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第 8 章：单芯片和多芯片集成
1. 2020 – 2021 年颠覆、错位和创新历史将把 2020 年和 2021 年标记为全球颠覆、错位和创新迅速发展的时期，其规模在和平时期极为罕见。颠覆包括全球 COVID-19、极端野火和洪水，同时还伴随着气候变化和半导体短缺。2020 年 1 月，HIR 团队和 EPS 圣克拉拉谷分会与 SEMI 同事一起计划于 2 月 23 日至 24 日举办第三届 HIR 研讨会和年会，并满怀激动地庆祝 2019 年 10 月第一届 HIR 的发布。当三星工厂对游客关闭时，我们将年会地点从圣何塞的新三星展示工厂移至了米尔皮塔斯的 SEMI 全球总部。这次会议取得了巨大成功，在正式的工作会议、午餐会、品酒会和名片交换中，大家进行了大量的交流。在这次 HIR 会议的第二天，我们的一些行业同事开始收到公司通知，限制参加会议的旅行，以减轻 COVID-19 风险。我们几乎没有想到我们今天所知道的 COVID-19 大流行的程度和破坏性。下面显示的是来自世界卫生组织 2021 年 10 月 6 日仪表板的数据。
报告第一堆积基板研讨会（BUS）
在1 ST建筑底物研讨会（BUS）Annette Teng的报告中，首届堆积基板研讨会（BUSS）取得了很大的成功，这是通过有兴趣出现在Advance Sybrate制造上的大量参与者的投票率来衡量的。许多与会者从乡下和外出州飞往加利福尼亚州米尔皮塔斯的半总部与硅谷的当地人相连。5月2日和5月3日，2024年5月2日和5月3日，超过144名与会者呆在房间里，并一直待到星期五下午5:00之后。该研讨会针对美国高级基材的数量制造和供应链的研讨会，现在正在引起广泛关注。公共汽车计划作为用户，供应商，制造商和政府进行网络和联系的会议。研讨会于2023年11月在A. Teng与H. Hichri在Dallas举行的ECTC论文审查会议上孵化，由J. Vardaman和R. Beica加入。委员会扩展到包括Venky Sundaram，Kuldip Johal，Paul Wesling，Steven Verhaverbeke，Farhang Yazdani和IPC的Matt Kelly。委员会的计划和会议开始在就职之前5个月开始。最终计划包括政府，初创企业和风险资本家的受邀主题演讲；然后在“用户观点”和“授权初创企业”上进行4次邀请的技术论文和2个非常有趣的面板会议。邀请的Keynotes
Teledyne e2v HiRel 与 Integra Technologies Inc. 合作开发高压 GaN 器件
加利福尼亚州米尔皮塔斯 – 2021 年 3 月 2 日 – 领先的高可靠性半导体解决方案提供商 Teledyne e2v HiRel Electronics 今天宣布与总部位于加利福尼亚州的 Integra Technologies, Inc. (Integra) 建立新的高可靠性合作伙伴关系。根据新协议，Teledyne 将利用 Integra 的 GaN on SiC RF 功率晶体管产品组合，为太空市场提供优化的电源解决方案。通过与 Integra 的合作，Teledyne e2v HiRel 将专注于为 LEO 和 GEO 有效载荷市场的新兴太空应用提供高功率 RF 设备。Teledyne 还将为 Integra 面向国防市场的热门 GaN on SiC 功率设备和托盘提供高可靠性选项。Teledyne e2v HiRel 副总裁兼总经理 Brad Little 表示：“我们的太空客户要求 RF 功率设备具有更高的功率密度水平和更高的工作频率。” “我们在提供空间射频组件方面的专业知识与 Integra 的高性能射频 GaN 器件技术和产品组合相结合，将为空间有效载荷工程师提供最先进的功率器件，以插入他们的应用中。” Integra 首席执行官 Suja Ramnath 表示：“Integra 拥有数十年的成功经验，我们凭借世界一流的射频功率产品为各种国防和商业雷达系统提供支持。” “我们很高兴与 Teledyne e2V 合作，后者是高可靠性领域的市场领导者，拥有深厚的专业知识，我们将独特的 GaN on SiC 技术和产品的应用扩展到不断增长的空间市场。”
Teledyne e2v HiRel 推出 650 V 系列两款高功率 GaN HEMT
适用于高可靠性应用的高压 GaN HEMT 现提供 15 A 和 30 A 低电流版本 加利福尼亚州米尔皮塔斯 – 2021 年 1 月 6 日 – Teledyne e2v HiRel 正在为其基于 GaN Systems 技术的业界领先的 650 伏高功率产品系列添加两款新型加固型 GaN 功率 HEMT（高电子迁移率晶体管）。两款新型高功率 HEMT TDG650E30B 和 TDG650E15B 分别提供 30 安和 15 安的低电流性能，而去年推出的原始 650 V TDG650E60 可提供 60 A 的电流。这些 650 V GaN HEMT 是市场上可用于要求高可靠性的军事、航空电子和太空应用的最高电压 GaN 功率器件。它们非常适合电源、电机控制和半桥拓扑等应用。它们采用底部冷却配置，具有超低 FOM Island Technology® 芯片、低电感 GaNPX® 封装、>100 MHz 的超高频开关、快速且可控的下降和上升时间、反向电流能力等。Teledyne e2v HiRel 业务开发副总裁 Mont Taylor 表示：“我们很高兴继续为太空等需要最高可靠性的应用推出 650 V 系列高功率 GaN HEMT。我们相信，这些新器件的较小尺寸封装将真正使客户受益于设计最高功率密度项目。”TDG650E15B 和 TDG650E30B 都是增强型硅基 GaN 功率晶体管，可实现大电流、高击穿电压和高开关频率，同时为高功率应用提供非常低的结到外壳热阻。氮化镓器件已经彻底改变了其他行业的电源转换，现在采用耐辐射的塑料封装，经过严格的可靠性和电气测试，以确保关键任务的成功。这些新型 GaN HEMT 的发布为客户提供了关键航空航天和国防电源应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。对于所有产品线，Teledyne e2v HiRel 都会针对最高可靠性应用进行最严格的认证和测试。对于功率器件，此测试包括硫酸测试、高海拔模拟、动态老化、高达 175°C 环境温度的阶跃应力、9 伏栅极电压和全温度测试。与碳化硅 (SiC) 器件不同，这两种器件可以轻松并联实现，以增加负载电流或降低有效 RDSon。这两种新器件现在都可以订购和立即购买。
2021柔性和印刷的电子路线图
1 CNR，´Ecole Polytechnique，IP Paris，PARAISEAU，法国2弗里德里希 - 亚历山大大学Erlangen-Nürnberg，电子技术材料研究所（I-Meet），Martensstr。7，91058德国Erlangen 3. Bavarian应用能源研究中心E.V.2，91058德国埃尔兰根5号南中国人技术大学，韦山路381号，天山区，广东省广省510641，中国人民6化学和生物化学系，安大略省温莎，温莎，安大略省3p4材料部93016-5050，美国美国8工程学院，香港科学技术大学，清水湾，九龙，香港9号，香港9号生物物理学系，量子生物物理学院，苏旺大学，Suwon Suwon University，Suwon，Suwon，Suwon，10韩国共和国10韩国柔性和印刷电子协会，Seoul，Seoul，Seelton，Seel of Koregor of Septroning of Septroning of Septroning of Septroning of Septratonion，Seeltor 98195，美利坚合众国12巴伐利亚应用能源研究中心E.V.