统（如 X 波段发射器和 S 波段信标接收器）中的使用成熟度。具体来说，在本文中，我们报告了对高电子迁移率晶体管 (HEMT)、信号金属半导体场效应晶体管 (MESFE T)、功率 MESFET 和数字过程控制监控设备的评估。为了帮助读者理解 GaAs 技术，
德里大学网站的教职人员详细信息表格
• 2020-2021 财年 DUCC 技术咨询委员会成员，2020 年 9 月 24 日至 2021 年 9 月 23 日 • 德里大学南校区电话咨询委员会主席，2020 年 6 月 22 日至今 • 德里大学 Mata Sundri 学院管理委员会成员，2020 年 8 月 17 日至今 • 德里大学 Acharya Narendra Dev 学院管理委员会成员，2020 年 8 月 17 日至今 • 查谟大学电子学研究委员会成员，2018-2021 年 • 德里大学 DUCC 技术咨询委员会成员，2019 年至今 • 德里大学 B.Sc. (H) 电子学项目协调员，2006 年至今。 • 自 2006 年至今担任德里大学电子科学系 DRC 成员 • 自 2006 年至今担任德里大学电子科学系 BRS 成员 • 德里大学 B.Sc. (H) 仪器项目协调员，2006-2020。 • 教务长 - 德里大学南校区 Geetanjali 宿舍，2014 年 7 月 - 2020 年 1 月。 • 成员 - IEEE EDS 德里分会奖项和院士提名常务委员会，2015 年 2 月 - 2017 年 2 月。 • 采购委员会主席 - 德里大学南校区电子科学系，2013 年 2 月 - 2017 年 2 月。 • VC 提名人 - DRC，NSIT，Dwarka，新德里，2015 年 8 月 - 2016 年 7 月。 • VC 提名人 - DRC，IIC，UDSC，新德里-21，2014 年 1 月2016. • 德瓦尔卡 Netaji Subhas 理工学院 (NSIT) 总理事会成员，2014 年 2 月 - 2016 年。 • Rajkumari Amrit Kaur 护理学院管理委员会成员，2014 年 4 月 - 2016 年 4 月。 • 希萨尔 Guru Jambheshwar 科技大学电子与通信工程系研究委员会外部专家，2014 年 4 月 - 2016 年 4 月。 • 索尼帕特 Bhagat Phool Singh Mahila Vishvidyalaya 电子与通信工程系研究委员会外部专家，2014 年 1 月 - 2016 年 1 月。 • 新德里 Kalkaji Deshbandhu 学院管理委员会成员兼财务主管，2013 年 9 月 - 2016。 • 就业协调员，德里大学电子科学系，南校区，2003-2014。 • 学术和就业协调员，信息学与通信学院（信息学部），UDSC，印度，1999 年 3 月 - 2002 年 9 月。 兴趣/专业领域 亚微米和深亚微米场效应器件的建模和特性。这包括 Si MOSFET、隧道 FET、MESFET、GaAs MESFET、无结晶体管和 AlGaN/GaN 和 GaAs/InP HEMT
RF微电子
RF简介：RF范围，皮肤效应，行为和等效电路，如R，L，C，高RF。传输线理论，反射系数，史密斯图计算，阻抗匹配，S-参数。（L-7＆T-2）RF设计中的基本概念：RF DC设计。六边形无线通信标准，非线性，谐波，增益压缩，脱敏，交叉调制，间调制失真（IMD），输入截距（IIP3＆iip3＆iip2），符号间干扰。噪声，主动设备的噪声分析。（L-8＆T-2）RF系统中的基本块及其VLSI实施：RF的MOSFET行为，晶体管和香料模型的建模，HEMT和MESFET等高速设备，BICMOS技术，BICMOS技术，在高频及其单声道实现的寄生元素及其单层实现者的集成寄生元素，低噪声效果和低噪声器设计。（L-10和T-4）振荡器：基本VCO拓扑，相位噪声，噪音功率权衡。谐振器较少的VCO设计，GHz频率混合器设计和问题，射频综合：PLL，各种RF合成器体系结构和频率分隔线。（L-9＆T-3）反式接收器体系结构：TRF接收器，杂化接收器，同伴接收器，不同的接收器拓扑，RF接收器体系结构及其设计问题，集成的RF过滤器，IC应用程序，IC应用程序和案例研究，用于DECT，GSM和蓝牙。（L-8＆T-3）
物理
第一学期 论文 IV – 电子设备 第一单元 晶体管：JFET、BJT、MOSFET 和 MESFET、不同条件下 IV 特性方程的结构推导、微波器件、隧道二极管、传输电子器件（Gunn 二极管）、雪崩渡越时间器件、Impatt 二极管和参数器件。 第二单元 光子器件：辐射和非辐射跃迁、光吸收、体和。 薄膜光电导器件 (LDR)、二极管光电探测器、太阳能电池（开路电压和短路电流、填充因子）、LED（高频极限、表面和间接复合电流的影响、LED 的运行）、半导体；二极管激光器（激活区域中粒子数反转的条件、光限制因数、光增益和激光的阈值电流。单元 - III 存储设备：只读存储器 (ROM) 和随机存取存储器 (RAM)。ROM 的类型：PROM、EPROM、EEPROM 和 EAPROM、静态和动态 RAM (SRAM 和 DRAM)、SRAM 和 DRAM 的特性。混合存储器：CMOS 和 NMOS 存储器、非易失性 RAM、铁电存储器、电荷耦合器件 (CCD)、存储设备：磁性（FDD 和 HDD）和光学（CD-ROM、CD-R、CD-R/W、DVD）存储设备的几何形状和组织。单元 - IV 电光、磁光和声光效应，与获得这些效应相关的材料特性，这些设备的重要铁电、液晶和聚合物材料，压电、电致伸缩和磁致伸缩效应。这些特性的重要材料及其在传感器和执行器设备、声学延迟线中的应用，压电谐振器和滤波器、高频压电器件-表面、声波器件、单元 - V 太阳能光伏能量转换物理和材料特性基础、光伏能量转换基础：固体的光学特性。直接和间接过渡半导体，吸收系数和载流子带隙复合之间的相互关系。太阳能电池的类型、pn 结太阳能电池、传输方程、电流密度、开路电压和短路电流、单晶硅和非晶硅太阳能电池的简要说明、先进太阳能电池的基本概念，例如串联太阳能电池。固体液体结太阳能电池、半导体的性质、电解质结、光电化学太阳能电池的原理。教科书和参考书：1. SM Sze Willey (1985) 半导体器件 - 物理技术 2. MS tyagi 半导体器件简介 3. M Sayer 和 A Manisingh 物理学和工程学中的测量仪器和实验设计 4. Ajoy Ghatak 和 Thyagrajam 光电子学 5. Millman Halkias：电子设备