B.Dieny 1 , ILPrejbeanu 1 , K.Garello 2 , P.Gambardella 3 , P.Freitas 4,5 , R.Lehndorff 6 , W.Raberg 7 , U.Ebels 1 , SODemokritov 8 , J.Akerman 9 , 10 , APir 11 , P.Ac . delmann 2 , A.Anane 13 , AVChumak 12, 14 , A.Hiroata 15 , S.Mangin 16 , M.Cengiz Onbaşlı 17 , Md'Aquino 18 , G.Prenat 1 , G.Finocchio 19 , L.Lopez Diaz , R.C. esenko 22 , P.Bortolotti 13 1. Univ. 1. 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA、CNRS、格勒诺布尔 INP、IRIG、SPINTEC,法国格勒诺布尔 2. 比利时鲁汶 Imec 3. 苏黎世联邦理工学院材料系磁学与界面物理实验室,瑞士苏黎世。 4. 国际伊比利亚纳米技术实验室(INL),葡萄牙布拉加 5. 系统与计算机微系统与纳米技术工程研究所(INESC MN),葡萄牙里斯本 6. Sensitec GmbH,德国美因茨 7. 德国英飞凌科技股份公司,德国应用科学研究所,德国明斯特 9. 瑞典哥德堡大学物理系 10. 瑞典皇家理工学院工程科学学院应用物理系 11. 德累斯顿—罗森多夫亥姆霍兹中心,离子束物理和物理研究所,德国迈兴 12. 凯泽斯劳滕工业大学和州立研究中心 OPTIMAS,德国凯泽斯劳滕 13. 法国国家科学研究中心泰雷兹公司巴黎南大学巴黎-萨克雷,帕莱索,法国 14. 维也纳大学物理学院,维也纳,奥地利 15. 约克大学电子工程系,赫斯灵顿,英国 16. 洛林大学让·拉穆尔研究所,南锡,法国 17. 科克大学,伊斯坦布尔,18. 佩科维奇,那不勒斯,意大利 19. 墨西拿大学数学与计算机科学系、物理科学与地球科学系,墨西拿,意大利 20. 萨拉曼卡大学应用物理系,萨拉曼卡,西班牙 21. 约克大学物理系,马德里材料研究所,英国 22 CSIC,西班牙
电子邮件地址:ekpum@delsu.edu.ng 摘要 本文讨论了微电子应用中的热传导。 使用 ANSYS 有限元设计软件设计模型,使用 Design Expert 软件进行响应面法 (RSM) 分析。 分析的成分包括散热器底座 (HSB) 厚度、热界面材料 (TIM) 厚度和芯片厚度。 我们生成了一个实验设计,该实验设计包含 15 个中心复合设计 (CCD),针对这些因素的编码水平(低 (-) 和高 (+))。 将热流施加到芯片,同时将对流系数施加到散热器。 使用温度解来计算 15 次 CCD 实验运行的热阻响应。 RSM 研究的结果提出了 HSB 厚度、TIM 厚度和芯片厚度的最佳(最小化分析)组合分别为 3.5 mm、0.04 mm 和 0.75 mm。而由提出的最佳参数可以实现 0.31052 K/W 的最佳平均热阻。 关键词:RSM;CCD;热阻;温度;微电子学 1. 引言 尽管人们越来越关注微电子设备的热管理,但它仍然是一个挑战。大多数关于微电子设备热量管理的研究都集中在散热器上 [1-4]。然而,了解电子封装中热量的传导和管理方式对于组装过程中使用的组件的开发至关重要。有效散发电子设备热量的方法之一是确保组装过程中使用的组件具有正确的规格和质量。这可以通过确保基于工程规范对所使用的组件进行优化来实现。优化设计规范的方法有很多,但很多研究人员 [5-8] 已经使用响应面法 (RSM) 和其他优化方法来优化不同应用的组件。 Oghenejoboh [9] 采用响应面法分析了西瓜皮活性炭对合成废水中镍(II)离子的生物吸附。研究
