铅锌矿工人对比敏感度和色觉评估 Fattahi Farzaneh*、Khabazkhoob Mehdi**、Jafarzadehpour Ebrahim*** ****、Mirzajani Ali***、Yekta AbbasAli***** *伊朗德黑兰诺尔眼科医院诺尔眼科流行病学研究中心 **伊朗德黑兰 Shahid Beheshti 医科大学护理与助产学院外科护理系 ***伊朗德黑兰伊朗医科大学康复学院验光系 ****伊朗德黑兰诺尔眼科研究中心 *****伊朗马什哈德医科大学辅助医学学院验光系 通讯作者:Ebrahim Jafarzadehpur,博士,伊朗医科大学康复学院验光系德黑兰,伊朗,德黑兰 Hemat 高速公路 Milad 塔旁 14496,邮编 14535,伊朗,电子邮件:jafarzadehpour.e@iums.ac.ir 接受日期:2019 年 11 月 10 日摘要目的。本研究旨在确定铅锌矿工的无色差对比敏感度和色觉。方法。总共 230 名在矿场工作且接触矿物至少 1 年的男性工人被视为病例组,年龄匹配的 90 岁未接触矿物的男性被视为对照组。在低中间光条件下,通过两个光栅和 Landolt C 刺激,使用弗莱堡测试在 1、5 和 15 度三个频率下评估对比敏感度。在高中视觉条件下,使用 Farnsworth D-15 测试评估色觉。两项测试均为单眼进行。使用 SPSS 22 版软件进行数据分析。结果 . Landolt C 刺激在 1、5 和 15 周期/度三个频率上研究组之间存在显著差异(p=0.009、p=0.016 和 p=0.003)。使用光栅刺激,两组在 1 和 15 周期/度频率上有显著差异,但在 5 周期/度频率下存在边界差异(p˂0.0001、p=0.051 和 p=0.008)。两组的颜色混淆指数之间存在显著差异(p˂0.0001)。结论 . 长期接触铅锌矿中的矿物可能导致色觉缺陷和对比敏感度下降。建议将 Farnsworth D-15 和 Freiburg 对比敏感度测试用于接触矿物的工人的神经退行性和视觉障碍的早期诊断。关键词:对比敏感度、色觉、铅锌矿工引言
严重抑郁症是一种精神疾病,其特征是情绪持续且明显低下,是由环境和遗传原因的结合引起的,这是广泛的,昂贵,有害的,并且与自杀的风险更高有关。这是全球主要的公共卫生问题(Marwaha等,2023)。在过去的10年中,青年抑郁率的率急剧上升,这是关于社会,情感和认知发展以及一个显着的生活过渡时期的快速变化的时期。抑郁症复发,与其他精神疾病的合并症以及社会,教育和职业功能更严重和长期损害的风险是与年轻人抑郁有关的后果(Thapar等,2022)。已经观察到,抑郁症和焦虑症在年轻人中越来越普遍,并且经常一起出现并具有相似的危险因素(Craske and Waters,2005年)。焦虑和抑郁症具有许多相似的症状,并且可能对可比疗法反应的事实支持了共同的神经生物学故障的假设。然而,尚未完全了解抑郁症和焦虑的精确神经生物学机制(Nutt等,2002)。对抑郁症有更多的了解可以帮助开发其他精神健康问题的治疗方法。此外,关于抑郁症中灭绝学习的研究产生了冲突的结果,一项研究显示出了觉得(Dibbets等,2015),而另一项研究表现出增强(Kuhn等,2014)。恐惧学习功能障碍被认为与一系列精神病问题的出现和持久性有关,不仅包括焦虑症(Milad等人,2014; Otto等,2014)和创伤后应激障碍(2014年)和后压力障碍(PTSD)(PTSD)(Wicking等人,2016年),而且抑郁症(Sandi和Sandi(Sandi和Richerter-lever-lever-levin,2009)。因此,人们认为适应不良的社交焦虑和恐惧与抑郁症有关。识别和应对潜在危险的能力对于生存至关重要;但是,当这个过程受到损害,当人们对无害情况的异常恐惧反应时,焦虑症可能会发展。已经进行了许多研究,以了解动物和人类适应性和适应性恐惧学习过程的行为,经验和神经成分。Pavlovian恐惧条件是研究恐惧和焦虑的普遍模型,它继续影响临床焦虑问题的现代解释。尽管在对动物和人类的研究中都广泛使用,但恐惧调节的神经学基础尚未完全理解。研究恐惧学习与抑郁症之间的关系可以帮助我们深入了解人类的关联学习过程,这可能会改善对这些心理健康问题的理解和治疗。调节,灭绝和恢复原状是动物适应的基本要素,并且它们也与PTSD,焦虑,抑郁和成瘾等精神疾病密切相关(Mattera等人,2020年)。恐惧条件和恐惧灭绝学习是解释焦虑症发展和减少基于暴露治疗期间病理恐惧的模型的基本组成部分(Shankman
