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World File Search SystemMicron
SSD挑战（LEO）应用中的SSD挑战
•RAD测试样品（在TID测试期间运行）•被动样本作为冷备用（未安装）•在TID测试之前，对两个样品进行了100％NAND ECC筛查。•Micron 64L 3D TLC（SLC模式）•偏置和操作的Micron and One合作效果很好，并表现良好，直到测试结束 - 40Krad（SI）（SI）与LEO的长达10年的任务相对应。
半导体研究机会
Sohrab Aftabjahani，英特尔 Ameen Akel，美光 Robert Boland，BAE 系统 Jeff Burns，IBM* Rosario Cammarota，高通* Jon Candelaria，SRC Gary Carpenter，ARM C.-P. Chang，应用材料 An Chen，IBM* Ching-Tzu Chen，IBM* Michael Chen，Mentor Graphics Paula Collins，德州仪器 Ken Curewitz，美光 Scott DeBoer，美光 Robert Doering，德州仪器 Sean Eilert，美光 Rich Fackenthal，美光 Mike Fitelson，诺斯罗普·格鲁曼 Patrick Groeneveld – 新思科技 James Hannon，IBM* Ken Hansen，SRC Daryl Hatano，安森美半导体 C.-M. Hung，联发科 David Isaacs，SIA Clas Jacobson，联合技术公司 Steve Johnston，英特尔 Lisa Jones，诺斯罗普·格鲁曼公司 Marc Joye，恩智浦 Ravi Kanjolia，EMD Performance Materials Thomas Kazior，雷神公司 Taffy Kingscott，IBM Curt Kolovson，VMWare Steve Kramer，美光* Zoran Krivokapic，格罗方德半导体 Ming-Ren Lin，格罗方德半导体* Yu-Ming Lin，台积电 Scott List，SRC
美国股票研究
MU是NAND技术的领导者之一。它的1-alpha DRAM和176层的NAND坡道比该行业领先几个季度，并且进步良好，因为该公司继续鉴定使用这些节点的新产品。NAND内存（3D芯片）需求量很高。由于NAND不需要功率，因此它是具有高存储容量的每个字节的成本效益，并且很容易替换。它非常适合在移动设备，数据中心和汽车中使用，以及物联网应用程序。这是AI采用必不可少的组成部分之一，预计将在未来十年内看到强劲的增长。考虑到企业现场的数字转换，数据中心的增长是重要的。预计数据中心市场将从2021年至2026年以22.0％的复合年增长率增长。Big Tech名称的云服务，例如亚马逊的Amazon Web Services（AWS），Microsoft的Azure和Google Cloud，已成为其业务中增长最快的部分。根据其自己的估计，Micron预计，直到2025年，数据中心应用程序的DRAM的复合年增长率很快，NAND的CAGR为33％。自主驾驶还需要增加30倍以上的DRAM，而NAND则超过100倍，因为它从0级移动到5级或完全自动化。Micron自己对汽车DRAM增长的估计表明，直到2025年，NAND的复合年增长率为40％和49％。记忆价格在1H23触底，并在2024年进一步提高。我们预计记忆细分市场将在2024年为该行业的总体半导体收入中预期增长16.8％的Y-O-Y。Micron Project要求在未来几年内以DRAM的中期和20年代百分比范围增长。期望有强大的FY25，这是对AI PC，AI电话和持续数据中心AI增长的需求驱动的。超过80％的Micron DRAM产量和NAND生产的90％以上是在领先的节点上。Micron正在逐步升级下一代DRAM和NAND节点，计划的数量生产计划为2025。这为可观的收入记录创造了有利的设置，并提高了盈利能力，并支持该集团的长期增长。总体而言，预计2024年的行业供应将低于DRAM和NAND的需求。维持较高的TP每股167.10美元的买入。鉴于前景的改善，我们的TP将其固定在4.2倍前进PB（前面为3.6倍），该tp仍低于同行的平均值C.5-6倍。Micron良好地定位是多年AI驱动的增长在数据中心到边缘的存储需求中的主要受益者。
