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超导性有助于垂直磁各向异性的变化，v/mgo/fe连接
控制薄膜中垂直磁各向异性（PMA），近年来由于其技术重要性而受到了相当大的关注。基于PMA的设备通常涉及重金属（氧化物）/铁磁 - 金属双层，在此，由于界面自旋 - 轨耦合（SOC），磁化的平面内（IP）稳定性被损坏了。在这里我们表明，在v/mgo/fe（001）中，具有竞争的面板内和平面外（OOP）磁各向异性的外延连接，SOC介导的相互作用（Fermagnet（FM）（FM）和超导体（SC）之间的相互作用可增强有效的PMA以下超导管过渡的有效PMA。这会产生部分磁化重新定位，而除了最大的连接外，没有任何应用领域，其中IP各向异性更强大；对于最小的连接，由于IP和OOP各向异性之间的竞争更强，诱导完全OOP转变（H OOP）所需的场所降低。我们的结果表明，在存在超导性和施加的电场的情况下，有效PMA的程度可以由连接横向大小控制。我们还讨论了HOOP场如何受到磁性杂散场与超导涡流之间的相互作用的影响。我们的实验发现，由铁磁体 - 螺旋体相互作用的数值建模，开放途径，可以主动控制新兴无耗散的超导旋转电子产品中的磁各向异性的开放途径。
基于 MgO/AgNW 纳米复合材料的高透明、稳定的柔性电极，适用于透明加热应用
基于银纳米线 (AgNW) 的透明电极 (TE) 具有良好的物理性能，由于其成本低、灵活性和低毒性，成为透明导电氧化物的有前途的替代品。然而，它们在恶劣条件下存在稳定性问题，而封装可以克服这些限制。本文报道了一种低成本、可扩展的透明电极制造和研究，该透明电极基于喷涂 AgNW 网络，该网络涂有通过大气压空间原子层沉积 (AP-SALD) 在温和沉积温度 (≤ 220°C) 下沉积的 MgO 薄膜。本文首次报道了通过 AP-SALD 制造 MgO 薄膜，并优化了它们在不同基底上的沉积。与传统的原子层沉积 (ALD) 相比，MgO 表现出纯相和保形生长，具有优先 (220) 晶体取向和更高的生长速率。此外，由于 MgO 在 AgNW 上的保形涂层，获得的纳米复合材料表现出约 85% 的高光学透明度和柔韧性，同时在热应力和电应力下保持高稳定性。事实上，这项研究表明，对于厚度仅为几纳米的薄 MgO 涂层，AgNW 网络的稳定性明显增强。最后，制造了一个概念验证透明加热器来融化一块奶酪。
Znmgo光学微孔谐振器的耦合特性
基于Znmgo薄膜的光学微孔谐振器（MRR）在从紫外线到近红外的波长范围内的激光频率转换和电气调制的新型光子设备展开了独特的潜力。在这项工作中，我们探讨了通过光子damascene工艺制备的Znmgo光学MRR的耦合系数（κ）对环的间隙（g）和radius（r）的依赖性。通过调整G和R值，可以实现从0.29到0.78的κ范围。模拟和实验结果都表明，κ随着g或/和增加R.的增加而增加。此外，κ对MRR的结合态和共振峰深度具有显着影响。这些发现将Znmgo光学MRR铺平了在Si上的各种紧凑的非线性光子设备上。
bi2O3 – al2O3 - 与MNO合成的Mgo眼镜
当前的工作旨在计算六个样本的伽马射线屏蔽系数。样品为65b 2 O 3 .20bi 2 O 3 .10Al 2 O 3。（5-X）MGO。XMNO（0≤x≤1mol％）。使用熔体淬火方法准备了这些样品。该研究测量MAC（质量衰减系数）和线性衰减系数（μm，μ）。它还计算半价值层，十值层（TVL）和平均自由路径（MFP）。使用PHY-X/PSD和XCOM程序进行计算，以1keV-100GEV为单位。该研究讨论了将结果彼此比较，表明了良好的一致性。该研究显示了许多结果，例如何时能量高于10 MEV。低光子能区域中有许多峰（<0.1 MEV）。具有最大MNO组成S6的玻璃样品显示了M-，L-和K-吸收光电边缘的许多峰。PHY-X/PSD和XCOM软件产生的测量值显示出良好的一致性。另外，HVL与材料密度之间存在负相关。此外，随着光子的入射能增加到5 MeV，MFP和HVL值开始较低，不断增加。超过5 MeV，具有能量，HVL和MFP轻轻掉落。半价值层值随密度和MNO内容的增加而下降。
绿色合成Zno-mgo-mn 2 o 3纳米复合材料的光催化活性和抗癌特性通过Ocimum Basilicum L.种子提取物
使用植物提取物（例如Ocimum Basilicum L.（OBL）种子）的绿色合成，由于其可持续和环保的性质引起了人们的关注。在这项研究中，使用OBL种子提取物在500°C和600°C的两个不同的钙化温度下使用OBL种子提取物合成Zno-MGO-MN 2 O 3纳米复合材料，并根据光催化施用和细胞毒性进行评估。植物化学物质充当生产路线中的减少和掩盖剂，从而导致具有独特特性的纳米材料形成。表征技术，包括XRD，FE-SEM和DRS，用于分析纳米复合材料的结构，形态和光学特征。XRD结果证实，晶体尺寸从〜32 nm（500°C）增加到〜84 nm（600°C）。另外，Fe-Sem图像显示出不规则形状的纳米复合材料的形成，样品的EDX光谱证实了锌，镁，锰和氧元素的存在。