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MicroLED 在汽车领域的变革潜力......
MicroLED 代表着一个令人兴奋的机会，有可能降低超大面积显示器以及一些小面积显示器应用的成本。高能量紫外激光器是降低生产成本、提高产量和改善质量的关键。Coherent 提供多种解决方案，从单一激光源、光学系统到集成系统，用于 MicroLED 制造中的三个重要过程：激光剥离 (LLO)、激光诱导正向转移 (LIFT) 和修复/修整。Coherent 还涵盖了整个 MicroLED 生产链的更多工艺步骤，从超短脉冲激光器的激光切割到二极管激光器的激光辅助键合 (LAB)。
微胶片2023：行业状态和未来路线图
总部位于美国的3M公司在行业，工人安全，美国医疗保健和消费品领域运营。该公司生产各种产品（实际上是60,000多种产品），包括胶粘剂，磨料，层压板，被动防火，保护膜，牙齿和正畸产品，电气和电子连接和绝缘材料以及光学膜。
小册子启动 - 安格拉斯 - 韦布
Aledia成立于2011年，提供了3D照明设备，用于显示各种尺寸。亮度比OLEDS和LCD高2,000倍，更好的图像质量，增加对比度以及生产成本低，因此该公司的产品在全球市场上是独一无二的。3D微胶片受250个专利系列的保护，使Aledia成为提交专利数量的法国第一初创企业。Aledia的3D微胶片的亮度和能源效率最终将智能手机或笔记本电脑的电池需求减少一半。这不仅有助于室外使用，而且还将减少对锂，钴和锰等战略金属的依赖。Aledia还针对许多其他市场，从虚拟现实耳机的微型播放到巨大的视频墙。
采用 GaN-on-Si microLED 和 microPD 矩阵进行短距离光通信
尽管与近红外光通信中使用的光子器件相比，GaN microLED 器件的射频带宽相对较小，但它们能够缩小到 1 μ m 到 10 μ m 之间的非常小的间距，并且具有高亮度和在高温下工作的能力，这使它们成为短距离光通信的有趣器件。人工智能 (AI) 或高性能计算 (HPC) 等应用正在推动更高性能、更好能源效率和低延迟短距离互连的发展。事实上，据报道，15 AI 开发所需的硬件性能的扩展速度远远快于互连和内存数据速率。因此，芯片间或芯片内通信预计将成为 AI 技术进步的主要限制因素，这加强了人们对 GaN microLED 等新型短距离光互连的兴趣。我们介绍了 CEA-LETI 最近开展的工作，重点是开发短距离芯片到芯片光通信，如图 1 所示，使用 InGaN/GaN microLED 和微型光电二极管 (microPD)。这项工作利用了最初为微型显示器开发并适用于 200 毫米 ASIC 的外延、器件和集成工艺。在概述 microLED 在通信方面的预期优势并将其与替代技术进行比较后，我们将简要介绍一种集成工艺，该工艺旨在在控制 ASIC 上方组装密集的 microLED 矩阵。将重点介绍主要的性能指标，以评估
2023 年年度报告及账目
随着人工智能成为焦点，对新兴人工智能应用的需求有望推动该领域的增长。未来的用例将需要人工智能在边缘处理实时、动态、高保真的输入和输出。这对下一代传感和显示技术提出了挑战。此外，随着人工智能生成的数据量呈指数级增长，对高速、超可靠、低延迟、高带宽连接的需求将造成瓶颈。与硅一起，复合半导体将需要克服这些挑战并实现未来的人工智能生态系统。解决方案将包括用于精确传感的基于 GaAs 和 InP 的光子学；用于高效、超高分辨率显示器和 AR/VR 环境的基于 GaN 和 GaAs 的微型 LED；以及基于 GaN、GaAs 和 InP 的下一代 5G/6G 连接（有线和无线）。
利用microLED显示技术解决芯片问题……
利用 microLED 显示技术解决芯片间数据通信瓶颈 Bardia Pezeshki AvicenaTech Corp.，1130 Independence Ave，Mountain View，CA94043，www.avicena.tech 关键词：MicroLED、多芯光纤、光互连 摘要 在硅 IC 上制造的 MicroLED 显示器可以以空间复用格式形成高度并行的数据链路。如此宽的低功耗数据总线可以解决 4000 亿美元 IC 行业最大的痛点之一。我们展示了转移到硅 CMOS 电路上的高速 microLED，其中包括 LED 的集成驱动器、集成 Si 探测器和放大器。这些芯片的运行速度达到 Gb/s，可以与多芯光纤连接，在标准硅 ASIC 之间建立简单的低成本数据路径。我们使用 130nm CMOS 工艺展示了这些链路，每比特 <2pJ，并在 BER 和模式分割噪声方面展示了它们与 FP 激光器相比的卓越性能。 介绍