Gigawatt量表的高级制造过程质子交换膜水电解液
1。基于所证明的速率的制造速率，每个过程步骤都被外推到一台机器，并基于包含容量因素的过程模型。2。实验室CCM，具有0.20mg/cm 2 78wt％IR/NSTF粉末OER催化剂/电极，0.08mg/cm 2 pt/nstF分散的催化剂/电极，3M 800EW 100 MICRON MEMBRANE。50cm 2单元，80˚C，2A/cm 2。风VRE协议。3。通过50cm 2单元，80˚C，2A/cm 2，3m 800ew 100 micron膜，项目风变可再生能源（VRE）协议评估的项目目标。堆栈中的性能和耐用性里程碑脱离为1.735V和5µV/hr。
Gigawatt尺度质子交换膜水电解剂氧气进化反应催化剂和电极的高级制造工艺
1。基于所证明的速率的制造速率，每个过程步骤都被外推到一台机器，并基于包含容量因素的过程模型。2。实验室CCM，具有0.20mg/cm 2 78wt％IR/NSTF粉末OER催化剂/电极，0.08mg/cm 2 pt/nstF分散的催化剂/电极，3M 800EW 100 MICRON MEMBRANE。50cm 2单元，80˚C，2A/cm 2。风VRE协议。3。通过50cm 2单元，80˚C，2A/cm 2，3m 800ew 100 micron膜，项目风变可再生能源（VRE）协议评估的项目目标。堆栈中的性能和耐用性里程碑脱离为1.735V和5µV/hr。
承包商和供应商 EHS 要求标准
采购 • 将全球 EHS - 承包商和供应商 EHS 要求标准纳入采购供应商入职流程。 • 确保从此标准中提取 EHS 资格标准，并就 SLP 系统中 EHS 标准的任何变更咨询全球 EHS。 • 将此标准的变更和更新告知美光承包商和供应商。 • 通过季度业务审查和其他监控系统管理与承包承包商和供应商的业务关系。 • 将承包商和供应商的 EHS 资格预审要素纳入美光供应商合规评估系统，并根据其合规风险状况进行评估。 • 与美光 EHS 和 Host 合作，针对美光发现的重大承包商不合规情况向承包商和供应商发出供应商质量通知 (SQN)。
斯科特·盖茨迈尔的书面声明
今天，我以公司副总裁的身份坐在委员会面前，负责美光在美国的扩张，这代表着超过 1000 亿美元的资本支出。美光计划在爱达荷州和纽约州两个州扩大尖端 DRAM 产能，并申请对我们位于弗吉尼亚州的现有工厂进行现代化改造和增加新功能。正如我稍后将更详细地讨论的那样，在国会于 2022 年通过的两党 CHIPS 与科学法案的 60 多亿美元支持下，美光正在进行变革性投资，在纽约州奥农达加县和爱达荷州博伊西建造晶圆厂。我们还提议扩建和现代化我们位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有晶圆厂——我们很高兴您或您的任何员工来参观这个晶圆厂。此申请正在等待 CHIPS 项目办公室的审核。
micron-产品手册-en.pdf
性能。强大。精准。美光 7450 SSD 可实现多种外形尺寸、高达 16TB 级的容量和多种安全选项的高级存储解决方案。软件定义存储、数据库和虚拟化解决方案在美光 7450 上表现出色，这得益于其 PCIe ® Gen4 吞吐量、低延迟和出色的服务质量。这款垂直集成解决方案包括许多美光开发的技术，例如其业界领先的 176 层 NAND 30，可提供低于 2ms 31 的服务质量、控制器、固件和内存。
锂离子电池储能系统的消防保护
各种粒子类型可以分为大颗粒（大于1微米），可通过红外光散射检测到最佳检测，而小颗粒（小于1微米），包括烟雾，这些颗粒可通过蓝光散射有效检测到。在获得专利的双波长检测室中，使用精确算法将红色和蓝光散射信号精确组合在一起，以检测火和锂离子电池电池离气颗粒的副产品。这些相同的算法拒绝欺骗性现象的影响 - 在其他烟雾检测技术中未发现的不良警报条件提供抵抗力。