XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemMicroelectronic
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P7_31 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VD VG 0 0 NMOS0P18 + L=0.5u + W=12u + M=1 V2 VDD 0 1Vdc I1 VDD VD DC 200u R1 VG VD 22MEG TC=0,0 R2 0 VO 15k TC=0,0 C1 VD VO 1 TC=0,0 C2 VI VG 1 TC=0,0 V3 VI 0 AC 1 +SIN 0 10m 1k 0 0 0 ******* 主电路从这里结束********************************************** ***************** NMOS 模型从这里开始 ************************************* .model NMOS0P18 NMOS(Level=1 VTO=0.8 GAMMA=0.3 PHI=0.84 + LD=0 WD=0 UO=450 LAMBDA=0.05 TOX=4.08E-9 PB=0.9) ***************** NMOS 模型到此结束 *****************************************
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
******** D1N4148 模型从此处开始**************** .model D1N4148 D(Is=2.682n N=1.836 Rs=.5664 Ikf=44.17m Xti=3 Eg=1.11 Cjo=4p + M=.3333 Vj=.5 Fc=.5 Isr=1.565n Nr=2 Bv=100 Ibv=100u Tt=11.54n) ******** D1N4148 模型从此处结束****************
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P5_59 **************** ****** 主电路从这里开始************** V_sup VCC 0 2 M4 VCC VCC V2 V2 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M1 V1 V1 0 0 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M2 VCC VCC V1 V1 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M3 V2 V1 0 0 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 ******* 主电路从这里结束**********************************************
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P17_8 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VO VIN 0 0 NMOS0P065 + L=65n + W=130n + M=1 M2 VO VIN VDD VDD PMOS0P065 + L=65n + W=260n + M=1 V1 VDD 0 1Vdc V2 VIN 0 +PULSE 1 0 0.25n 0.001n 0.001n 0.5n C1 0 VO 4f ******* 主电路从这里结束**************
AP 6120 / AP 8120 微电子材料与加工
微电子材料与加工 请从以下网址下载视图和讲稿： http://www6.cityu.edu.hk/appkchu/AP6120/Notes.htm 朱国强教授 办公室：G6714（杨建文学术大楼） 电话：34427724 电邮：paul.chu@cityu.edu.hk 教学助理：Mateen Qasim 博士 办公室：等离子实验室（郑翼智楼地下） 电话：34425463 电邮：amqasim2-c@my.cityu.edu.hk
微电子电路第8版 - 牛津学习链接
******** Analysis begins here**************** .OP .TRAN 0.01mS 2mS *.AC DEC 20 1 100K .PROBE .END ******** Analysis ends here**************** For part (f), copy the netlist given below and paste it into a text file and save it with *.cir extension.********Problem: P11_37(f) *************** ******* Main circuit begins here************* V_DD VDD 0 1Vdc I3 VO VSS DC 100uAdc I2 VD4 VSS DC 300uAdc I1 VS12 VSS DC 200uAdc V_SS 0 VSS 1Vdc M1 VD1 VSIG VS12 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + M = 1 M2 VDD VG2 VS12 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + W = 8U + M = 1 M3 VD1 VD1 VDD VDD VDD VDD VDD VDD PMOS0P18 + L = 0.36U + L = 0.36U + W = 32u + M = 1 M = 1 M = 1 M4 PMOS0P18 + L = 0.36U + W = 96U + M = 1 M5 VDD VD4 VO 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + W = 8U + M = 1 V1 VSIG 0 AC 0 AC 0 + SIN 0 + SIN 0 10M 1K 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 I4 VO 0 DC 0AC 0AC 0AAC 0AAC 0AAC 0AAC + SIN 0AAC + SIN 0AAC 0AAC + SIN 0 0A 0 0A 0 0 1K 0 0 1K 0 0 0 0 0 0 0 M1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 c = 2 5.39meg TC = 0,0 *******主电路在这里结束*****************************************************************************************
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P9_4 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VD1 VG1 VS VDD PMOS0P18 + L=0.5u + W=29u + M=1 M2 VD2 0 VS VDD PMOS0P18 + L=0.5u + W=29u + M=1 R1 VSS VD1 4k TC=0,0 R2 VSS VD2 4k TC=0,0 I1 VDD VS DC 0.2mAdc V1 VDD 0 0.9Vdc V2 VG1 0 0.25Vdc V3 0 VSS 0.9Vdc ****** 主电路从这里结束**********************************************
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
3. 需要注意的是，M1 的 V OV 指定为 0.15 V，因此根据计算，V1 的直流偏置值应为 0.55V。这将使 M1 接近三极管区域，因此 VO 的信号摆幅将受到限制。这是因为问题解决方案中的计算结果没有考虑由于沟道长度调制 (LAMBDA) 而流动的电流。由于 NMOS 的 LAMBDA 大于 PMOS，因此它将输出端的工作点拉低至地。由于 L 非常小，因此这里的影响非常显著。因此，V1 的直流偏置略低于 0.53V。4. 执行瞬态分析并绘制 V(VO) 和 V(VI)。找到电路的增益。增益为 21.7 V/V。
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P6_49 **************** ****** 主电路从此处开始*************** Q1 VC VB 0 QECL RB VCC VB 12.1k TC=0,0 RC VC VCC 1.35k TC=0,0 V1 VCC 0 5Vdc ****** 主电路从此处结束******************************************* *********** ECL BJT 模型从此处开始******************************* .model QECL NPN(Is=0.26fA Bf=100 Br=1 Tf=0.1ns Cje=1pF Cjc=1.5pF Va=100) *********** ECL BJT 模型从此处开始*******************************
半导体工程和微电子设计硕士学位
半导体工程与微电子设计硕士学位（硕士学位网站）的主要目标是在集成电路、数字和模拟电路的设计和制造领域提供先进和专业的科学技术培训，重点应用于存储系统、通信系统、控制系统、计算系统、传感器和新兴设备，如二维和量子。通过这种方式，我们的目标是弥补目前此类培训专业人员的短缺，这种培训在西班牙和欧洲工业界以及半导体技术研究领域都受到高度重视。