成员: • Orazio Aiello,国立大学。新加坡(SG)• Janne Aikio,大学奥卢大学 (FI) • Johan Alme,卑尔根大学 (NO) • Atila Alvandpour,林雪平大学 (SE) • Paul Annus,Taltech (EE) • Snorre Aunet,NTNU (NO) • Marco Balboni,费拉拉大学 (IT) • Abdullah Baz,Umm Al-Qura 大学 (SA) • Elmars Bekecal,里士满技术大学,里士满大学 (SE) • 隆德大学 (SE) • Claudio Brunelli,诺基亚 (FI) • Luigi Carro,UFRGS (BR) • Mario Casu,都灵理工大学 (IT) • Kun-Chih (Jimmy) Chen,国立中山大学 (TW) • Yong Chen (Nick),清华大学。 (中国) • Hans Jakob Damsgaard,诺基亚(FI) • Patricia Derler,国家仪器(美国) • Peeter Ellervee,Taltech(EE) • Diana Goehringer,德累斯顿工业大学(德国) • Gunnar Gudnason,奥迪康(丹麦) • Xinfei Guo,Mellanox TechnSEologies(美国) • Half-Houston University(美国),阿尔托大学(FI) • Shadi Harb,英特尔,(美国) • Thomas Hollstein,Taltech(EE) • Heikki Hurskainen,诺基亚(FI) • Waqar Hussain,Nordic Semiconductors(NO) • Maksim Jenihhin,Taltech(EE) • Gert Jervan,Taltech(EE) • Ted Johan SE,Gulson University(CA)nar Kjeldsberg,NTNU(NO) • Kristian Gjertsen Kjelgård,Univ.奥斯陆(挪威) • Peter Koch,奥尔堡大学(丹麦) • Selcuk Köse,大学罗切斯特 (美国) • Marko Kosunen,阿尔托大学 (FI) • Olli-Erkki Kursu,大学。奥卢 (FI) • Kimmo Kuusilinna,Nosteco (FI) • Vesa Lahtinen,诺基亚 (FI) • Yannick Le Moullec,Taltech (EE) • Pasi Liljeberg,图尔库大学 (FI) • Liang Liu,隆德大学 (SE) • Farshad Moradi,奥胡斯大学 (DK) • Ilkka Nissinen,大学。奥卢 (FI) • Sajjad Nouri (DE) • Jari Nurmi,特拉维夫大学 (FI) • Vojin G. Oklobdzija,加州大学戴维斯分校 (美国) • Milica Orlandić,挪威科技大学 (NO) • Dmitry Osipov,ITEM (DE) • Vassilis Paliouras,大学。帕特雷 (GR) • Darshika G. Perera,UCCS(美国) • Ernesto Pérez,CSEM(瑞士) • Luca Pezzarossa,DTU(丹麦) • Sebastian Pillement,Univ.南特大学 (FR) • Juha Plosila,图尔库大学 (FI) • Timo Rahkonen,奥卢大学 (FI) • Toomas Rang,Taltech (EE) • Jussi Ryynänen,阿尔托大学 (FI) • Ketil Røed,大学。奥斯陆(挪威) • Juha Röning,大学奥卢大学(FI) • Alireza Saberkari,林雪平大学(SE) • Martin Schoeberl,丹麦技术大学(DK) • Shahrian Shahabuddin,俄克拉荷马州立大学(美国) • Ibraheem Shayea,伊斯坦布尔技术大学。 (TR) • Ming Shen,奥尔堡大学(DK) • Olli Silvén,奥卢大学(FI) • Henrik Sjöland,隆德大学(SE) • Kalle Tammemäe,Taltech(EE) • Jing Tian,南京大学(CN) • Kjetil Ullaland,卑尔根大学(NO) • Vishnu Unnikrishnan,坦佩雷大学。 (FI) • Boris Vaisband,麦吉尔大学(CA) • Lan-Da Van,国立交通大学(TW) • 马克·维斯特巴卡 (Mark Vesterbacka),林雪平大学(SE) • Seppo Virtanen,图尔库大学 (FI) • Upasna Vishnoi,Marvell Semiconductor (美国) • Roshan Weerasekera,西英格兰大学 (英国) • Avinash Yadav,Nvidia (美国) • Trond Ytterdal,挪威科技大学 (NO) • Milad Zamani,奥胡斯大学 (DK),• Yuteng ZhouWPI(美国)• Viktor Åberg,隆德大学(瑞典)• Johnny Öberg,KTH(瑞典)