XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemMicroelectronic
恒诺微电子
公司 彭博社 价格 目标价 市值 代码 (当地货币) (当地货币) (百万美元) CY23 CY24F CY25F CY23 CY24F CY25F CY23 CY24F CY25F CY23 CY24F CY25F PCB 制造商 KCE Electronics KCE TB Add 39.00 50.00 1,281 29.4 21.5 18.1 3.1% 3.37 3.11 2.86 11.4% 15.3% 16.5% 2.3% 2.9% 3.3% Chin-Poon Industrial Co Ltd 2355 TT NR 47.35 NA 584 26.7 14.7 13.7 36.6% 1.24 1.09 1.09 4.7% 7.5% 7.9% 2.4% 3.8% 4.7% CMK Corp 6958 JP NR 612.00 NA 283 21.0 10.5 7.6 42.2% 0.87 0.62 0.58 4.0% 6.1% 7.9% 1.4% 3.1% 4.2% Meiko Electronics Co Ltd 6787 JP NR 5200.00 NA 914 11.1 12.5 10.7 9.4% 1.25 1.39 1.24 11.5% 11.3% 12.3% 1.4% 1.2% 1.2% TTM Technologies Inc TTMI US NR 15.40 NA 1,569 11.6 10.3 9.2 -1.7% 1.07 1.01 0.98 9.2% 10.0% 10.9% 健鼎科技股份有限公司 3044 TT NR 215.50 NA 3,385 17.2 13.8 11.5 12.1% 2.35 2.15 1.90 13.9% 16.4% 17.5% 3.7% 4.3% 5.2% PCB 制造商平均 8,015 16.5 13.4 11.4 8.6% 1.65 1.55 1.43 10.1% 11.8% 13.0% 2.9% 3.5% 4.2%
要求标题：高级打印电路板和电子基板关键部门：微电子背景：印刷电路板（P
要求标题：高级打印电路板和电子基板关键部门：微电子背景：印刷电路板（PCB）和高级包装底物是较大的微电子生态系统中的重要组件，是电路电路和集成电路之间复杂互连的骨干的骨干（IC）。自世纪之交以来，美国PCB行业的全球市场份额急剧下降，国内能力大大落后于近亲对手。因此，由于高混合，低量的国内PCB制造能力的严重不足和设计复杂性的增加，美国国防工业基础（DIB）在履行微电子订单方面面临严重的积压。同时，对于下一代美国国防系统，陆上对先进的底物制造或设计的访问很少。这项增强的白皮书的呼吁重点介绍了与高级PCB和电子底物的制造，材料和可靠性研究有关的几项关键计划。制造能力扩展和投资优先级（MCEIP）寻求解决下面描述的一个或多个技术主题领域的解决方案。期望的目标：国防部的高级PCB和电子底物计划是在关键战略领域投资原型项目，以增强高混合，低量的国内能力。提议的解决方案必须至少是技术准备水平（TRL）6和/或制造准备水平（MRL）为5。增强的白皮书应在以下技术要求的一个或多个方面保持一致：
Hongwei Microelectronics
1。压力范围：300〜1100HPA（海拔9000m〜 -500m）。2。电源电压：5V 3。低功耗：标准模式6中的5μA。高精度：在低功率模式下，分辨率为0.06HPA（0.5米）7。高线性模式，分辨率为0.03hpa（0.25m）8。温度输出9。I2C通信模式10。 与温度补偿12. MSL 1反应时间：7.5ms 13。 备用电流：0.1μAI2C通信模式10。与温度补偿12.MSL 1反应时间：7.5ms 13。备用电流：0.1μA
微电子保证和可追溯性标准现状
电子产品说明 - 修订中的供应链要素（目前正在投票） IPC-1782 合规标准或指南（包括审计清单） SEMI E142 基板映射规范 SEMI E142 合规标准或指南（包括审计清单） SEMI 6504 - 外部设备可追溯性规范 SEMI 6504 合规标准或指南（包括审计清单） IPC-1783 - 元器件级认证国际标准
微电子、计算和通信系统（...