研究了不同有机污染物的纳米复合材料的光催化行为。eriiochrome黑色T染料的去除百分比为97％（pH = 10持续90分钟），甲基蓝色染料的99％（pH = 10，为60分钟），甲基橙色染料的89％（pH = 105分钟），Rhodamine b Dye（pH = 3 = 3 = 3 = 3 = 3 = 3 = 3.0分钟）。 此外，在4T1细胞系上评估了在500°C下合成纳米复合材料的细胞毒性，以投资其对生物系统的影响，并获得了IC 50值在323 µg/mL左右。eriiochrome黑色T染料的去除百分比为97％（pH = 10持续90分钟），甲基蓝色染料的99％（pH = 10，为60分钟），甲基橙色染料的89％（pH = 105分钟），Rhodamine b Dye（pH = 3 = 3 = 3 = 3 = 3 = 3 = 3.0分钟）。此外，在4T1细胞系上评估了在500°C下合成纳米复合材料的细胞毒性，以投资其对生物系统的影响，并获得了IC 50值在323 µg/mL左右。
nionride薄膜在MGO底物上的高温外延生长：结构进化和鱿鱼应用的潜力。
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用MGO和MG（OH）2纳米颗粒增强的增质PLA电纺纤维的生物活性和抗菌分析
摘要：在这项工作中，我们专注于基于PLA的电纺纤维，Efibers的生物活性和抗菌行为，并用MGO和MG（OH）2纳米颗粒（NPS）增强。在形态，FTIR，XRD和视觉外观方面遵循了基于PLA的efiber的演变。生物活性是根据28天后的羟基磷灰石生长（被认为是T28）浸入模拟体液中的T28。特别是，在两个系统中浸入T14后，浸入SBF后的生物矿化过程。通过增加两个NP的量来增加沉淀晶体的数量。还以T28浸入SBF后的CA/P摩尔比，表明沉淀的晶体的化学成分，表明在两种增强的e纤维表面上都存在羟基磷灰石。此外，观察到基于PLA的efiber的平均直径的降低，在浸入SBF的28天后，纯PLA和PLA的平均直径分别达到了46％和60％的最大降低46％和60％。在基于PLA的电纺纤维中MGO和MG（OH）2 NP的抗菌行为对针对大肠杆菌，大肠杆菌，作为革兰氏阴性细菌，以及金黄色葡萄球菌，金黄色葡萄球菌，作为对革兰氏蛋白抗体的细菌，均具有革兰氏蛋白抗体的活性。最高浓度的MGO和MG（OH）2 NP的2％和34±6％。
放电等离子烧结法制备AlN-MgO烧结体的精细...
摘要：采用放电等离子烧结技术制备了不同成分的AlN-MgO复合材料，系统研究了成分对其微观结构、热性能和力学性能的影响。AlN-MgO复合材料中MgO的成分控制在20～80wt％。结果表明，烧结过程中未发生相变，MgO和AlN晶格内形成了不同的固溶体。AlN-MgO复合材料的晶粒结构比烧结的纯AlN和MgO样品更细。透射电子显微镜分析表明，复合材料中既存在富氧、低密度的晶界，也存在含有尖晶石相的干净边界。 100 o C时烧结的纯AlN样品表现出最高的热导率（53.2 W/mK）和最低的热膨胀系数（4.47×10 -6 /K）；而烧结的纯MgO样品表现出中等的热导率（39.7 W/mK）和较高的热膨胀系数（13.05×10 -6 /K）。但随着AlN-MgO复合材料中MgO含量的增加，AlN-MgO复合材料的热导率从33.3降低到14.9 W/mK，而热膨胀系数普遍增加，随着MgO含量的增加从6.49×10 -6增加到10.73×10 -6 /K。MgO含量为60 wt％的复合材料整体表现出最好的力学性能。因此，AlN-MgO复合材料的成分和微观结构对其热性能和力学性能具有决定性的影响。
NiMo/MgO 催化剂上的甲烷热解
作为甲烷非氧化分解/甲烷热解 (CH 4 ⇌ C + 2 H 2 ) 产生清洁氢气和仅固体碳的有前景的催化剂组合物，研究了 MgO 载体上的镍和钼的组合。在刻意降低 Ni 含量和强金属-载体相互作用的情况下，制备了 7%Ni4% Mo/MgO 和 7%Ni12%Mo/MgO 催化剂以及单金属参比物。在还原状态和甲烷分解试验后，使用 TPR、XRD、TEM、XPS 和拉曼光谱进行结构分析。在 i) 温度斜坡下的固定床反应器中高度稀释的 CH 4 流中和 ii) 在 800 ◦ C 下使用水平反应器在 50% CH 4 /Ar 中研究了催化性能。在两种条件下都观察到了 Mo 和 Ni 的协同相互作用。结果表明，由于Mo含量低，失活与合金偏析有关，而7％Ni12％Mo/MgO样品中单个金属颗粒的Mo/Ni~1组成更稳定，无偏析，从而具有良好的活性和高的碳纳米管产率。
光子增强 - 闪光灯 - 金属 - 壁垒...
图5：两个过渡（1 a 1g→1 t 1u和1 a 1g→1 cbm）的CAS-DEM和NEVPT2-DEM激发能的外推到超级电池的非插入极限（a）原始2×2×2，（b）原始3×3×2×2×2×2×2×2×2×2×2×2× 4。实心正方形（圆圈）表示t 1u（CBM）的单元激发的DMET数据点，而空心正方形和圆圈表示相应的外推Vees。红色（紫色）颜色象征CAS-DMET（NEVPT2-DMET）。