•只有最外层的核心能级参与键合。我们称之为“价轨道”或“价壳层”。 •对于金属,电子可以从价轨道(原子的最外层核心能级)跳跃到晶体内的任何位置(在整个晶体中自由移动),而无需“提供额外的能量”。因此,“自由导电电子在室温下很普遍”。 •对于绝缘体,电子很难从价轨道跳跃,需要大量能量才能将电子从原子核中“释放”。因此,导电电子很少。 •对于半导体,电子可以从价轨道跳跃,但需要少量能量才能将电子从原子核中“释放”,从而使其成为“半导体”。
20 世纪 60 年代初期,IC 行业尚处于起步阶段,IC 故障十分常见。人们认识到,一系列标准筛选测试可以减少或消除这些“早期死亡率”类型的故障,因此美国空军 RADC 实验室承担了这项任务,并于 1968 年开发了 MIL-STD-883。
EE407微加工 - 春季11文本:微电源制造简介2E作者:Richard C. Jeager Publisher:Prentice Hall Dr. Todd J。 Kaiser 531 Cobleigh Hall tjkaiser@ece.montana.edu http://www.coe.montana.edu/ee/ee/tjkaiser/办公时间:上午10点,星期三,下午2点2点微电源制造的概述2。光刻3。硅4。扩散5。离子植入6。电影沉积7。互连和联系人8。包装和收益分级材料:家庭作业25%实验室25%中期25%最终实验室报告25%
• 微电子技术 - 它是一种集成电路技术,能够在面积为 100 平方毫米的一小块硅片(称为硅片)上生产数百万个元件。 • 集成电路的主要例子是微处理器,它可以在单个半导体芯片上执行算术、逻辑和存储功能
讲师:CR (Selva) Selvakumar 办公室:DC 3712,电话:x 33978(不适用于 W2021,发送电子邮件)电子邮件:selvakumar@uwaterloo.ca 网站:参见 UW-LEARN 本课程将介绍集成电路制造的原理和实践。主要重点是硅技术,尽管也将涉及 GaAs 和其他复合半导体技术的几个方面。本课程旨在涵盖的主题包括:1. 半导体 IC 工艺技术概述。2. 晶体生长(Czochralski、浮区、抛光、吸杂、挑战)3. 氧化(动力学、Deal-Grove 模型、速率常数、高压氧化、
•N/A课程描述微电子设备制造的原理。强调微型制动处理和微观设备工艺流动的基础。计算机过程仿真。3个学分分级方案:信函等级课程先决条件 /统一固态设备。如果学生已经服用了EEE 4331。课程目标本课程着重于先进的现代IC处理。我们将详细介绍每个处理步骤,包括氧化,掺杂剂扩散,离子植入,光刻,薄膜沉积和蚀刻。我们将强调这些步骤如何组合以构建现代IC设备。我们还将举例说明如何使用软件包来模拟和建模IC制造的物理和化学。材料和供应费不适用所需教科书和软件
•设计o方法,验证o过程表征/监视o设计启用 - 数字和模拟图书馆的表征和验证•测量技术O DC,AC和RF测量:设置,测试和分析O可靠性测试 - 包括热稳定性,包括热稳定性,失败分析,ESD/LUP,ESD/LUP,EM,EM。晶圆级(WLR)等。o统计分析,可变性,吞吐量增加,智能测试策略,紧凑的建模o使用机器学习和AI在数据集分析中 - 参数提取等。o临界探测,底线测量,在线计量学o吞吐量,测试策略,增强和过程控制测试,TCAD•应用•应用o新兴记忆技术(单元,阵列和在神经网络中的单元,阵列和应用)电子和传感器(有机和无机材料)o m(n)EMS,执行器,传感器,PV细胞和其他新兴设备
• 设计 o 方法、验证 o 用于工艺特性/监控的片内电路 o 设计支持 – 数字和模拟库的特性和验证。 • 测量技术 o DC、AC 和 RF 测量:设置、测试和分析 o 可靠性测试 - 包括热稳定性、故障分析、ESD/LUP、EM。晶圆级 (WLR) 等。 o 统计分析、变异性、吞吐量增加、智能测试策略、紧凑建模 o 在数据集分析中使用机器学习和人工智能 - 参数提取等。 o 晶圆探测、片内测量、在线计量。 o 吞吐量、测试策略、产量提升和工艺控制测试、TCAD。 • 应用 o 新兴存储技术(单元、阵列和神经网络应用) o 用于数字/模拟/电源应用的新兴晶体管技术 o 光子器件 - 硅集成、新显示器(OLED、μ 显示器) o 柔性电子和传感器(有机和无机材料) o M(N)EMS、执行器、传感器、光伏电池和其他新兴设备