化学替代通常用于探索材料中的新基础状态,但疾病的作用经常被忽略。在MN取代的BAFE 2 AS 2(MNBFA)中,尽管在标称孔掺杂相的相位观察到了超导性(SC)。相反,出现了玻璃磁相,与S = 5 /2 MN局部自旋相关。在这项工作中,我们使用角度分辨光发射光谱(ARPES)对MNBFA的电子结构进行了全面研究。我们发现MN会导致电子口袋的小且特异性的降低,仅部分破坏了嵌套条件。基于对光谱特性的分析,我们观察到所有频段,电子散射速率随MN含量的函数的增加。这被解释为增加的带不连贯性,我们认为这是抑制MNBFA磁顺序的主要因素。此发现将MNBFA电子带结构的特性与这些材料中观察到的玻璃磁性行为联系起来,并表明由于散布了Fe衍生的激发的集体磁杂质行为,因此不存在SC。此外,我们的分析表明,自能量[IM(E B)]虚拟部分的结合能(E B)依赖性通过分数缩放(IM(E B)∝√-E B)最好描述。这些结果表明,MN将MNBFA调为Bafe 2 AS 2中相关的Hund的金属与BAMN 2 AS 2中的Hund的绝缘体之间的MNBFA变为电子障碍相。
溶解在溶液中,大颗粒继续吸附并生长,从而提高了纯度。成熟温度不仅会影响颗粒的形态,而且成熟时间同样重要。如果衰老时间太长,颗粒将继续增长,并且颗粒之间碰撞的可能性将逐渐增加。如果衰老时间太短,它也会导致颗粒之间的聚集,从而导致粒径增加。来自图2(c),可以看出,当成熟时间为1小时时,样品具有最佳的粒子均匀性和最小的平均粒径,平均粒径分布约为250 nm。成熟时间为1小时,应该是最佳成熟时间。
由于锌资源丰富、成本低、安全性高,可充电锌基电池 (ZIB) 在大规模储能行业引起了广泛关注。然而,ZIB 的电化学性能仍需进一步提高以满足日益增长的储能需求。本文采用水热法制备了氧化石墨烯 (GO) 修饰的 MnO 2 复合电极 (MnO 2 -GO/GF),并以聚丙烯酰胺 (PAM) 为准固体电解质组装成柔性锌基电池。所提出的电池表现出优异的充放电时间超过 13,200 秒,并且在 2,000 次充放电循环后保持率为 100%。除了良好的抗弯曲变形能力外,柔性准固态 Zn//PAM//MnO 2 -GO 电池在 10 mA ⋅ cm − 2 时表现出优异的电池容量 1250.4 (0.1 mAh ⋅ m − 2 ),经过 5,000 次循环后仍具有 91.6% 的稳定性。结果表明,所提出的 MnO 2 -GO/GF 电极具有优异的电化学性能和稳定性,在由 ZIB 供电的下一代柔性可穿戴设备中具有巨大潜力。
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鼓励所有免疫接种提供者向 MIIC 提交 DLE 信息。参加 MnVFC 计划并采用替代疫苗管理方法的诊所必须向 MIIC 提交所有为 18 岁及以下患者接种的疫苗的 DLE 信息。对于未参加 MnVFC 或 UUAV 计划和/或使用单独库存疫苗管理方法的诊所,向 MIIC 提交 DLE 是可选的。提供者应与技术人员和/或电子健康记录 (EHR) 供应商支持讨论如何使用其当前系统向 MIIC 提交此信息。
摘要 - 材料通过称为腐蚀的过程自然衰减,在该过程中它们与周围环境反应。可以通过施加多种腐蚀抑制剂来防止低碳钢在盐酸(HCL)中腐蚀。在这项工作中,新型的单核锰配位络合物[MN(HBPZ)2(NCS)2]显示出有希望的特性,使其适合预防腐蚀应用。在本实验中,使用不同的实验方法来评估其抑制潜力。例如,体重减轻(WL)显示腐蚀速率较高的浓度下降了96%。eis是证据表明浓度效应增加了R CT并减少C DL。此外,极化检查表明C3是一种混合型抑制剂。另外,还使用了量子机械和统计方法,还确定了温度的效果。此外,还使用并计算了热力学方程。吸附遵循Langmuir等温模型,模拟方法证实了复合物的自发吸附性质,从而改善了表面表征的结果。
氧化物异质结构中的界面电荷转移产生了丰富的电子和磁现象。设计异质结构,其中一个薄膜成分表现出金属-绝缘体转变,为静态和动态控制此类现象开辟了一条有希望的途径。在这项工作中,我们结合深度分辨的软 x 射线驻波和硬 x 射线光电子能谱以及偏振相关的 x 射线吸收光谱,研究了 LaNiO 3 中的金属-绝缘体转变对 LaNiO 3 /CaMnO 3 界面处电子和磁态的影响。我们报告了在金属超晶格中直接观察到的界面 Mn 阳离子的有效价态降低,该超晶格具有高于临界的 LaNiO 3 厚度(6 个晶胞,uc),这是由流动的 Ni 3 deg 电子向界面 CaMnO 3 层中的电荷转移促成的。相反,在厚度低于临界值 2u.c. 的 LaNiO 3 绝缘超晶格中,由于界面电荷传输受阻,整个 CaMnO 3 层中观察到 Mn 的有效价态均匀。切换和调节界面电荷传输的能力使得能够精确控制 LaNiO 3 /CaMnO 3 界面上出现的铁磁状态,因此对下一代自旋电子器件的未来设计策略具有深远的影响。
据说我们的物种使用助记符(“记忆的魔法”)在大脑中刻有大量信息。然而,尚不清楚助记符如何影响记忆和神经基础是什么。在这项脑电图研究中,我们研究了助记符训练是否提高了加工效率和/或改变编码模式以支持记忆增强的假设。通过22天的数字图像助记符(世界一流麦克努斯主义者使用的定制记忆技术)进行22天的培训,一组儿童在训练后显示出短期记忆的增加,但增益有限。这种训练导致了定期的奇数神经模式(即,在序列中数字与奇数位置的数字编码期间,P200增强和theta功率的增强)。至关重要的是,P200和Theta功率效应预测了训练引起的记忆力的改善。这些发现提供了表明,表明弹药如何改变了功能性脑组织中反映的编码模式,以支持记忆增强。
流场;2) 从电池顶部连接到对电极集电器;3) 参比电极集电器;4) 对电极集电器;a) 集电器箔上的工作电极;b) 隔板;c) 参比电极(钠金属);d) 对电极(钠金属);e) 对电极安装板。b) DEMS 测量装置流程图。测量和控制单元的字母符号图例:C = 控制器,F = 流量,I = 指示器,P = 压力,T = 温度。