________________________________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________________________ 我作为第一作者/授权作者，声明本论文是我们自己的研究成果，未曾送交任何其他会议/期刊发表，且不享有版权。我还声明，如果本论文违反任何版权法或有任何抄袭行为，MCCS-2024 机构将不承担任何责任。我还同意将我的论文送交 MCCS-2024 机构，以便在印刷版/CD 版的论文集上发表，并转发给合适的国际期刊以数字版/印刷版发表。本文的所有权利均移交给 MCCS-2024 机构，MCCS-2024 机构可在任何出版公司将其用于非商业或商业目的。
意法半导体克罗尔工厂扩建项目
从日常数字用途到医疗设备，通过减少能源消耗和为所有道路使用者的安全服务的创新，电子技术使我们能够在不断变化的世界中进行交流、互动和适应。欧洲和法国在微电子领域的技术进步比以往任何时候都更能成为应对脱碳和数字化社会挑战的重要杠杆，特别是在可再生能源的发展、水资源消耗的控制、工业现代化以及脱碳和安全出行的发展方面。
Tim Morgan 博士 微电子公共部门代理技术总监
Tim Morgan 博士是国防部研究与工程部副部长办公室微电子公共部门代理技术总监。在这个职位上，他负责监督该计划的技术执行，并与 OUSD R&E 微电子首席总监直接合作，确保在美国 8 个区域中心加速从实验室到工厂的微电子原型设计，涉及 6 个关键技术领域：电子战、商业飞跃、人工智能硬件、量子、5G/6G 和安全边缘/物联网。此外，这项 20 亿美元的计划是更大的 CHIPS 和科学法案的一部分，并与商务部 (DoC)、国务院 (DoS)、能源部 (DoE)、战略资本办公室 (OSC)、国家科学基金会 (NSF)、白宫科技政策办公室 (OSTP) 等机构的跨部门计划合作，以协调技术和劳动力发展计划。
恒诺微电子
行业集团 2023 年第四季度：由于毛利率疲软，核心利润低于预期 韩亚航空在 2023 年第四季度实现净利润 1.25 亿泰铢（同比下降 88%，环比下降 83%），但不包括一次性项目（即 7500 万泰铢外汇收益、2150 万泰铢减值损失冲销和调整） BT262M的库存价值，公司的核心营业利润将为2.91亿（-47％，QOQ-57％），这比我们的估算/彭博社共识低43％/50％，这是由于您的预期率（gpm）是2％的2％。该季度的GPM仅为15％的假设，我们认为这是由于HANA较低的容量利用率而高于预期的单位成本。例如德州仪器，史蒂罗电子学和Sensata，是Hana的客户正如 IDM 高管在第三季度财报电话会议上所评论的那样，由于一些汽车/工业零部件制造商的库存水平上升速度快于需求，尤其是在 2023 年第 2 季度至 2023 年第 3 季度，Hana 直接和间接地预计 2024 年第 1 季度将进一步进行库存调整。上个月鉴于传统终端市场的增长前景较弱，我们预计 Hana 的销售额在 2024 年上半年将比平时季节性下降，但我们相信随着客户补货，销售额将在 2024 年下半年开始复苏。由于客户采用的高压电动汽车数量减少，SiC 趋势疲软。我们估计 Hana 的全资韩国子公司 Powermaster Semiconductor (PMS) 的销售额将在 2023 年第四季度环比增长 35% 至 1.24 亿泰铢。尽管我们预计 PMS 的销售额将在 2024 财年继续增长，因为产量增加了，但我们预计该公司将在 2024 财年继续增长，因为销量增加了。但到 2024 年，客户对高压电动汽车的采用率下降可能会对碳化硅 (SiC) 技术构成重大挑战。SiC 元件是电动汽车中高效高压电力电子设备的关键元件。因此，硅元件对高压电动汽车（而不是低压电动汽车，因为后者更便宜）的需求下降也可能影响对 SiC 元件的需求，并导致 PMS 比预期更晚达到盈亏平衡。由于复苏进一步延迟，评级建议从“买入”下调至“持有”在调整毛利率假设后，我们将 2024-2025 财年核心每股收益下调 17%，并将对 Hana 的评级从买入下调至持有，因为我们认为股价仍受到 2023 年第四季度收益疲软以及 2024 年上半年核心业务和 PMS 可能脆弱复苏的压力。我们还将 Hana 的目标价下调至 40.50 泰铢，这意味着 2024 财年的市盈率为 12.6 倍（5 年平均值的 -1SD），低于 17.5 倍的市盈率。然而，如果全球电子产品需求回升，Hana 可能面临上行风险，而下行风险则来自毛利率低于预期和 PMS SiC 产量增长低于预期。
Paola Prete 博士，物理学博士，是 CNR 微电子与 M 研究所外延生长实验室的高级科学家和负责人
Paola Prete 博士拥有物理学博士学位，是意大利莱切 CNR 微电子和微系统研究所 (IMM-CNR) 外延生长实验室的高级科学家和负责人，也是莱切萨兰托大学工程学院的合同教授。1996-97 年在英国雷克瑟姆的格林多大学担任客座科学家和合同教授。她在材料科学领域拥有 30 多年的经验，她的研究重点是通过自下而上的方法合成的 III-V 纳米结构的 MOVPE 和 MBE 生长和光谱，例如用于纳米/光电子、光子学、光伏和量子科学的核-（多）壳纳米线，以及基于石墨烯和 TMDC 的范德华异质结构。撰写了 130 多篇同行评审文章和会议论文集，为国际会议撰写了 240 多篇论文，并发表了 20 篇受邀演讲。荣获意大利晶体学会 (AIC) 颁发的 2000 年度青年科学家奖。2012-14 年度 AIC 晶体生长部门协调员和国际晶体生长组织 (IOCG) 意大利理事。ISI 索引期刊《纳米材料和纳米技术》主编，SAGE/Wiley。《晶体生长和材料特性进展》副主编，Elsevier。她曾担任该领域的国际和全国大会/学校主席。许多国际会议的顾问委员会成员，包括美国 SPIE 光学 + 光子学会议。
微电子可靠性
重引线键合是高功率电子制造中最常见的互连技术之一。对于工业应用，这些连接的长期可靠性至关重要。除了选择引线材料和环几何形状本身之外，环形成工艺参数也会影响引线键合的可靠性。在这项工作中，系统地研究了引线键合过程中键合头向后移动对引线键合连接质量的影响，并通过循环机械寿命测试、激光共聚焦显微镜对跟部区域的表面粗糙度测量和静态拉伸测试进行了鉴定。引线键合环由具有不同硬度值的 300 μm 铝 H11 和 H14CR 线制成。通过分别在 5 Hz 和 60 kHz 下运行的两种不同的机械循环测试方法确定了低频循环和高频循环模式下的寿命。结果表明，环形成过程中初始塑性变形引起的跟部区域的表面拓扑对由于跟部开裂而导致的引线键合失败有显著影响。在低频和高频循环范围内的所谓起皱分析中，失效前的负载循环次数与表面粗糙度呈反比关系。软线与硬线相比，根据测试条件表现出不同的使用寿命，而在所有情况下，当键合过程中反向运动 > 30 % 时，使用寿命会显著缩短。