二维(2D)过渡金属二核苷(TMDC)表现出令人兴奋的半导体特性和用于晶体管,光电设备,量子信息科学和能量任务的多功能材料化学。金属有机化学蒸气沉积(MOCVD)已成为一种有前途的技术,它可以增长2D TMDC,这要归功于其在此过程中执行高温外观生长并保持稳定的前体流量的能力。首先,我将讨论我们在蓝宝石和石墨烯基板上生长2D TMDC的MOCVD过程,以及其在功能化表面或Damascene结构上低温沉积的能力。[1,2]第二,我将讨论我们在TMDC增长期间使用RE [3]和V的TMDC替代掺杂的最新进展。一些掺杂剂可以调节载体浓度,引入磁性,甚至治愈TMDC中的缺陷。第三层TMDC半导体可能会引起近室温度设备应用,因为它们的热电离能量减少了,与单层相比。i将介绍我们的外延1到3层MOS 2,由MOCVD生长的逐层和结果。,最后,使用TMD作为构建块,我们可以用固有的偶极矩创建破坏对称性的2D材料。最新结果[4,5],包括将2D WS 2和MOS 2转化为2d Janus WSSE和MOSSE以及由Janus TMD和标准TMDS组成的杂波的电荷转移研究。
Spark OES 的新视角 “在 Metalor Technologies,我们还开始探索 ARL iSpark OES 光谱仪可能的新应用领域。第一个是确定氧浓度,这已经在纯银中显示出良好的效果。第二个称为 Spark-DAT,它允许在标准 OES 分析方法的同时快速评估非金属夹杂物的浓度。这种组合方法的好处是,我们不仅可以获得金属中氧浓度的信息,还可以确定氧以何种氧化物形式存在。”